【1996年7月NDS8928双N & P沟道增强型场效应晶体管概述这些双N沟道和P -Cha】,IC型号NDS8928,NDS8928 PDF资料,NDS8928经销商,ic,电子元器件-51电子网

1996年7月

NDS8928

双N & P沟道增强型场效应晶体管

概述

这些双N沟道和P -Channel增强型功率

场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

专有的，高密度， DMOS技术。这种非常高

密度工艺特别适合于减小导通状态

性，并提供出色的开关性能。这些

器件特别适用于低电压应用，例如

作为笔记本电脑的电源管理和其他电池

供电电路中快速切换，低线功率损耗，

并且需要抗瞬变。

特点

N通道5.5A ， 20V ，R

DS （ ON）

=0.035

@ V

=4.5V

DS （ ON）

=0.045

@ V

=2.7V

P沟道-3.8A ， -20V ，R

DS （ ON）

=0.07

@ V

=-4.5V

DS （ ON）

=0.1

@ V

=-2.7V.

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力的一种广泛使用的

表面贴装封装。

双（N & P沟道） MOSFET的表面贴装封装。

________________________________________________________________________________

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

= 25 ° C除非另有说明

N沟道

（注1A ）

P沟道

-20

-8

-3.8

-15

单位

5.5

功耗双操作

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.6

0.9

-55到150

°C

英镑

工作和存储温度范围

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

1997仙童半导体公司

NDS8928 Rev.D

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

DSS

参数

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

条件

= 0 V，I

= 250 A

= 0 V，I

= -250 A

= 16 V, V

= 0 V

= 55

= -16 V, V

= 0 V

= 55 C

GSSF

GSSR

GS （ TH）

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

栅极阈值电压

= 8 V, V

= 0 V

= -8 V, V

= 0 V

= V

, I

= 250 A

= 125

= V

, I

= -250 A

= 125 C

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

= 4.5 V，I

= 5.5 A

= 125 C

= 2.7 V，I

= 5 A

= -4.5 V，I

= -3.8 A

= 125

= -2.7 V，I

= -3.2 A

D（上）

通态漏电流

= 4.5 V, V

= 5 V

= 2.7 V, V

= 5 V

= -4.5 V, V

= -5 V

= -2.7 V, V

= -5 V

正向跨导

= 10 V，I

= 5.5 A

= -10 V，I

= -3.8 A

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

N沟道

= 10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

P沟道

= -10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

760

1120

440

470

160

145

N沟道

P沟道

N沟道

-15

-5

P沟道

TYPE

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

所有

N沟道

P沟道

N沟道

民

-20

典型值

最大

单位

开关特性

-1

-10

100

-100

0.4

0.3

-0.4

-0.3

0.6

0.35

-0.7

-0.5

0.029

0.04

0.035

0.06

0.085

0.082

0.8

-1

-0.8

0.035

0.063

0.045

0.07

0.126

0.1

基本特征

（注2 ）

NDS8928 Rev.D

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

D（上）

D（关闭）

参数

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

N沟道

= 10 V,

= 5.5 A，V

= 4.5 V

P沟道

= -10 V,

= -3.8 A，V

= -4.5 V

条件

N沟道

= 5 V，I

= 1 A,

根

= 4.5 V ，R

根

= 6

P沟道

= -5 V，I

= -1 A,

根

= -4.5 V ，R

根

= 6

TYPE

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

= 1.3 A

= 0 V，I

= -1.3 A

注意事项：

1. R

在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。

被担保

设计，同时

是通过用户的电路板的设计来确定。

民

典型值

2.3

2.4

6.8

5.5

最大

单位

开关特性

（注2 ）

N沟道

P沟道

（注2 ）

1.3

-1.3

0.8

-0.75

1.2

-1.2

N沟道

P沟道

(

) =

J A

)

(

J·C

)

(

) ×

(

)

典型

对于单台设备的操作使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：

a. 78

安装在一个0.5℃ / W的时

垫2盎司覆铜。

b. 125

安装在一个0.02 C / W的时

垫2盎司覆铜。

c. 135

安装在一个0.003 C / W的时

垫2盎司覆铜。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

NDS8928 Rev.D

典型电气特性： N沟道

，漏源电流（A ）

漏源导通电阻

DS （ ON）

归一化

=4.5V

3.5

3.0

2.7

2.5

1.8

1.6

2.0

= 2.0V

1.4

2.5

1.2

0.8

2.7

3.0

3.5

4.5

1.5

0.5

1.5

，漏源电压（V ）

2.5

，漏电流（ A）

图1. N沟道开区域特点。

图2. N沟道导通电阻变化与门

电压和漏电流。

1.6

漏源导通电阻

= 5.5A

= 4.5V

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

1.4

= 4.5 V

TJ = 125°C

DS （ ON）

归

1.5

1.2

25°C

0.8

-55°C

0.6

-50

-25

100

125

150

0.5

，结温（ ° C）

我，漏极电流（ A）

图3. N沟道导通电阻变化与

温度。

图4. N沟道导通电阻变化与

漏电流和温度。

门源阈值电压

= 5.0V

，漏电流（ A）

T = -55°C

1.4

25°C

125°C

归一化

1.2

= V

= 250A

0.8

0.6

0.5

1.5

2.5

，门源电压（ V）

3.5

0.4

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

图5. N沟道转移

的特点。

图6. N沟道栅极阈值变化

与温度。

NDS8928 Rev.D

典型电气特性： N沟道

（续）

漏源击穿电压

1.12

= 250A

，反向漏电流（ A）

= 0V

DSS

归一化

1.08

TJ = 125°C

0.1

1.04

25°C

-55°C

0.01

0.96

0.001

0.92

-50

0.0001

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

，体二极管正向电压（ V）

1.4

图7. N沟道击穿电压变化

与温度。

图8. N沟道体二极管正向电压

变化与电流和温度

3000

2000

，栅源电压（V ）

= 5.5A

= 5V

15V

10V

电容（pF）

1000

国际空间站

OSS

500

300

200

F = 1 MHz的

= 0 V

RSS

100

0.1

0.2

0.5

，漏源极电压（ V）

，栅极电荷（ NC）

图9. N沟道电容特性。

图10. N沟道栅极电荷特性。

，跨导（ SIEMENS ）

= 5.0V

TJ = -55°C

25°C

125°C

，漏电流（ A）

图11. N沟道跨导变化

与漏电流和温度。

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