1997年6月
NDS336P
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
SuperSOT
TM
-3 P沟道逻辑电平增强型功率
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这种非常高
密度工艺特别适合于减小导通状态
性。这些装置特别适用于低电压
应用，如笔记本计算机的电源管理，
便携式电子设备，以及其它电池供电的电路，其中
快高侧开关和低线的功率损耗，需要
在一个非常小外形表面贴装封装。
特点
-1.2 A， -20 V ，R
DS （ ON）
= 0.27
@ V
GS
= -2.7 V
R
DS （ ON）
= 0.2
@ V
GS
= -4.5 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
操作3V电路。 V
GS （ TH）
< 1.0V 。
采用铜引线框架的专利包装设计
优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
紧凑的工业标准SOT- 23表面
封装。
MOUNT
________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
参数
漏源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDS336P
-20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
-1.2
-10
0.5
0.46
-55到150
W
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
250
75
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDS336P英文内容
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
最大连续电流源
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.42
（注2 ）
-0.65
-0.42
-10
-1.2
A
A
V
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的solde安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
P
D
(
t
) =
T
J
T
A
R
θJA
(t)
=
T
J
T
A
R
θJC
+R
= CA
(t)
=
I
2
(
t
) ×
R
DS （ ON） @T
J
D
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 250
o
安装在一个0.02 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
b. 270
o
安装在一个0.001 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
1a
1b
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
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1997年6月
NDS336P
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
SuperSOT
TM
-3 P沟道逻辑电平增强型功率
场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的
专有的，高密度， DMOS技术。这种非常高
密度工艺特别适合于减小导通状态
性。这些装置特别适用于低电压
应用，如笔记本计算机的电源管理，
便携式电子设备，以及其它电池供电的电路，其中
快高侧开关和低线的功率损耗，需要
在一个非常小外形表面贴装封装。
特点
-1.2 A， -20 V ，R
DS （ ON）
= 0.27
@ V
GS
= -2.7 V
R
DS （ ON）
= 0.2
@ V
GS
= -4.5 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
操作3V电路。 V
GS （ TH）
< 1.0V 。
采用铜引线框架的专利包装设计
优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
紧凑的工业标准SOT- 23表面
封装。
MOUNT
________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
参数
漏源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDS336P
-20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
最大漏极电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
-1.2
-10
0.5
0.46
-55到150
W
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
250
75
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
最大连续电流源
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.42
（注2 ）
-0.65
-0.42
-10
-1.2
A
A
V
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的solde安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
P
D
(
t
) =
T
J
T
A
R
θJA
(t)
=
T
J
T
A
R
θJC
+R
= CA
(t)
=
I
2
(
t
) ×
R
DS （ ON） @T
J
D
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 250
o
安装在一个0.02 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
b. 270
o
安装在一个0.001 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
1a
1b
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
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