【E828F010 1024K （ 128K ×8 ）的CMOSFL灰内存nnnn命令寄存器架构微处理】,IC型号N28F010-150,N28F010-150 PDF资料,N28F010-150经销商,ic,电子元器件-51电子网

28F010 1024K （ 128K ×8 ）的CMOS

FL灰内存

命令寄存器架构

微处理器/微控制器

写兼容接口

噪声免疫功能

±10% V

公差

最大闭锁抗扰度

通过EPI处理

ETOX 非易失闪存技术

EPROM兼容的加工基地

大批量制造

经验

符合JEDEC标准的引脚排列

32引脚塑料DIP

32引脚PLCC

32引脚TSOP

（见包装规格。，订单号231369 ）

快闪电子芯片擦除

1秒典型芯片擦除

快速脉冲编程算法

10 μs的典型字节编程

2第二芯片计划

10万次擦除/编程

12.0 V ±5% V

高性能读

90 ns最大访问时间

CMOS低功耗

10毫安典型工作电流

50 μA典型待机电流

0瓦数据保持电源

集成的编程/擦除停止定时器

扩展温度选项

英特尔28F010 CMOS闪存提供了最具成本效益和可靠的替代用于读/写

随机存取非易失性存储器。该28F010加电芯片擦除和重新编程来熟悉

EPROM技术。存储器的内容可以被改写：在测试插座;在PROM程序员插座;导通

组件测试过程中板;在系统的最终测试期间;而在系统售后。该28F010增加

内存的灵活性，同时有助于节省时间和成本。

该28F010是组织为131072字节8比特的1024千位的非易失性存储器。 Intel的28F010是

32引脚塑料DIP或32引脚PLCC和TSOP封装。引脚分配符合JEDEC

标准字节宽度的EPROM 。

扩展擦除和编程循环能力设计为英特尔的ETOX （ EPROM隧道氧化）

工艺技术。高级氧化处理，优化的隧道结构，并降低电场

结合扩展可靠的循环超出了传统的EEPROM 。随着12.0 V V

供应，

28F010进行10万次擦除和编程，以及在快速脉冲的时间限制

编程和快速擦除算法。

英特尔28F010采用了先进的CMOS电路用于需要高性能的接入速度的系统，

功耗低，并且对噪声的抗扰度。其90 ns访问时间提供零等待状态的表现

适用范围广的微处理器和微控制器。 100 μA最大待机电流转换成

节电设备时取消。最后，程度最高的闩锁保护达到

通过英特尔独有EPI处理。设置防止闩锁为应力高达100毫安

地址和数据引脚，从-1至V

+ 1 V.

与英特尔的ETOX工艺技术基地， 28F010建立在多年的经验， EPROM产生的

最高水平的质量，可靠性和成本效益。

1997年12月

订单号： 290207-012

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F010可能包含设计缺陷或勘误表错误。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱5937

