ECLSOIC8EVB
评估板手册
高频SOIC 8
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评估板手册
介绍
安森美半导体开发了一个评估板
该器件采用8引脚SOIC封装。这些评价
主板提供一个方便的客户
有兴趣进行自己的工程评估
在8引脚SOIC封装器件的性能一般
样品。该主板提供了一个高带宽的50
W
受控阻抗环境。在图1中的图像
示出了评估电路板，顶部和底部的视图，它
可以以几种不同的方式进行配置，这取决于
被测设备（见表1配置列表） 。
该评估板手册包含：
8引脚SOIC评估板信息
装配说明
相应的实验室设置
材料清单
本说明书应配合使用的设备
数据表，其中包含在设备上全部的技术细节
规格和操作。
董事会糊成型
8引脚SOIC评估板四个落实
层与分裂（双）电源（图2 。
评估板糊） 。对于标准ECL实验室的设置和
试验中，一个分开的（双）电源是必需使
50
W
在示波器将以终端内部阻抗
对于ECL器件。第一层或原迹线层是
0.008 “厚的罗杰斯RO4003材质，其目的是
对来自所有信号迹线相等的电长度
装置中的测试器件（DUT ），以感测输出之下。第二个
一层是1.0盎司纯铜接地层和的一部分
平面是V
EE
电源层。的FR4介电材料是
放置第二和第三层之间及第三和间
第四层。第三层也是1.0盎司铜接地
平面与该层的一部分为V
CC
电源层。该
第四层是辅助迹线层。
图1.顶部和8引脚SOIC评估板的底视图
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年8月 - 第1版
出版订单号：
ECLSOIC8EVB/D
ECLSOIC8EVB
评估板装配说明
8引脚SOIC评估板是专为
在一个50表征的设备
W
实验室环境
使用高带宽的设备。对每个信号路径
板上有一个孔，它具有端接电阻器的一个选项
或旁路电容器依赖于输入/输出
配置（见表1配置列表） 。表17
包括物料清单的评估板。
焊接在评估板设备
焊接可以通过手工焊接来实现或
焊锡再流技术。确保设备的引脚1
位于旁边的白色虚线标记U1和所有的引脚
对准到足迹垫。焊接8引脚SOIC设备
评估板。
连接电源和地平面
评估板上的顶面焊接4
表面贴装测试点夹标有V垫
CC
, V
EE
,
和GND 。在V
CC
片段可以直接连接到的销8
装置。在V
EE
片段可以直接连接到该装置的销5 。
有两个接地夹脚印其可以连接
该评估板取决于接地平面
安装配置。
建议焊接0.01
mF
电容器C1和
C 2减少从电源上的不想要的噪声。
设置为0.1 C3和C4焊盘
mF
电容进一步
降低从电源噪声。添加
电容可以提高边缘速率，降低过冲和
冲。
终止
对于标准ECL实验室设置和测试，分裂（双）电源
供应需要使50
W
在内部阻抗
示波器被用作终止电致化学发光的
信号（V
TT
= V
CC
- 2.0 V，在分离电源设置，V
TT
是系统接地，V
CC
是2.0伏，和V
EE
为-3.0 V或
-1.3 V ;见表2 ：电源电平） 。
表2.电源电平
电源
5.0 V
3.3 V
2.5 V
V
CC
2.0 V
2.0 V
2.0 V
V
EE
3.0 V
1.3 V
0.5 V
GND
0.0 V
0.0 V
0.0 V
所有的ECL输出需要被终止到V
TT
(V
TT
= V
CC
-2.0 V = GND）通过50
W
电阻分割电源
实验室的建立。被设置在0603片式电阻器垫
评估板终止ECL底侧
驱动器（上终止的更多信息在提供
AN8020 ） 。焊接芯片电阻的底部
主板上标有R1器件引脚相应的输入，
R 2， R 3 ，R 4 ，R 6和R 7 ，根据具体的器件上。
安装SMA连接器
电压电平转换器无需电源
如表3。电源指示稍作修改
水平的翻译。
表3.电源电平转换器
V
CC
PECL翻译
3.3 V / 5.0 V
V
EE
0.0 V
GND
0.0 V
每种配置说明SMA的数量
连接器需要填充的评估板了
定的配置。每个输入和输出都需要一个
SMA连接器。将所有必需的SMA连接器
到电路板，焊接连接到电路板上。请
注意SMA的信号连接器引脚的排列
可以影响的实验结果。反射和发射的
信号是由不完美对准的影响很大，并
焊接的SMA连接器。
验证组装电路板
组装评估板后，建议
之前的所有焊接领域进行持续的检查
开始的评估过程。时域
反射计（TDR ）是另一个强烈推荐
验证测试。
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4
NB6L16
2.5V / 3.3V多级输入到
差分LVPECL / LVNECL
时钟或数据接收器/
驱动器/转换器缓冲
该NB6L16是一款高精度，低功耗ECL差分时钟
或数据接收器/驱动器/翻译器缓存。该装置在功能上
相当于EL16 ， EP16 ， LVEL16和NBSG16设备。同
70 ps输出的过渡时期，它非常适合于高频，
低功率的系统。该设备是针对背板缓冲，
千兆以太网的时钟/数据分配，光纤信道分配和SONET
时钟/数据分配应用。
输入接受LVNECL （负ECL ） ， LVPECL （正ECL ）
LVTTL ， LVCMOS ， CML或LVDS 。输出为800毫伏
ECL信号。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过一个0.01 μF的电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
特点
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记号
DIAGRAMS *
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
8
6L16
ALYW
G
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
A
L
Y
W
G
8
6L16
ALYWG
G
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
最大输入时钟频率
w
6 GHz的典型
最大输入数据速率频率
w
6 Gb / s的典型
低12毫安典型电源电流
70 ps的典型的上升/下降时间
130 ps的输入传输延迟
