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NCV7380
LIN收发器
的NCV7380是单线数据链路的物理层设备
能够在应用中运行,其中高数据速率不是
需要与一个较低数据率可以达到降低成本的同时在
物理媒体组件,并且其中使用了微处理器
网络。该NCV7380的设计是系统工作
对于LIN 1.3和LIN 2.0开发的。该IC还可以用在
ISO9141体系。
因为NCV7380在非常低的电流消耗
隐性状态,它是适用于ECU的应用,低待机
目前的需求,因此从没有睡觉/唤醒控制
微处理器是必要的。
特点
http://onsemi.com
记号
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
1
V7380
A
L
Y
W
G
V7380
ALYW
G
工作电压V
S
= 7.0 18 V
典型的低电流消耗。 24
mA
LIN总线收发器:
压摆率控制良好的EMC性能
完全集成的接收器滤波器
总线输入电压
27
V到40 V
集成终端电阻的LIN从节点( 30千瓦)
波特率可达20千波特
在系统的工作原理专为LIN或者1.3或LIN 2.0
兼容ISO9141功能
高EMI抗扰性
总线端子模块中防止在短路和瞬态
汽车环境
总线引脚高阻抗在地面和欠压损失
条件
热过载保护
高信号对称性的RC-基于从属节点使用可达2 %
相较于主节点时,时钟容限
"1000
V ESD保护,带电器件模型
NCV前缀为汽车和其他需要现场
和变更控制
无铅包可用
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
引脚连接
RXD 1
NC 2
VCC 3
TXD
4
( TOP VIEW )
8
7
6
5
NC
VS
公共汽车
GND
订购信息
设备
NCV7380D
NCV7380DG
NCV7380DR2
NCV7380DR2G
SO8
SO8
(无铅)
SO8
SO8
(无铅)
航运
95单位/铁
95单位/铁
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
2007年2月,
第2版
1
出版订单号:
NCV7380/D
NCV7380
NCV7380
VS
内部电源
参考文献:
偏置&
带隙
关闭
VCC
POR
30 K
15 K
压摆率
控制
公交车司机
公共汽车
TXD
GND
RXD
接受
比较
输入
滤波器
图1.框图
封装引脚说明
1
2
3
4
5
6
7
8
符号
RXD
NC
VCC
TXD
GND
公共汽车
VS
NC
描述
从总线接收数据的微处理器,低显性状态。
无连接。
5.0 V电源输入。
从微处理器将数据传输到总线,低显性状态。
地面上。
LIN总线引脚,低电平在显性状态。
电池输入电压。
无连接。
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2
NCV7380
电气规格
所有电压参考地(GND ) 。积极
电流溢流到IC 。
下表中给出的最高收视率
限制不导致永久性损伤值
工作条件
特征
电池电源电压(注1 )
电源电压
工作环境温度
符号
V
S
V
CC
T
A
7.0
4.5
40
最大
18
5.5
+125
单位
V
V
°C
该设备但任何超出这些限制可以这样做。
长期接触限值可能会影响
该装置的可靠性。
最大额定值
等级
电池电源电压
符号
V
S
V
CC
V
S.tr1
V
S..tr2
V
S..tr3
V
公共汽车
V
BUS..tr1
V
BUS.tr2
V
BUS.tr3
V
DC
V
ESDCDM
V
ESDHBM
I
LATCH
P
合计
q
JA
T
英镑
T
J
吨< 1分钟
抛负载,T < 500毫秒
电源电压
瞬态电源电压
瞬态电源电压
瞬态电源电压
BUS电压
ISO 7637/1脉冲1 (注2 )
ISO 7637/1脉冲2 (注2)
ISO 7637/1脉冲3A,3B
吨< 500毫秒, VS = 18 V
吨< 500毫秒, VS = 0 V
瞬态总线电压
瞬态总线电压
瞬态总线电压
在引脚TxD,RxD直流电压
ESD能力,带电器件模型
RXD,TXD ,V的ESD能力
CC
,总线引脚
V的ESD能力
S
最大无锁定的电流在任何引脚
最大功率耗散
热阻抗
储存温度
结温
ISO 7637/1脉冲1 (注3 )
ISO 7637/1脉冲2 (注3)
ISO 7637/1脉冲3A,3B (注3)
(注4 )
人体模型,相当于
放电100pF的1.5千瓦(注4)
在T
A
= 125°C
在自由空气
条件
0.3
0.3
150
150
27
40
150
150
0.3
1.0
2.0
1.5
500
55
40
最大
30
40
+7.0
100
150
40
100
150
7.0
1.0
2.0
1.5
500
197
152
+150
+150
V
V
V
V
V
单位
V
V
V
V
V
kV
kV
kV
mA
mW
° C / W
°C
°C
焊接温度回流焊接
无铅, 60秒
150
秒217以上, 40秒以内,在山顶
含铅, 60秒
150
秒183以上, 30秒以内,在山顶
T
SLD
T
SLD
265峰
240峰
°C
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下,会影响
器件的可靠性。
1. V
S
在IC的电源电压,包括电池反向保护二极管, V的电压降
= 0.4 1.0 V ,V
BAT_ECU
电压范围是
7.0 18 V.
