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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第34页 > NTR4501NT1
NTR4501N
功率MOSFET
20 V ， 3.2 A单N沟道， SOT -23
特点
领先的平面技术的低栅极电荷/快速切换
2.5 V额定的低电压栅极驱动器
SOT- 23表面贴装的小型封装
无铅包装是否可用
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
70毫瓦@ 4.5 V
85毫瓦@ 2.5 V
I
D
最大
（注1 ）
3.6 A
3.1 A
应用
负载/电源开关用于便携式设备
负载/电源开关电脑
DC- DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳态功率
耗散（注1 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±12
3.2
2.4
1.25
10.0
-55
150
1.6
260
单位
V
V
A
A
W
20 V
N沟道
D
G
S
稳定状态
t
p
= 10
ms
3
A
°C
A
°C
SOT23
CASE 318
21风格
1
2
标记图/
引脚分配
3
漏
工作结温和存储温度
连续源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
TR1
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1
门
TR1
M
2
来源
=具体设备守则
=日期代码
热电阻额定值
参数
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
最大
100
300
单位
° C / W
订购信息
设备
NTR4501NT1
NTR4501NT1G
NTR4501NT3
NTR4501NT3G
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
1
2005年3月 - 第4版
出版订单号：
NTR4501N/D
M
NTR4501N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V
栅极 - 源极漏电流
基本特征
栅极阈值电压（注3 ）
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源栅极电荷
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管的特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V,
d
IS
/d
t
= 100 A / MS ，
A / MS
I
S
= 1.6 A
V
GS
= 0 V，I
SD
= 1.6 A
0.8
7.1
5
1.9
3.0
nC
ns
1.2
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 3.6 A，R
G
= 6.0
W
6.5
12
12
3
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 3.6 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 10 V
200
80
50
2.4
0.5
0.6
6.0
nC
pF
g
FS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.6 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.1 A
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 3.6 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.65
2.3
70
85
9
80
105
mW
S
1.2
V
毫伏/°C的
I
GSS
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
20
24.5
22
1.5
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±12
V
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://onsemi.com
2
NTR4501N
7.0
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
6.0
5.0
4.0
.
3.0
2.0
1.0
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
= 1.4 V
V
GS
= 1.2 V
0
6
7
8
9
10
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
V
GS
= 1.6 V
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
V
GS
= 10 V
V
GS
= 2.2 V
V
GS
= 3.0 V
V
GS
= 2.0 V T = 25℃
J
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
T
J
= 55°C
1.0
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
V
DS
≥
10 V
V
GS
= 1.8 V
图1.区域特征
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
R
DS （ ON）
，漏源电阻（ W）
图2.传输特性
0.25
0.10
T
J
= 25°C
0.09
V
GS
= 2.5 V
0.20
0.08
V
GS
= 4.5 V
0.15
I
D
= 3.2 A
T
J
= 25°C
0.07
0.10
0.06
0.05
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0.05
0.125
0.25
0.375
0.5
0.625
0.75
0.875 1.0
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
图3.导通电阻与
栅极 - 源极电压
1.4
R
DS （ ON）
，漏 - 源
电阻（标准化）
1000
图4.导通电阻与漏
电流和栅极电压
V
GS
= 0 V
1.2
I
D
= 3.2 A
V
GS
= 4.5 V
I
DSS
，漏电（ NA）
100
T
J
= 150°C
1.0
10
T
J
= 100°C
0.8
0.6
50
1.0
25
0
25
50
75
100
125
150
2
6
10
14
18
20
T
J
，结温（ ° C）
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图5.导通电阻变化与
温度
图6.漏极 - 源极漏
电流与电压
http://onsemi.com
3
NTR4501N
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
350
300
C，电容（pF ）
250
200
150
100
50
C
RSS
0
0
3
5
8
10
13
15
18
20
漏 - 源电压（伏）
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
5.0
Q
T
V
DS
V
GS
9
15
4.0
12
3.0
2.0
Q
GS
Q
GD
6
1.0
T
J
= 25°C
I
D
= 3.2 A
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3
0
0
3.0
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总
收费
100
I
S
，源电流（安培）
V
DS
= 10 V
I
D
= 3.2 A
V
GS
= 4.5 V
T， TIME （ NS ）
10
t
D（上）
t
f
1
4
V
GS
= 0 V
T
J
= 25°C
3
t
D（关闭）
t
r
2
1
0
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
http://onsemi.com
4
NTR4501N
包装尺寸
SOT23
(TO236)
CASE 318-08
ISSUE AK
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新
标准318-08 。
英寸
民
最大
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
A
L
3
1
2
B·S
V
G
C
D
H
K
J
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
5
产品speci fi cation
NTR4501N
功率MOSFET
20 V ， 3.2 A单N沟道， SOT -23
20 V
70毫瓦@ 4.5 V
85毫瓦@ 2.5 V
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
I
D
最大
（注1 ）
3.6 A
3.1 A
特点
领先的平面技术的低栅极电荷/快速切换
2.5 V额定的低电压栅极驱动器
SOT- 23表面贴装的小型封装
无铅包装是否可用
N沟道
D
负载/电源开关用于便携式设备
负载/电源开关电脑
DC- DC转换器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（注1 ）
稳态功率
耗散（注1 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±12
3.2
2.4
1.25
10.0
-55
150
1.6
260
单位
V
V
A
A
W
A
°C
A
°C
1
2
应用
G
S
3
标记图/
引脚分配
3
漏
稳定状态
t
p
= 10
ms
SOT23
CASE 318
21风格
1
门
TR1
M
TR1
2
来源
工作结温和存储温度
连续源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
NTR4501NT1
NTR4501NT1G
NTR4501NT3
包
SOT23
SOT23
（无铅）
SOT23
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
10000 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
热电阻额定值
参数
结到环境（注1 ）
结到环境（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
最大
100
300
单位
° C / W
NTR4501NT3G
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
http://www.twtysemi.com
M
sales@twtysemi.com
1 2
产品speci fi cation
NTR4501N
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
漏极至源极击穿电压（注3 ）
漏极至源极击穿电压
温度COEF网络cient
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
I
DSS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V
栅极 - 源极漏电流
TY特性
栅极阈值电压（注3 ）
负阈值温度
系数
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
正向跨导
收费和电容
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源栅极电荷
栅 - 漏极电荷
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管的特性
正向二极管电压
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
V
SD
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
V
GS
= 0 V,
d
IS
/d
t
= 100 A / MS ，
A / MS
I
S
= 1.6 A
V
GS
= 0 V，I
SD
= 1.6 A
0.8
7.1
5
1.9
3.0
nC
ns
1.2
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 3.6 A，R
G
= 6.0
W
6.5
12
12
3
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V,
I
D
= 3.6 A
V
GS
= 0 V ， F = 1.0 MHz时，
V
DS
= 10 V
200
80
50
2.4
0.5
0.6
6.0
nC
pF
g
FS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
/T
J
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.6 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.1 A
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 3.6 A
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
mA
0.65
2.3
70
85
9
80
105
mW
S
1.2
V
毫伏/°C的
I
GSS
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
20
24.5
22
1.5
10
±100
V
毫伏/°C的
mA
mA
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±12
V
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 2
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NLCV25T-3R3M-PF
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NTR4501NT1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
NTR4501NT1
22+
15603
原装原厂公司现货
深圳市川蓝电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ：2801615837 复制

电话：0755-82522939
联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
NTR4501NT1
ON
2532
14+
原包装原标现货，假一罚十，
0.1
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

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