片内参考ECL单端输入 - V
BB
产量
PECL模式经营范围：
V
CC
= 2.375 V至3.465 V与V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围：
V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
打开输入默认状态
LVDS ， LVPECL ， LVNECL ， LVCMOS ， LVTTL和CML输入
兼容
无铅包可用
（注：微球可在任一位置）
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年3月 - 修订版6
出版订单号：
NB6L16/D
NB6L16
V
CC
NC
1
8
R2
D
2
R1
R1
R2
7
Q
D
3
6
Q
V
BB
4
5
V
EE
图1.引脚（顶视图）和逻辑图
表1.引脚说明
针
1
2
名字
NC
D
I / O
LVDS ， CML ， LVPECL ，
LVNECL ， LVTTL ， LVCMOS
输入
LVDS ， CML ， LVPECL ，
LVNECL ， LVTTL ， LVCMOS
输入
ECL输出
ECL输出
默认状态
低
描述
无连接。 NC表示电连接到芯片，必须
悬空。
非反相差分时钟/数据输入。内部75千瓦到V
CC
和
37.5千瓦到V
EE
.
倒差分时钟/数据输入。内部37.5千瓦到V
CC
和75千瓦
到V
EE
.
内部产生的ECL基准电压源。
负电源电压。
倒差分ECL输出。通常情况下终止50
W
电阻器
到V
CC
– 2.0 V.
非反相的差分ECL输出。通常情况下终止50
W
电阻TO V
CC
– 2.0 V.
正电源电压。
3
D
高
4
5
6
7
8
V
BB
V
EE
Q
Q
V
CC
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入默认状态电阻
内部输入默认状态电阻
ESD保护
(R1)
(R2)
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
37.5千瓦
75千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
＆ GT ; 1千伏
LEVEL 1
UL 94 V - 0 @ 1.125在
167
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
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2
NB6L16
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
V
INPP
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
NECL模输入电压
输出电流
差分输入电压
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
标准
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
v
3秒@ 248℃
v
3秒@ 260℃
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
|D D|
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
CC
V
EE
w
2.8 V
V
CC
V
EE
t
2.8 V
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
3.6
3.6
25
50
2.8
|V
CC
V
EE
|
±
0.5
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
265
单元 -
s
V
V
V
V
mA
mA
V
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
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3
NB6L16
表4.直流特性， PECL
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 0 V （注4 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
负电源电流（注5 ）
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
民
10
1350
565
典型值
12
1450
725
最大
18
1550
870
民
10
1400
630
25°C
典型值
12
1500
765
最大
18
1600
920
民
10
1450
690
85°C
典型值
12
1550
825
最大
18
1650
970
单位
mA
mV
mV
差分输入单端驱动
（图10，图12）
V
th
V
IH
V
IL
输入阈值电压参考
范围（注2,7）
单端输入高电压
单端输入低电压
1125
V
th
+75
V
EE
V
CC
75
V
CC
V
th
75
1125
V
th
+75
V
EE
V
CC
75
V
CC
V
th
75
1125
V
th
+75
V
EE
V
CC
75
V
CC
V
th
75
mV
mV
mV
差分输入差分驱动
（图11 ，13）
V
IHD
V
ILD
V
CMR
差分输入高电压
差分输入低电压
输入共模范围
（差分交叉点电压）
（注3）
差分输入电压（V
IHD
V
ILD
)
输入高电流
输入低电平电流
D
D
D
D
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
mV
mV
mV
V
ID
I
IH
I
IL
75
75
75
mV
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2. V
th
在单端模式下操作时被施加到所述互补输入。
3. V
CMR
最小变化1： 1结合V
EE
, V
CMR
最大变化为1：1结合V
CC
.
