【1996年3月NDC7001C双N & P沟道增强型场效应晶体管概述这些双N和P沟道增强型功】,IC型号NDC7001C,NDC7001C PDF资料,NDC7001C经销商,ic,电子元器件-51电子网

1996年3月

NDC7001C

双N & P沟道增强型场效应晶体管

概述

这些双N和P沟道增强型功率场

场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，

高密度， DMOS技术。这非常高的密度

过程已被设计为减小导通电阻，

提供坚固可靠的性能和快速切换。

这些设备特别适合于低电压，低

电流，开关，以及电源应用。

特点

N沟道0.51A ， 50V ，R

DS （ ON）

= 2

@ V

=10V

P沟道-0.34A ， -50V 。

DS （ ON）

= 5

@ V

=-10V.

高密度电池设计低R

DS （ ON）

专有SuperSOT

使用铜-6包装设计

引线框架为优异的热和电性能。

高饱和电流。

____________________________________________________________________________________________

SuperSOT

-6

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

参数

漏源电压

= 25 ° C除非另有说明

N沟道

（注1A ）

P沟道

-50

-20

-0.34

-1

0.96

0.9

0.7

-55到150

单位

栅源电压 - 连续

漏电流 - 连续

- 脉冲

0.51

1.5

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

英镑

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

130

° C / W

1997仙童半导体公司

NDC7001C.SAM

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

TYPE

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

漏源击穿电压

= 0 V，I

= 250 A

= 0 V，I

= -250 A

零栅极电压漏极电流

= 40 V, V

= 0 V

= 125°C

= -40 V, V

= 0 V

= 125°C

GSSF

GSSR

GS （ TH）

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

= 20 V, V

= 0 V

= -20 V, V

= 0 V

= V

, I

= 250 A

= 125°C

= V

, I

= -250 .A

= 125°C

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

= 10 V，I

= 0.51 A

= 125°C

= 4.5 V，I

= 0.35 A

= -10 V，I

= -0.34 A

= 125°C

= -4.5 V，I

= -0.25 A

D（上）

通态漏电流

= 10 V, V

= 10 V

= -10 V, V

= -10 V

正向跨导

= 10 V，I

= 0.51 A

= -10 V，I

= -0.34 A

动态特性

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

1.5

-1

400

250

P沟道

N沟道

P沟道

所有

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

-50

500

-1

-500

100

-100

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

N沟道

0.8

-1

-0.8

1.9

1.5

-2.5

-2.2

1.7

1.6

2.5

5.3

2.5

2.2

-3.5

-3

3.5

7.5

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

N沟道

= 25 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

P沟道

= -25 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

输出电容

反向传输电容

NDC7001C.SAM

电气特性

= 25

C除非另有说明）

符号

参数

条件

TYPE

民

典型值

最大

单位

开关特性

（注2 ）

D（上）

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

N沟道

= 25 V，I

= 0.25 A,

= 10 V ，R

根

= 25

P沟道

= -25 V，I

= -0.25 A,

= -10 V ，R

根

= 25

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

D（关闭）

打开 - 关闭延迟时间

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

N沟道

= 25 V,

= 0.51 A，V

= 10 V

P沟道

= -25 V,

= -0.34 A，V

= -10 V

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

漏源二极管的特性

最大连续电流源

N沟道

P沟道

最大脉冲电流源

（注2 ）

漏源二极管的正向电压

N沟道

P沟道

= 0 V，I

= 0.51 A

（注2 ）

= 0 V，I

= -0.34 A

（注2 ）

注意事项：

1. R

在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。

被担保

设计，同时

是通过用户的电路板的设计来确定。

1.3

0.19

0.23

0.33

0.38

打开 - 关闭下降时间

栅极 - 漏极电荷

0.51

-0.34

1.5

-1

0.8

-0.8

1.2

-1.2

N沟道

P沟道

(

) =

(

)

(

)

(

) ×

(

)

典型

对于单台设备的操作使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：

a. 130

安装在一个0.125 C / W的时

垫2盎司cpper的。

b. 140

安装在一个0.005 C / W的时

垫2盎司cpper的。

c. 180

安装在一个0.0015 C / W的时

垫2盎司cpper的。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

NDC7001C.SAM

典型电气特性： N沟道

1.5

=10V

，漏源电流（A ）

1.2

8.0 7.0

漏源导通电阻

6.0

5.5

DS （ ON）

归一化

= 3.5V

2.5

4.0

4.5

5.0

0.9

5.5

6.0

7.0

8.0

4.5

0.6

1.5

4.0

0.3

3.5

3.0

0.5

0.3

，漏源电压（V ）

0.6

0.9

，漏电流（ A）

1.2

1.5

图1. N沟道开区域特点。

图2. N沟道导通电阻变化与

栅极电压和漏极电流。

1.8

漏源导通电阻

DS （ ON）

归

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

-50

2.5

= 10V

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

= 0.51A

= 10V

TJ = 125°C

1.5

25°C

-55°C

0.5

0.3

-25

100

T，结温（ ° C）

125

150

0.6

0.9

，漏电流（ A）

1.2

1.5

图3. N沟道导通电阻变化与

温度。

图4. N沟道导通电阻变化与

漏电流和温度。

1.5

1.2

25°C

125°C

归一化

门源阈值电压

= 10V

1.2

，漏电流（ A）

= -55°C

1.1

= V

= 250A

0.9

0.6

0.9

0.3

0.8

，门源电压（ V）

0.7

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

图5. N沟道传输特性。

图6. N沟道栅极阈值变化

与温度。

NDC7001C.SAM

典型电气特性： N沟道

（续）

漏源击穿电压

1.16

= 250A

，反向漏电流（ A）

1.5

0.5

= 0V

1.12

1.08

1.04

0.96

0.92

0.88

-50

DSS

归一化

TJ = 125°C

0.1

25°C

-55°C

0.01

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

，体二极管正向电压（ V）

1.2

图7. N沟道击穿电压变化

与温度。

图8. N沟道体二极管正向电压

变化与电流和温度

100

= 25V

，栅源电压（V ）

= 0.51A

电容（pF）

国际空间站

OSS

RSS

F = 1 MHz的

0.1

= 0 V

0.2

0.5

0.2

，漏源极电压（ V）

0.4

0.6

0.8

，栅极电荷（ NC）

1.2

图9. N沟道电容特性。

图10. N沟道栅极电荷特性。

0.7

= 10V

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.3

TJ = -55°C

25°C

，漏电流（ A）

125°C

0.6

0.9

1.2

，门源电压（ V）

1.5

图11. N沟道跨导变化

与漏电流和温度。

NDC7001C.SAM