丹佛，科罗拉多80217-9808

或致电1-800-548-4725

或访问英特尔网站http://www.intel.com

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

28F010

页面

4.0电气特性.................. 18

4.1绝对最大额定值........................ 18

4.2工作条件.................................. 18

4.3电容............................................... 18

4.4直流特性- TTL / NMOS

兼容-商用产品........... 19

4.5直流特性-CMOS Compatible-

商用产品................................ 20

4.6直流特性- TTL / NMOS

兼容，扩展温度

产品................................................. ... 22

4.7直流特性-CMOS Compatible-

扩展温度产品............... 23

4.8交流特性只读

操作-商业和扩展

温度产品............................... 25

4.9交流特性 - 写/擦除/编程

只有运营 - 商业和

扩展温度产品............... 27

4.10 AC特性，替代CE ＃ -

控制Writes-商业和

扩展温度.............................. 31

4.11擦除和编程性能...... 32

5.0订购信息.......................... 33

6.0其他信息....................... 33

1.0应用程序.............................................. 5

操作2.0原理....................... 8

2.1综合停止定时器.................................. 8

2.2写保护........................................... 9

2.2.1总线操作...................................... 9

2.2.1.1读.............................................. 0.9

2.2.1.2输出禁止................................ 9

2.2.1.3待机........................................ 10

2.2.1.4智能标识操作....... 10

2.2.1.5写............................................. 10

2.2.2命令定义.......................... 10

2.2.2.1读命令............................ 11

2.2.2.2智能identifier命令...... 11

2.2.2.3建立擦除/擦除命令... 12

2.2.2.4擦除校验命令................. 12

2.2.2.5建立项目/计划

命令.................................. 12

2.2.2.6程序验证命令............ 12

2.2.2.7复位命令........................... 13

2.2.3扩展的擦除/编程循环........ 13

2.2.4快速脉冲编程算法... 13

2.2.5快速擦除算法......................... 13

3.0设计考虑........................ 16

3.1两线输出控制............................ 16

3.2电源去耦.......................... 16

3.3 V

跟踪印刷电路板........... 16

3.4电/断电保护........................ 16

3.5 28F010功耗......................... 16

28F010

修订历史

描述

删除

200纳秒

速度斌

修改后擦除最大脉冲计数图4从

3000

1000

澄清交流和直流测试条件

增加了“酒窝”到F TSOP封装

纠正蛇形布局

更正AC波形

添加扩展温度选项

加入28F010-65和28F010-90速度

————

———

数

-007

-008

-009

修订后的符号，也就是说， CE， OE等， CE ＃， OE ＃，等。

-010

的读操作完成表

节目时间擦除标签/节目表

文本修改或编辑

纠正擦除/编程时报

在整个文档中细微的变化

除去65纳秒的速度斌

去掉TSOP封装

添加扩展温度选项

改进

AC测试条件

改进

AC特性

-011

-012

1.0

应用

该28F010闪存提供非易失性

随着性能来进行超过100,000

电子芯片擦除/重写数。这些

特点使得28F010的创新替代

到磁盘，EEPROM和电池备份的静态RAM。

其中的代码和数据表的定期更新

需要时， 28F010的可重编程和

非易失性使其明显的理想

更换EPROM 。

主要的应用程序和操作系统存储

闪光灯消除慢的磁盘到DRAM下载

流程。这导致显着增强

性能和大幅削减权力

消费考虑尤为重要

在便携式设备。快闪记忆体增加

电气擦除芯片和系统的灵活性

操作系统的更新能力和

应用程序代码。随着更新的代码，系统

制造商可以轻松容纳最后一分钟

变化的修订作出。

在无盘工作站和终端，网络

流量减少到最低限度和系统是

即时启动。可靠性超过了电 -

机械媒介。经常在这些环境中，

停电迫使扩展重新开机时间

所有联网终端。此事故没有

再一个问题，如果启动代码，操作系统，

通信协议和主要应用

闪存是居住在每一个终端。