2. ISO 7637测试脉冲被施加到V
S
通过反接二极管和> 2.0
mF
隔直电容。
3. ISO 7637测试脉冲通过1.0 nF的耦合电容适用于总线。
4.该器件集成ESD保护,并通过以下方法进行测试:
ESD HBM每AEC - Q100-002 ( EIA / JESD22 -A 114C )测试
CDM ESD按照EIA / JESD22 -C 101C ,场感应模式进行测试。
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3
NCV7380
电气特性
(V
S
= 7.0 18 V ,V
CC
= 4.5 5.5 V和T
A
=
40
至125℃ ,除非另有说明)。
特征
一般
V
CC
欠压锁定
电源电流,优势
电源电流,优势
电源电流,隐性
电源电流,隐性
电源电流,隐性
热关断
热采
公共汽车
发送
短路电流母线
上拉电流母线
总线的反向电流,隐性
公交车反向电流损耗
电池
母线电流时的损耗
发送显性电压
发送显性电压
总线输入电容
公共汽车
接受
接收显性电压
接收隐性电压
接收中心站
门槛
接收器滞后
V
BUSdom
(注6及7 )
V
BUSrec
(注6及7 )
V
BUS_CNT
(注6及7 )
V
HYS
(注6及7 )
V
BUS_CNT
= (V
BUSdom
和V
BUSrec
)/2
V
BUS_CNTt
= (V
BUSrec
V
BUSdom
)
0.4*V
S
0.487
*V
S
0.5*V
S
0.16*V
S
0.6*V
S
0.512*V
S
V
V
V
V
I
BUS_LIM
(注6及7 )
I
BUS_PU
(注6及7 )
I
BUS_PAS_rec
(注6及7 )
I
公共汽车
(注6及7 )
I
BUS_NO_GND
(注6及7 )
V
BUSdom_DRV_2
(注6 )
V
BUSdom_DRV_3
(注6 )
C
公共汽车
(注5 )
V
公共汽车
= V
S
,司机开
V
公共汽车
= 0, V
S
= 12 V ,驱动器关闭
V
公共汽车
& GT ; V
S
, 8.0 V < V
公共汽车
< 18 V ,
7.0 V < V
S
< 18 V ,驱动器关闭
V
S
= 0 V , 0 V < V
公共汽车
& LT ; 18 V
V
S
= 12 V , 0 < V
公共汽车
& LT ; 18 V
V
S
= 7.0 V,负载= 500
W
V
S
= 18 V ,负载= 500
W
通过10千瓦的脉冲响应,
V
脉冲
= 12 V, V
S
=打开
600
1.0
120
25
200
200
5.0
5.0
1.0
1.2
2.0
35
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
pF
V
CC_UV
I
Sd
I
CCD
I
Sr
I
CCR
I
SR +
I
CCR
T
sd
(注5 )
T
HYS
(注5 )
V
S
> 6.0 V ,TxD = L , EN = H
V
S
= 18 V, V
CC
= 5.5 V,
的TxD = L
V
S
= 18 V, V
CC
= 5.5 V,
的TxD = L
V
S
= 18 V, V
CC
= 5.5 V,
的TxD =打开
V
S
= 18 V, V
CC
= 5.5 V,
的TxD =打开
V
S
= 12 V, V
CC
= 5.0 V,
的TxD =打开,T
A
= 25°
2.75
155
126
1.0
0.8
10
14
24
140
4.3
3.0
1.5
20
30
180
150
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
符号
条件
典型值
最大
单位
5.无生产测试,设计和认证保证。
6.根据到LIN物理层规范1.3 。
7.根据到LIN物理层规范2.0 。
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4
NCV7380
电气特性
(续)
(V
S
= 7.0 18 V ,V
CC
= 4.5 5.5 V和T
A
=
40
至125℃ ,除非另有说明)。
特征
TXD
高电平输入电压
低电平输入电压
的TxD上拉电阻
RXD
低电平输出电压
漏电流
AC特性
传播延迟发射
(注10和12)
传播延迟发射
对称(注8和12)
传播延迟接收器
(注8,9, 10,12和15)
传播延迟接收器
对称性(注8和9)
压摆率上升和下降
边,高电池
(注8和13)
压摆率上升和下降
边,低电池
(注8和13)
坡对称,高电池
(注8和13)
公交占空比
(注9和16 )
接收器去抖时间
(注11 ,第14和15 )
t
trans_pdf
t
trans_pdr
t
trans_sym
t
rec_pdf
t
REC_PDR
t
rec_sym
t
SR_HB
总线负载: 1.0 KW / 1.0 nF的,
660
W/6.8
NF, 500
W/10
nF
计算吨
trans_pdf
t
trans_pdr
C
RXD
= 20 pF的
计算吨
trans_pdf
t
trans_pdr
总线负载: V
S
= 18 V , 1.0 KW / 1.0 nF的,
660
W/6.8
NF, 500
W/10
nF
总线负载: V
S
= 7.0 V, 1.0 KW / 1.0 nF的,
660
W/6.8
NF, 500
W/10
nF
总线负载: V
S
= 18 V , 1.0 KW / 1.0 nF的,