4.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-1.3 V.
5.所有的输入和输出引脚开路。
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7.不要使用V
BB
作为参考电压在V操作设备时，单端PECL信号
CC
V
EE
＆ LT ; 3.0 V.
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4
NB6L16
表5. DC特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注10 ）
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
负电源电流（注11 ）
输出高电压（注12 ）
输出低电压（注12 ）
民
10
2150
1365
40°C
典型值
12
2250
1525
最大
18
2350
1670
民
10
2200
1430
25°C
典型值
12
2300
1565
最大
18
2400
1720
民
10
2250
1490
85°C
典型值
12
2350
1625
最大
18
2450
1770
单位
mA
mV
mV
差分输入单端驱动
（图10，图12）
V
th
V
IH
V
IL
V
BB
输入阈值电压参考
范围（注8 ）
单端输入高电压
单端输入低电压
输出电压参考值
1125
V
th
+75
V
EE
1880
1980
V
CC
75
V
CC
V
th
75
2070
1125
V
th
+75
V
EE
1880
1980
V
CC
75
V
CC
V
th
75
2070
1125
V
th
+75
V
EE
1880
1980
V
CC
75
V
CC
V
th
75
2070
mV
mV
mV
mV
差分输入差分驱动
（图11 ，13）
V
IHD
V
ILD
V
CMR
差分输入高电压
差分输入低电压
输入共模范围
（差分交叉点电压）
（注9 ）
差分输入电压（V
IHD
V
ILD
)
输入高电流
输入低电平电流
D
D
D
D
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
mV
mV
mV
V
ID
I
IH
I
IL
75
75
75
mV
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8. V
th
在单端模式下操作时被施加到所述互补输入。
9. V
CMR
最小变化1： 1结合V
EE
, V
CMR
最大变化为1：1结合V
CC
.
10.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.925 V至-0.5 V.
11.所有输入和输出引脚开路。
12.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
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5
NB6L16
2.5V / 3.3V多级输入到
差分LVPECL / LVNECL
时钟或数据
接收器/驱动器/转换器
卜FF器
该NB6L16是一款高精度，低功耗ECL差分时钟
或数据接收器/驱动器/翻译器缓存。该装置在功能上
相当于EL16 ， EP16 ， LVEL16和NBSG16设备。同
70 ps输出的过渡时期，它非常适合于高频，
低功率的系统。该设备是针对背板缓冲，
千兆以太网的时钟/数据分配，光纤信道分配和SONET
时钟/数据分配应用。
输入接受LVNECL （负ECL ） ， LVPECL （正ECL ）
LVTTL ， LVCMOS ， CML或LVDS 。输出为800毫伏
ECL信号。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过一个0.01 μF的电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
最大输入时钟频率
w
6 GHz的典型
最大输入数据速率频率
w
6 Gb / s的典型
低12毫安典型电源电流
70 ps的典型的上升/下降时间
130 ps的输入传输延迟
片内参考ECL单端输入 - V
BB
产量
PECL模式经营范围：
V
CC
= 2.375 V至3.465 V与V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围：
V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
打开输入默认状态
LVDS ， LVPECL ， LVNECL ， LVCMOS ， LVTTL和CML输入
兼容
无铅包可用
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
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记号
DIAGRAMS *
8
6L16
ALYW
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
A
L
Y
W
8
6L16
ALYW
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 第4版
出版订单号：
NB6L16/D
NB6L16
V
CC
NC
1
8
R2
D
2
R1
R1
R2
7
Q
D
3
6
Q
V
BB
4
5
V
EE
图1.引脚（顶视图）和逻辑图
表1.引脚说明
针
1
2
名字
NC
D
I / O
LVDS ， CML ， LVPECL ，
LVNECL ， LVTTL ， LVCMOS
输入
LVDS ， CML ， LVPECL ，
LVNECL ， LVTTL ， LVCMOS
输入
ECL输出
ECL输出
默认状态
低
描述
无连接。 NC表示电连接到芯片，必须
悬空。
非反相差分时钟/数据输入。内部75千瓦到V
CC
和
37.5千瓦到V
EE
.