对于依赖于动态嵌入式系统

RAM /磁盘主系统存储器或非易失性

备份存储中， 28F010闪存提供

固态替代以最小的外形尺寸。该

28F010提供更高的性能，更低的功耗

耗，即用性的，并且允许

代码“执行到位” （ XIP ）存储结构

和数据表的读数。另外，该闪光

内存更坚固，可靠的恶劣

环境中的极端温度和

休克可引起基于磁盘的系统失败。

需要代码更新弥漫在各个阶段

系统的生命从原型系统

制造到售后服务。电

芯片擦除和重新编程能力

28F010允许在电路变性;这消除

不必要的操作和不太可靠的嵌

28F010

连接，

而

添加

更大

制造，并且更新的灵活性。

测试，

与代码相关联的材料和劳动力成本

变化的增加在更高级别的系统的

集成 - 最昂贵的幸福代码更新

售后。代码“错误”，或充实到愿望

系统功能，及时售后代码

更新。现场修改EPROM为基础的代码

要求除去的EPROM组件或

整个板。随着28F010 ，代码更新

通过边缘连接器在本地执行，或

远程通过通信电子链接。

用于系统当前使用的是高密度的静

数据积累RAM /电池配置，

闪存固有的非易失性消除了

需要备用电池。电池的关注

失败不再存在，一个重要的考虑因素

对于便携式设备和医疗仪器，

既需要持续的表现。此外，

闪存提供了相当大的成本优势

在静态RAM 。

快闪记忆体的电芯片擦除，字节

可编程性和非易失性完全合身

与数据积累和记录的需求。

电子芯片擦除给设计师一个“空白

石板“，其中记录或记录数据。数据可以是

周期性地卸下，用于分析和闪光

内存中清除产生一个新的“空白的石板”。

片上功能集成程度高

简化了内存到处理器的接口。图3

描绘了两个28F010s绑在80C186系统

总线。该28F010的体系结构通过减少界面

电路所需要的完整的在线更新

存储器的内容。

该TSOP的薄型小的突出特点（

外形封装）为1.2毫米的厚度。 TSOP是

特别适合于便携式设备和

需要大量的闪光灯应用

内存。

具有成本效益的系统内重新编程，

扩展循环能力，和真正的非易失性，

该28F010有优势的替代品：

的EPROM ， EEPROM，单电池备份的静态RAM ，

或磁盘。 EPROM兼容读取规格，

简单的接口，并且在电路变性

为设计者提供了无限的灵活性，以满足高

今天的设计标准。

28F010

1024K （ 128K ×8 ）的CMOS FLASH MEMORY

快闪电子芯片擦除

1秒典型芯片擦除

快速脉冲编程算法

典型的字节编程

2第二芯片计划

100000擦除程序周期

12 0V

5% V

高性能读

65 ns最大访问时间

CMOS低功耗

10毫安典型工作电流

典型待机电流

0瓦数据保持电源

综合方案擦除停止定时器

命令寄存器架构

微处理器微控制器

写兼容接口

噪声免疫功能

10% V

公差

最大闭锁抗扰度

通过EPI处理

ETOX

非易失性闪存技术

EPROM兼容的加工基地

大批量制造

经验

符合JEDEC标准的引脚排列

32引脚塑料DIP

32引脚PLCC

32引脚TSOP

（见包装规格订单

231369)

扩展温度选项

英特尔28F010 CMOS闪存提供了读写最具成本效益和可靠的替代

随机存取非易失性存储器28F010加电芯片擦除和重新编程来熟悉

EPROM技术的存储器中的内容可以被改写的测试插座在PROM程序员插座导通

在最终测试中，并在系统中的系统组件测试过程中电路板售后的28F010增加

内存的灵活性，同时有助于节省时间和成本

该28F010是组织为131 072字节的8位Intel的28F010是1024千比特的非易失性存储器

提供32引脚塑料DIP或32引脚PLCC和TSOP封装的引脚分配符合JEDEC

对于字节宽的EPROM标准

扩展擦除和编程循环能力设计为英特尔的ETOX （ EPROM隧道氧化）工艺

技术先进的氧化处理优化的隧道结构和较低的电场结合起来，

扩展可靠的循环超出了传统的EEPROM选用12 0V的V

供应28F010执行

10万次擦除和编程完全在快速脉冲编程和快速擦除的时间限制

算法

英特尔28F010采用了先进的CMOS电路用于需要高性能的接入速度低系统

功耗和抗噪声其65纳秒存取时间提供无等待状态perform-

ANCE适用范围广的100微处理器和微控制器的最大备用电流

反

拉泰什到功率节省设备时，最后取消了最高程度的闭锁保护

通过英特尔独有EPI处理防止闩锁实现提供了应力高达100 mA的电流

从地址和数据引脚

1V至V

与英特尔的ETOX过程中相应的28F010建立在多年的经验， EPROM ，产生的最高水平

的质量可靠性和成本效益

其他品牌和名称是其各自所有者的财产

本文档中的信息均与英特尔产品相关的英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何专利或

版权销售英特尔产品和使用，除非在英特尔的条款和条件出售此类产品的英特尔保留作出正确的规定

修改这些参数，恕不另行通知微电脑产品随时可能有轻微的变化，以本规范勘误表

版权

英特尔公司1995年

1995年11月

订单号290207-010

28F010

290207– 1

图1 28F010框图

表1引脚说明

符号

–A

？ DQ

TYPE

输入

输入输出

名称和功能

地址输入

内存地址的地址是内部

在写周期期间锁存

数据的输入输出

在存储器写周期的输入数据

在存储器读周期输出数据的数据引脚为高电平有效

而浮到三态OFF时，芯片是取消或输出

被禁用的数据在写周期内锁定

芯片使能

激活装置的控制逻辑输入缓冲器

解码器和读出放大器CE为低电平有效CE高

取消选择的存储设备，并降低功耗

待机水平

OUTPUT ENABLE

闸门装置通过数据缓冲器输出

在一个读周期OE为低电平有效

写使能

控制写入控制寄存器和阵列

写使能低电平有效的地址被锁存下降沿

和数据被锁存，在WE脉冲的上升沿

记

随着V

6 5V存储器的内容不能被改变

擦除程序电源

用于写入的命令

寄存器擦除整个阵列或编程的字节数组中

器件电源

(5V

10%)