660
W/6.8
NF, 500
W/10
NF,计算
t
sdom
t
SREC
计算吨
bus_rec (分钟)
/100
ms
计算吨
bus_rec (最大)
/100
ms
总线的上升沿和下降沿
2.0
2.0
1.0
2.0
5.0
2.0
6.0
2.0
3.0
ms
ms
ms
ms
V / ms的
V
ol_rxd
V
leak_rxd
I
RXD
= 2.0毫安
V
RXD
= 5.5 V ,隐性
10
0.9
10
V
mA
V
ih
V
il
R
IH_TXD
上升沿
下降沿
V
TXD
= 0 V
0.3*V
CC
10
15
0.7*V
CC
25
V
V
kW
符号
条件
典型值
最大
单位
t
SR_LB
0.5
2.0
3.0
V / ms的
t
ssym_HB
5.0
5.0
ms
D1
D2
t
rec_deb
0.396
1.5
0.581
4.0
MS / MS
MS / MS
ms
8.根据到LIN物理层规范1.3 。
9.根据到LIN物理层规范2.0 。
10.传播延迟是不相关的LIN协议的传输,只有对称。
11.无生产测试,设计和认证保证。
12.参见图2
输入/输出时序。
13.参见图7
斜率时间计算。
14.参见图3
接收器反跳。
15.此参数是通过施加一个方波到总线的测试。最小压摆率用于总线的上升沿和下降沿是50伏/毫秒。
16.参见图8
占空比测量和计算。
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NCV7380DG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ:570120875 复制
电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
NCV7380DG
ON
2425+
11280
SOP-8
进口原装!优势现货!
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
NCV7380DG
onsemi
24+
10000
8-SOIC
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
NCV7380DG
onsemi
24+
21868
8-SOIC
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
NCV7380DG
ON
25+23+
25500
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
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电话:171-4729-9698(微信同号)
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地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
NCV7380DG
ON
24+
1001
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★体验愉快问购元件!!就找我吧!《停产物料》
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:296271020 复制
电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
NCV7380DG
ON Semiconductor
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22000
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原装正品假一赔百!
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电话:0755-83220081
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区深南中路南侧南光捷佳大厦1727
NCV7380DG
ON Semiconductor
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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电话:18820154873
联系人:李
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NCV7380DG
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82800
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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onsemi
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16800
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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