【1996年5月NDP6051 / NDB6051N沟道增强型网络场效晶体管概述这些N沟道增强型功率场】,IC型号NDB6051,NDB6051 PDF资料,NDB6051经销商,ic,电子元器件-51电子网

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1996年5月

NDP6051 / NDB6051

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生

密度， DMOS技术。这非常高密度的过程中有

特别是针对已最大限度地减少通态电阻，

提供出色的开关性能，并能承受高

能量脉冲雪崩和换向模式。

这些装置特别适用于低电压

应用，如汽车， DC / DC转换器，PWM

电机控制和其它电池供电的电路，其中快

开关，低线功率损失，而且瞬态性

是必要的。

特点

48 A， 50 V.

DS （ ON）

= 0.022

@ V

GS

= 10 V.

在高温指定临界直流电气参数

温度。

坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要

外部齐纳二极管瞬态抑制器。

175°C最高结温额定值。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

.

的TO-220和TO- 263 （四

2

PAK ）封装为通孔

和表面贴装应用。

______________________________________________________________________________

D

G

S

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

参数

漏源电压

T

C

= 25 ° C除非另有说明

NDP6051

50

50

± 20

± 40

48

144

100

0.67

-65 175

275

NDB6051

单位

V

V

V

漏，栅极电压（R

GS

＆ LT ; 1M的

)

栅源电压 - 连续

- 非重复性（T

P

< 50 μS ）

漏电流

- 连续

- 脉冲

A

P

D

总功率耗散@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

W

W / ℃，

°C

°C

T

J

,T

英镑

T

L

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的目的，

8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒

1997仙童半导体公司

NDP6051牧师C1

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

漏源雪崩额定值

（注1 ）

W

DSS

I

AR

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

单脉冲漏源雪崩

能源

最大漏源雪崩电流

V

DD

= 25 V，I

D

= 48 A

300

48

mJ

A

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

V

GS

= 0 V，I

D

= 250 A

V

DS

= 50 V, V

GS

= 0 V

T

J

= 125°C

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

V

GS

= 20 V, V

DS

= 0 V

V

GS

= -20 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250 A

T

J

= 125°C

静态漏源导通电阻

V

GS

= 10 V，I

D

= 24 A

T

J

= 125°C

通态漏电流

正向跨导

V

GS

= 10 V, V

DS

= 10 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 24 A

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

60

14

2

1.4

2.8

2.2

0.018

0.03

50

250

1

100

-100

V

A

mA

nA

nA

基本特征

（注1 ）

栅极阈值电压

4

3.6

0.022

0.04

A

S

V

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

1220

520

190

pF

pF

pF

开关特性

（注1 ）

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

V

DS

= 24 V,

I

D

= 48 A，V

GS

= 10V

V

DD

= 30 V，I

D

= 48 A,

V

GS

= 10 V ，R

根

= 7.5

10

132

28

80

37

8

22

20

250

55

150

53

nS

nS

nS

nS

nC

NDP6051牧师C1

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

漏源二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

最大连续型漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

V

GS

= 0 V，I

S

= 24 A

（注1 ）

T

J

= 125°C

t

rr

I

rr

反向恢复时间

反向恢复电流

V

GS

= 0 V，I

F

= 48 A,

dI

F

/ DT = 100 A / μs的

35

2

0.9

0.8

48

144

1.3

1.2

140

8

ns

A

A

A

V

热特性

R

θ

JC

R

θ

JA

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

1.5

62.5

° C / W

° C / W

注意：

1.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％。

NDP6051牧师C1

典型电气特性

100

I

D

，漏源电流（A ）

V

GS

= 12V

2.5

9.0

80

R

DS （ ON）

归一化

8.0

漏源导通电阻

10

2

V

GS

= 6.0V

7.0

60

7.0

1.5

40

8.0

6.0

9.0

10

12

1

20

5.0

0

0

1

V

DS

2

3

4

，漏源电压（V ）

5

0.5

0

20

I

D

40

60

，漏电流（ A）

80

100

图1.区域特征

.

图2.导通电阻变化与门

电压和漏电流。

2

漏源导通电阻

2.5

I

D

= 24A

1.75

1.5

1.25

1

0.75

0.5

-50

漏源导通电阻

2.25

2

1.75

1.5

1.25

1

0.75

0.5

0

V

GS

= 10V

R

DS （ ON）

归一化

R

DS （ ON）

归一化

V

GS

= 10V

TJ = 125°C

25°C

-55°C

-25

0

25

50

75

100

125

T，结温（ ° C）

J

150

175

20

40

60

I

D

，漏电流（ A）

80

100

图3.导通电阻变化

随温度

.

图4.导通电阻变化与漏

电流和温度

.

60

门源阈值电压

1.2

V

DS

= 10V

50

I

D

，漏电流（ A）

T = -55°C

J

125°C

25°C

V

GS （ TH）

归一化

1.1

1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

-50

V

DS

= V

GS

I

D

= 250A

40

30

20

10

0

2

4

6

8

V

GS

，门源电压（ V）

10

-25

0

25

50

75

100

125

T，结温（ ° C）

J

150

175

图5.传输特性

.

图6.门阈值变化与

温度

.

NDP6051牧师C1

典型电气特性

（续）

1.15

BV

DSS

归一化

漏源击穿电压

我，反向漏电流（ A）

I

D

= 250A

1.1

50

20

5

2

1

V

GS

= 0V

TJ = 125°C

25°C

1.05

0.1

1

-55°C

0.01

0.95

0.001

0.9

-50

-25

0

T

J

25

50

75

100

125

，结温（ ° C）

150

175

S

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

五，体二极管正向电压（ V）

SD

1.4

图7.击穿电压变化与

温度

.

图8.体二极管正向电压

变化与电流和温度

.

3000

2000

电容（pF）

20

V

GS

，栅源电压（V ）

I

D

= 48A

西塞

科斯

15

V

DS

= 12V

24V

48V

1000

500

10

CRSS

300

200

F = 1 MHz的

V

GS

= 0V

1

2

V

DS

5

100

3

5

10

20

，漏源极电压（ V）

30

50

0

0

20

40

Q

g

，栅极电荷（ NC）

60

80

图9.电容特性

.

图10.栅极电荷特性

.

V

DD

t

on

t

关闭

t

r

90%

V

IN

D

R

L

V

OUT

DUT

t

D（上）

t

D（关闭）

90%

t

f

V

GS

R

根

G

V

OUT

10%

10%

倒

90%

S

V

IN

10%

50%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

.

图12.开关波形

.

NDP6051牧师C1

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