添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第134页 > NSS40200UW6T1G
NSS40200UW6T1G
40 V , 4.0 A,低V
CE ( SAT )
PNP晶体管
安森美半导体的电子商务
2
的PowerEdge系列低V的
CE ( SAT )
晶体管是微型表面贴装器件具有超低
饱和电压(V
CE ( SAT )
)和高电流增益的能力。这些
被设计为在低电压,高速开关应用中使用
其中,经济实惠的高效节能控制是非常重要的。
典型的应用是直流 - 直流转换器和电源管理
在便携式及电池供电的产品,例如蜂窝和无绳
电话,PDA,计算机,打印机,数码相机和MP3播放器。
其它的应用是在大容量存储的低电压电机控制
产品,如光盘驱动器和磁带驱动器。在汽车
行业,他们可以在气囊展开,并在乐器上使用
集群。高电流增益允许ê
2
的PowerEdge设备是
直接从PMU的控制输出,线性增益驱动
(测试版) ,使它们非常适合组件的模拟放大器。
这是一个Pb - Free设备
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
静电放电
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
ESD
最大
40
40
7.0
2.0
4.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
A
销1
E
C
WDFN6
CASE 506AP
4
辐射源
http://onsemi.com
-40伏
4.0安培
PNP低V
CE ( SAT )
晶体管
等效
DS ( ON)
100毫瓦
集热器
1, 2, 5, 6
3
BASE
HBM 3B类
MM C级
热特性
特征
器件总功耗,T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
器件总功耗,T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻,
结到环境
热阻,
结到铅# 1
器件总功耗
(单脉冲< 10秒)
结存储
温度范围
符号
P
D
(注1 )
R
qJA
(注1 )
P
D
(注2 )
R
qJA
(注2 )
R
qJL
(注2 )
P
Dsingle
(注2和3 )
T
J
, T
英镑
最大
875
7.0
143
1.5
11.8
85
23
3.0
-55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
W
°C
VA =具体设备守则
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
标记图
1
6
2 VA MG 5
G
3
4
订购信息
设备
NSS40200UW6T1G
WDFN6
(无铅)
航运
3000/
磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @ 100毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
2. FR-4 @ 500毫米
2
1盎司纯铜的痕迹。
3.热响应。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年9月 - 修订版0
出版订单号:
NSS40200UW6/D
NSS40200UW6T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= -10 MADC ,我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= -0.1 MADC ,我
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= -0.1 MADC ,我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -40伏直流,我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= -7.0 V直流)
基本特征
直流电流增益(注4 )
(I
C
= -10毫安,V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= -500毫安,V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= -1.0 A,V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= -2.0 A,V
CE
= 2.0 V)
集电极发射极饱和电压(注4 )
(I
C
= -0.1 A,I
B
= -0.010 A) (注5 )
(I
C
= -1.0 A,I
B
= 0.100 A)
(I
C
= -1.0 A,I
B
= 0.010 A)
(I
C
= -2.0 A,I
B
= 0.020 A)
基地发射极饱和电压(注4 )
(I
C
= -1.0 A,I
B
= 0.01 A)
基地发射极导通电压(注4 )
(I
C
= -2.0 A,V
CE
= 3.0 V)
截止频率
(I
C
= -100毫安,V
CE
= -5.0 V,F = 100兆赫)
输入电容(V
EB
= -0.5 V,F = 1.0兆赫)
输出电容(V
CB
= -3.0 V,F = 1.0兆赫)
开关特性
延迟(V
CC
= 30 V,I
C
= 750 mA时,我
B1
= 15 mA)的
上升(V
CC
= 30 V,I
C
= 750 mA时,我
B1
= 15 mA)的
存储(V
CC
= 30 V,I
C
= 750 mA时,我
B1
= 15 mA)的
秋季(V
CC
= 30 V,I
C
= 750 mA时,我
B1
= 15 mA)的
4.脉冲条件:脉冲宽度= 300
毫秒,
占空比
2%.
