1996年3月
NDS351N
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这
非常高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。这些设备是
特别适用于笔记本低电压应用
电脑，便携式电话，PCMCIA卡，和其他
电池供电电路中的快速切换，和低
直列中需要一个非常小的轮廓的功率损耗
表面贴装封装。
特点
1.1A ， 30V 。
DS （ ON）
= 0.25
@ V
GS
= 4.5V.
采用铜引线框架的专利包装设计
优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装
封装。
________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
参数
漏源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDS351N
30
20
（注1A ）
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
± 1.1
± 10
0.5
0.46
-55到150
W
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
（注1A ）
250
（注1 ）
° C / W
° C / W
热阻，结到外壳
75
1997仙童半导体公司
NDS351N版本E2
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.1 A
（注2 ）
0.8
0.6
5
1.2
A
A
V
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
T
J
T
A
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 250
o
安装在一个0.02 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
b. 270
o
安装在一个0.001 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
1a
1b
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDS351N版本E2
SMD型
产品speci fi cation
NDS351N
概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这
非常高密度的工艺特别适合于
最大限度地减少通态电阻。这些设备是
特别适用于笔记本低电压应用
电脑，便携式电话，PCMCIA卡，和其他
电池供电电路中的快速切换，和低
直列中需要一个非常小的轮廓的功率损耗
表面贴装封装。
特点
1.1A ， 30V 。
DS （ ON）
= 0.25
@ V
GS
= 4.5V.
采用铜引线框架的专利包装设计
优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装
封装。
________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
参数
漏源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDS351N
30
20
（注1A ）
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
± 1.1
± 10
0.5
0.46
-55到150
W
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
（注1A ）
250
（注1 ）
° C / W
° C / W
热阻，结到外壳
75
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1第3
SMD型
产品speci fi cation
NDS351N
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.1 A
（注2 ）
0.8
0.6
5
1.2
A
A
V
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
T
J
T
A
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 250
o
安装在一个0.02 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
b. 270
o
安装在一个0.001 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
1a
1b
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
3 3
QQ：2881677436 复制