地

无内部连接

到器件的引脚可以驱动或左

漂浮的

输入

28F010

290207 –3

290207 –2

290207 –17

290207 –18

图2 28F010引脚配置

28F010

与代码相关联的材料和劳动力成本

改变增加在更高级别的系统的英特

格雷申

之后的最昂贵的存在的代码更新

销售守则“”臭虫“”或增加系统的愿望

售后代码更新字段功能提示

修改EPROM为基础的代码需要重新

EPROM组件或整个电路板的MOVAL

该28F010代码更新是在本地执行

通过边缘连接器或远程地通过commun-

阳离子链接

用于系统当前使用的是高密度的静

数据积累RAM电池配置

闪存固有的非易失性消除了

需要备用电池的电池的关注

失败不再存在一个重要的考虑因素

对于便携式设备和医疗器械

这些都需要持续的绩效除了

闪存提供了相当大的成本优势

在静态RAM

快闪记忆体的电芯片擦除字节亲

grammability和完整的非易失性十分符合

数据的积累和记录需要电

芯片擦除使设计师在'白板''

其中记录或记录数据的数据可以定期

卸下，以进行分析和闪速存储器擦除

产生一个新的'白板''

片上功能集成simpli-程度高

外商投资企业内存到处理器的接口如图4 DE-

皮克特2 28F010s绑在80C186系统总线

该28F010的体系结构通过减少界面税务局局长

cuitry需要完整的在线更新

内存内容

该TSOP的薄型小的突出特点（

外形封装）是1 2毫米的厚度随着标

准和反向引脚配置TSOP减少

董事会层和总音量数字必要请

埃森布局多28F010s TSOP是particu-

larly适合便携式设备和应用程序

需要大量的闪速存储器图3中

说明了TSOP蛇形布局

具有成本效益的系统内重新编程EX-

倾向于循环能力和真正的非易失性

该28F010有优势的替代品

EPROM中的EEPROM电池备份的静态RAM

或磁盘EPROM兼容读取规格

直线前进接口连接和电路变性

为设计者提供了无限的灵活性，以满足高

今天的设计标准

应用

该28F010闪存提供非易失性

随着性能来进行超过10万

电子芯片擦除重写数这些特点

Tures的使28F010的创新替代品

磁盘EEPROM和电池备份的静态RAM

其中代码的定期更新和数据表是

需要28F010的可重编程和非

波动性使其成为显而易见的理想替代品

对于EPROM

主要的应用程序和操作系统存储

闪光灯消除慢的磁盘到DRAM下载

这种处理结果的显着增强

性能和大幅削减权力

消费

考虑特别祁门功夫，功夫

坦便携设备的闪存增大

电气擦除芯片和系统的灵活性

操作系统和应用程序的更新功能

代码，可更新的代码系统manufactur-

器可以轻松容纳最后一分钟变化

修订由

在无盘工作站和终端网络贩

同人减少到最低限度和系统是instant-

可靠性超过了机电的

媒体经常在这些环境中电源中断而

系统蒸发散力扩展重新启动期间的所有网络

曾端子此事故已不再是一个问题，

如果引导代码的操作系统通信亲

母育酚和主要应用是闪存居民

每个终端

对于依赖于动态RAM嵌入式系统

磁盘主系统存储器或非易失性的备份

存储28F010闪存提供了坚实的

在最小的外形状态的替代

28F010提供更高的性能更低的功耗