5.设计保证,但未经测试。
t
d
t
r
t
s
t
f
70
150
525
155
ns
ns
ns
ns
h
FE
150
150
150
150
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
140
CIBO
科博
500
100
pF
pF
0.80
0.900
兆赫
0.76
0.900
V
0.100
0.020
0.120
0.200
0.300
V
V
V
( BR ) CEO
40
V
( BR ) CBO
40
V
( BR ) EBO
7.0
I
CBO
I
EBO
0.1
0.1
MADC
MADC
VDC
VDC
VDC
符号
典型
最大
单位
http://onsemi.com
2
NSS40200UW6T1G
0.15
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
V
CE ( SAT )
= 150°C
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
I
C
/I
B
= 10
0.30
I
C
/I
B
= 100
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.001
150°C
25°C
V
CE ( SAT )
= 55°C
0.10
25°C
0.05
55°C
0
0.001
0.01
0.1
1.0
10
0.01
0.1
1.0
10
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图1.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
图2.集电极发射极饱和电压
与集电极电流
700
150 ℃(5 V)的
h
FE
,直流电流增益
600
150C ( 2 V )
500
400
300
200
-55°C ( 2V)
100
0.001
0.01
0.1
1
10
25 ℃(5 V)的
25 ° C( 2 V)
-55°C ( 5 V)
V
BE ( SAT )
,基极发射极
饱和电压( V)
1.1
1.0
0.9
0.8
25°C
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.001
0.01
0.1
1.0
10
150°C
I
C
/I
B
= 10
55°C
I
C
,集电极电流( A)
I
C
,集电极电流( A)
图3.直流电流增益与
集电极电流
图4.基极发射极饱和电压与
集电极电流
V
BE(上)
,基极发射极导通电压(V )
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.001
0.01
0.1
1.0
10
150°C
V
CE
= 1.0 V
55°C
25°C
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
1.0
10毫安
百毫安
I
C
= 500毫安
0.8
0.6
0.4
300毫安
0.2
0
0.01
0.1
1.0
10
100
I
C
,集电极电流( A)
I
B
,基极电流(毫安)
图5.基极发射极导通电压与
集电极电流
http://onsemi.com
3
图6.饱和区
NSS40200UW6T1G
475
C
IBO
,输入电容( pF)的
C
IBO
(PF )
425
375
325
275
225
175
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
EB
,发射极基极电压( V)
C
敖包
,输出电容( pF)的
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
0
5.0
10
15
20
25
30
35
V
CB
,集电极基极电压( V)
C
敖包
(PF )
图7.输入电容
图8.输出电容
10
1.0秒100毫秒
1.0毫秒
1
I
C
(A)
0.1
10毫秒
0.01
0.01
极限
0.1
1
V
CE
(V
dc
)
10
100
图9. PNP安全工作区
http://onsemi.com
4
NSS40200UW6T1G
包装尺寸
WDFN6 2×2
CASE 506AP -01
问题B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:毫米。
3.尺寸b适用于镀终端和
测量之间的0.15与0.20毫米从
终奌站。
4.共面性适用于裸露焊盘AS
以及端子。
5.中心终端LEAD是可选的。终奌站
导线被连接到终端线# 4 。
6引脚1 , 2 , 5和6是该标志打成平手。
暗淡
A
A1
A3
b
b1
D
D2
E
E2
e
K
L
L2
J
J1
MILLIMETERS
最大
0.70
0.80
0.00
0.05
0.20 REF
0.25
0.35
0.51
0.61
2.00 BSC
1.00
1.20
2.00 BSC
1.10
1.30
0.65 BSC
0.15 REF
0.20
0.30
0.20
0.30
0.27 REF
0.65 REF
D
A
B
销1
参考
2X
0.10 C
2X
0.10 C
0.10 C
7X
0.08 C
D2
6X
L
1
3
E2
注5
K
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
A3
A1
4X
E
A
C
e
L2
b1
6X
座位
飞机
焊接足迹*
2.30
6X
1.10
6X
0.43
0.10 C A
0.05 C
B
1.25
1
0.35
0.60
0.35
6
4
b
6X
J
J1
底部视图
0.10 C A
0.05 C
B
0.34
0.66
外形尺寸:毫米
注3
0.65
沥青
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
NSS40200UW6/D
查看更多NSS40200UW6T1GPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NSS40200UW6T1G
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ:2322757237 复制

电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
NSS40200UW6T1G
ON/安森美
22+
12000
WDFN-4
原装现货超低价,可拆包
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
NSS40200UW6T1G
ON
25+
8095
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
NSS40200UW6T1G
ON
2425+
11280
DFN-6
进口原装!优势现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1965785011 复制

电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
NSS40200UW6T1G
ON
17+
4550
进口全新原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
NSS40200UW6T1G
ON/安森美
17+
3999
NA
全新原装15818663367
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NSS40200UW6T1G
onsemi
24+
10000
6-WDFN(2x2)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
NSS40200UW6T1G
ON/安森美
2443+
23000
QFN
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NSS40200UW6T1G
onsemi
24+
25000
6-WDFN (2x2)
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
NSS40200UW6T1G
ON
25+23+
25500
WDFN-6
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
NSS40200UW6T1G
ON
22+
36000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
查询更多NSS40200UW6T1G供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!