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1996年3月

NDS8839H

互补MOSFET半桥

概述

这些互补MOSFET半桥器件

采用飞兆半导体专有的，高密度生产，

DMOS技术。这非常高密度的过程

特别是针对减少通态电阻，

出色的开关性能，并能承受高能量

脉冲雪崩和换向模式。这些

器件特别适用于低电压半桥

应用程序或当两个门都是CMOS的应用

连接在一起。

特点

N通道5.7A ， 30V ，R

DS （ ON）

=0.045

@ V

=10V.

P沟道-4.0A ， -30V ，R

DS （ ON）

=0.09

@ V

=-10V.

高密度电池设计还是非常低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力的一种广泛使用的

表面贴装封装。

匹配的一对平等的输入电容和功率能力

________________________________________________________________________________

V+

P-门

VOUT

-Gate

VOUT

V-

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（单个设备）

英镑

= 25 ° C除非另有说明

N沟道

（注1A & 2 ）

P沟道

-30

-20

-4

2.5

1.2

-55到150

单位

5.7

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

（单个设备）

热阻，结到外壳

（单个设备）

（注1A ）

° C / W

（注1 ）

1997仙童半导体公司

NDS8839H牧师A1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

DSS

参数

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

条件

= 0 V，I

= 250 A

= 0 V，I

= -250 A

= 24 V, V

= 0 V

= 55°C

= -24 V, V

= 0 V

= 55°C

GSSF

GSSR

GS （ TH）

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

栅极阈值电压

= 20 V, V

= 0 V

= -20 V, V

= 0 V

= V

, I

= 250 A

= 125°C

= V

, I

= -250 A

= 125°C

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

= 10 V，I

= 4.0 A

= 125°C

= 4.5 V，I

= 3.2 A

= -10 V，I

= -4.0 A

= 125°C

= -4.5 V，I

= -3.2 A

D（上）

通态漏电流

正向跨导

= 10 V, V

= 5 V

= -10 V, V

= -5 V

= 10 V，I

= 4.0 A

= -10 V，I

= -4.0 A

动态特性

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

N沟道

= 15 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

P沟道

= -15 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

720

690

370

430

250

160

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

-20

P沟道

N沟道

P沟道

所有

N沟道

0.7

-1

-0.7

1.6

1.2

-1.6

-1.2

0.04

0.055

0.053

0.066

0.092

0.1

P沟道

TYPE

N沟道

P沟道

N沟道

民

-30

-1

-10

100

-100

2.8

2.2

-2.8

-2.2

0.045

0.09

0.075

0.09

0.18

0.15

典型值

最大

单位

开关特性

基本特征

（注3）

NDS8839H牧师A1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

D（上）

D（关闭）

参数

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

N沟道

= 10 V,

= 4.0 A，V

= 10 V

P沟道

= -10 V,

= -4.0 A，V

= -10 V

条件

N沟道

= 10 V，I

= 1 A,

根

= 10 V ，R

根

= 6

P沟道

= -10 V，I

= -1 A,

根

= -10 V ，R

根

= 6

TYPE

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

= 0 V，I

= 2.0 A

= 0 V，I

= -2.0 A

N沟道

P沟道

（注2 ）

民

典型值

2.1

3.1

5.2

5.1

最大

单位

开关特性

（注2 ）

-2

0.9

-0.85

1.2

-1.2

100

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

= 0 V，I

= 2.0 A ，二

/ DT = 100 A / μs的

P沟道

= 0 V，I

= -2.0 ，二

/ DT = 100 A / μs的

注意事项：

1. R

在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。

被担保

设计，同时

是通过用户的电路板的设计来确定。

(

) =

J A

)

(

J·C

)

(

) ×

(

)

典型

使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：

a. 50

装在一个1在C / W的时

垫2盎司cpper的。

b. 105

安装在一个0.04 C / W的时

垫2盎司cpper的。

。在2盎司cpper垫安装在0.006时， 125℃ / W 。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

NDS8839H牧师A1

典型电气特性

-20

=10V

6.0 5.0

4.5

4.0

，漏源电流（A ）

-15

= -10V

-6.0

，漏源电流（A ）

-5.0

-4.5

-4.0

3.5

-10

-3.5

-5

3.0

-3.0

0.5

1.5

，漏源电压（V ）

2.5

-1

-2

-3

，漏源电压（V ）

-4

图1. N沟道开区域特点。

图2. P通道导通区特性。

漏源导通电阻

= 3.0V

2.5

漏源导通电阻

= -3.5V

3.5

DS （ ON）

归一化

2.5

- 4.0

-4.5

-5.0

DS （ ON）

归一化

4.0

4.5

1.5

5.0

6.0

1.5

-6.0

-10

0.5

，漏电流（ A）

0.5

-4

-8

-12

，漏电流（ A）

-16

-20

图3. N沟道导通电阻变化与

栅极电压和漏极电流。

图4. P通道导通电阻变化

与栅极电压和漏极电流。

1.6

漏源导通电阻

1.4

= 4.0A

=10V

DS （ ON）

归一化

= -4.0A

1.4

= -10V

DS （ ON）

归一化

1.2

0.8

0.6

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.6

-50

-25

100

T，结温（ ° C）

125

150

图5. N沟道导通电阻变化

与温度。

图6. P通道导通电阻变化

与温度。

NDS8839H牧师A1

典型电气特性

的s

= 10V

漏源导通电阻

1.75

的s

= -10V

DS （ ON）

归一化

1.5

TJ = 125°C

DS （ ON）

归一化

1.5

TJ = 125°C

1.25

25°C

-55°C

0.75

-55°C

0.5

，漏电流（ A）

-4

-8

-12

，漏电流（ A）

-16

-20

图7. N沟道导通电阻变化

与漏电流和温度。

图8. P通道导通电阻变化

与漏电流和温度

-20

= 10V

，漏电流（ A）

TJ = -55°C

25°C

125°C

-15

，漏电流（ A）

= -10V

T J = -55°C

125°C

25°C

-10

-5

，门源电压（ V）

-1

-2

-3

-4

-5

，门源电压（ V）

-6

图9. N沟道转移

的特点。

图10. P通道传输

的特点。

1.2

门源阈值电压

1.2

1.1

= V

= 250A

归一化

1.1

= V

的s

= -250A

归一化

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.6

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

图11. N沟道栅极阈值变化

与温度。

图12. P沟道栅极阈值变化

与温度。

NDS8839H牧师A1