消费即时启动功能，并允许

''内存层次结构代码'执行到位“和

数据表读出另外的闪速存储器是

更坚固，可靠的恶劣环境

其中，极端温度和冲击可能会导致

基于盘的系统失败

需要代码更新弥漫的各个阶段

系统的生命

从原型设计到制造系统

TURE到售后服务的电器芯片擦除

和28F010的重编程能力允许IN-

电路变性这消除了不必要的han-

危及周围虽然不太可靠的连接嵌

添加更多的测试制造和灵活性更新

相容性

28F010

图3 TSOP蛇形布局

290207– 21

28F010 1024K （ 128K ×8 ）的CMOS

FL灰内存

命令寄存器架构

微处理器/微控制器

写兼容接口

噪声免疫功能

±10% V

公差

最大闭锁抗扰度

通过EPI处理

ETOX 非易失闪存技术

EPROM兼容的加工基地

大批量制造

经验

符合JEDEC标准的引脚排列

32引脚塑料DIP

32引脚PLCC

32引脚TSOP

（见包装规格。，订单号231369 ）

快闪电子芯片擦除

1秒典型芯片擦除

快速脉冲编程算法

10 μs的典型字节编程

2第二芯片计划

10万次擦除/编程

12.0 V ±5% V

高性能读

90 ns最大访问时间

CMOS低功耗

10毫安典型工作电流

50 μA典型待机电流

0瓦数据保持电源

集成的编程/擦除停止定时器

扩展温度选项

英特尔28F010 CMOS闪存提供了最具成本效益和可靠的替代用于读/写

随机存取非易失性存储器。该28F010加电芯片擦除和重新编程来熟悉

EPROM技术。存储器的内容可以被改写：在测试插座;在PROM程序员插座;导通

组件测试过程中板;在系统的最终测试期间;而在系统售后。该28F010增加

内存的灵活性，同时有助于节省时间和成本。

该28F010是组织为131072字节8比特的1024千位的非易失性存储器。 Intel的28F010是

32引脚塑料DIP或32引脚PLCC和TSOP封装。引脚分配符合JEDEC

标准字节宽度的EPROM 。

扩展擦除和编程循环能力设计为英特尔的ETOX （ EPROM隧道氧化）

工艺技术。高级氧化处理，优化的隧道结构，并降低电场

结合扩展可靠的循环超出了传统的EEPROM 。随着12.0 V V

供应，

28F010进行10万次擦除和编程，以及在快速脉冲的时间限制

编程和快速擦除算法。

英特尔28F010采用了先进的CMOS电路用于需要高性能的接入速度的系统，

功耗低，并且对噪声的抗扰度。其90 ns访问时间提供零等待状态的表现

适用范围广的微处理器和微控制器。 100 μA最大待机电流转换成

节电设备时取消。最后，程度最高的闩锁保护达到

通过英特尔独有EPI处理。设置防止闩锁为应力高达100毫安

地址和数据引脚，从-1至V

+ 1 V.

与英特尔的ETOX工艺技术基地， 28F010建立在多年的经验， EPROM产生的

最高水平的质量，可靠性和成本效益。

1997年12月

订单号： 290207-012

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F010可能包含设计缺陷或勘误表错误。最新的勘误表备索。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱5937

丹佛，科罗拉多80217-9808

或致电1-800-548-4725

或访问英特尔网站http://www.intel.com

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

28F010

页面

4.0电气特性.................. 18

4.1绝对最大额定值........................ 18

4.2工作条件.................................. 18

4.3电容............................................... 18

4.4直流特性- TTL / NMOS

兼容-商用产品........... 19

4.5直流特性-CMOS Compatible-

商用产品................................ 20

4.6直流特性- TTL / NMOS

兼容，扩展温度

产品................................................. ... 22

4.7直流特性-CMOS Compatible-

扩展温度产品............... 23

4.8交流特性只读

操作-商业和扩展

温度产品............................... 25

4.9交流特性 - 写/擦除/编程

只有运营 - 商业和

扩展温度产品............... 27

4.10 AC特性，替代CE ＃ -

控制Writes-商业和

扩展温度.............................. 31

4.11擦除和编程性能...... 32

5.0订购信息.......................... 33

6.0其他信息....................... 33

1.0应用程序.............................................. 5

操作2.0原理....................... 8

2.1综合停止定时器.................................. 8

2.2写保护........................................... 9

2.2.1总线操作...................................... 9

2.2.1.1读.............................................. 0.9

2.2.1.2输出禁止................................ 9

2.2.1.3待机........................................ 10

2.2.1.4智能标识操作....... 10

2.2.1.5写............................................. 10

2.2.2命令定义.......................... 10

2.2.2.1读命令............................ 11

2.2.2.2智能identifier命令...... 11

2.2.2.3建立擦除/擦除命令... 12

2.2.2.4擦除校验命令................. 12

2.2.2.5建立项目/计划

命令.................................. 12

2.2.2.6程序验证命令............ 12

2.2.2.7复位命令........................... 13

2.2.3扩展的擦除/编程循环........ 13

2.2.4快速脉冲编程算法... 13

2.2.5快速擦除算法......................... 13

3.0设计考虑........................ 16

3.1两线输出控制............................ 16

3.2电源去耦.......................... 16

3.3 V

跟踪印刷电路板........... 16

3.4电/断电保护........................ 16

3.5 28F010功耗......................... 16

28F010

修订历史

描述

删除

200纳秒

速度斌

修改后擦除最大脉冲计数图4从

3000

1000

澄清交流和直流测试条件

增加了“酒窝”到F TSOP封装

纠正蛇形布局

更正AC波形

添加扩展温度选项

加入28F010-65和28F010-90速度

————

———

数

-007

-008

-009

修订后的符号，也就是说， CE， OE等， CE ＃， OE ＃，等。

-010

的读操作完成表

节目时间擦除标签/节目表

文本修改或编辑

纠正擦除/编程时报

在整个文档中细微的变化

除去65纳秒的速度斌

去掉TSOP封装

添加扩展温度选项

改进

AC测试条件

改进

AC特性

-011

-012

1.0

应用

该28F010闪存提供非易失性

随着性能来进行超过100,000

电子芯片擦除/重写数。这些

特点使得28F010的创新替代

到磁盘，EEPROM和电池备份的静态RAM。

其中的代码和数据表的定期更新

需要时， 28F010的可重编程和

非易失性使其明显的理想

更换EPROM 。

主要的应用程序和操作系统存储

闪光灯消除慢的磁盘到DRAM下载

流程。这导致显着增强

性能和大幅削减权力

消费考虑尤为重要

在便携式设备。快闪记忆体增加

电气擦除芯片和系统的灵活性

操作系统的更新能力和

应用程序代码。随着更新的代码，系统

制造商可以轻松容纳最后一分钟

变化的修订作出。

在无盘工作站和终端，网络

流量减少到最低限度和系统是

即时启动。可靠性超过了电 -

机械媒介。经常在这些环境中，

停电迫使扩展重新开机时间

所有联网终端。此事故没有

再一个问题，如果启动代码，操作系统，

通信协议和主要应用

闪存是居住在每一个终端。

对于依赖于动态嵌入式系统

RAM /磁盘主系统存储器或非易失性

备份存储中， 28F010闪存提供

固态替代以最小的外形尺寸。该

28F010提供更高的性能，更低的功耗

耗，即用性的，并且允许

代码“执行到位” （ XIP ）存储结构

和数据表的读数。另外，该闪光

内存更坚固，可靠的恶劣

环境中的极端温度和

休克可引起基于磁盘的系统失败。

需要代码更新弥漫在各个阶段

系统的生命从原型系统

制造到售后服务。电

芯片擦除和重新编程能力

28F010允许在电路变性;这消除

不必要的操作和不太可靠的嵌

28F010

连接，

而

添加

更大

制造，并且更新的灵活性。

测试，

与代码相关联的材料和劳动力成本

变化的增加在更高级别的系统的

集成 - 最昂贵的幸福代码更新

售后。代码“错误”，或充实到愿望

系统功能，及时售后代码

更新。现场修改EPROM为基础的代码

要求除去的EPROM组件或

整个板。随着28F010 ，代码更新

通过边缘连接器在本地执行，或

远程通过通信电子链接。

用于系统当前使用的是高密度的静

数据积累RAM /电池配置，

闪存固有的非易失性消除了

需要备用电池。电池的关注

失败不再存在，一个重要的考虑因素

对于便携式设备和医疗仪器，

既需要持续的表现。此外，

闪存提供了相当大的成本优势

在静态RAM 。

快闪记忆体的电芯片擦除，字节

可编程性和非易失性完全合身

与数据积累和记录的需求。

电子芯片擦除给设计师一个“空白

石板“，其中记录或记录数据。数据可以是

周期性地卸下，用于分析和闪光

内存中清除产生一个新的“空白的石板”。

片上功能集成程度高

简化了内存到处理器的接口。图3

描绘了两个28F010s绑在80C186系统

总线。该28F010的体系结构通过减少界面

电路所需要的完整的在线更新

存储器的内容。

该TSOP的薄型小的突出特点（

外形封装）为1.2毫米的厚度。 TSOP是

特别适合于便携式设备和

需要大量的闪光灯应用

内存。

具有成本效益的系统内重新编程，

扩展循环能力，和真正的非易失性，

该28F010有优势的替代品：

的EPROM ， EEPROM，单电池备份的静态RAM ，

或磁盘。 EPROM兼容读取规格，

简单的接口，并且在电路变性

为设计者提供了无限的灵活性，以满足高

今天的设计标准。