倒差分时钟/数据输入。内部37.5千瓦到V
CC
和75千瓦
到V
EE
.
内部产生的ECL基准电压源。
负电源电压。
倒差分ECL输出。通常情况下终止50
W
电阻器
到V
CC
– 2.0 V.
非反相的差分ECL输出。通常情况下终止50
W
电阻TO V
CC
– 2.0 V.
正电源电压。
3
D
高
4
5
6
7
8
V
BB
V
EE
Q
Q
V
CC
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入默认状态电阻
内部输入默认状态电阻
ESD保护
(R1)
(R2)
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
37.5千瓦
75千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
＆ GT ; 1千伏
LEVEL 1
UL 94 V - 0 @ 1.125在
167
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
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NB6L16
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
V
INPP
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
C
ODE
ü 年龄
NECL模输入电压
输出电流
差分输入电压
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
标准
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
v
3秒@ 248℃
v
3秒@ 260℃
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
|D D|
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
CC
V
EE
w
2.8 V
V
CC
V
EE
t
2.8 V
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
36
3.6
3.6
25
50
2.8
|V
CC
V
EE
|
±
0.5
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
265
单位
s
V
V
V
V
mA
mA
V
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
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3
NB6L16
表4.直流特性， PECL
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 0 V （注4 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
负电源电流（注5 ）
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
民
10
1350
565
典型值
12
1450
725
最大
18
1550
870
民
10
1400
630
25°C
典型值
12
1500
765
最大
18
1600
920
民
10
1450
690
85°C
典型值
12
1550
825
最大
18
1650
970
单位
mA
mV
mV
差分输入单端驱动
（图10，图12）
V
th
V
IH
V
IL
输入阈值电压参考
范围（注2,7）
单端输入高电压
单端输入低电压
1125
V
th
+75
V
EE
V
CC
75
V
CC
V
th
75
1125
V
th
+75
V
EE
V
CC
75
V
CC
V
th
75
1125
V
th
+75
V
EE
V
CC
75
V
CC
V
th
75
mV
mV
mV
差分输入差分驱动
（图11 ，13）
V
IHD
V
ILD
V
CMR
差分输入高电压
差分输入低电压
输入共模范围
（差分交叉点电压）
（注3）
差分输入电压（V
IHD
V
ILD
)
输入高电流
输入低电平电流
D
D
D
D
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
mV
mV
mV
V
ID
I
IH
I
IL
75
75
75
mV
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2. V
th
在单端模式下操作时被施加到所述互补输入。
3. V
CMR
最小变化1： 1结合V
EE
, V
CMR
最大变化为1：1结合V
CC
.
4.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-1.3 V.
5.所有的输入和输出引脚开路。
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7.不要使用V
BB
作为参考电压在V操作设备时，单端PECL信号
CC
V
EE
＆ LT ; 3.0 V.
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4
NB6L16
表5. DC特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注10 ）
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
负电源电流（注11 ）
输出高电压（注12 ）
输出低电压（注12 ）
民
10
2150
1365
40°C
典型值
12
2250
1525
最大
18
2350
1670
民
10
2200
1430
25°C
典型值
12
2300
1565
最大
18
2400
1720
民
10
2250
1490
85°C
典型值
12
2350
1625
最大
18
2450
1770
单位
mA
mV
mV
差分输入单端驱动
（图10，图12）
V
th
V
IH
V
IL
V
BB
输入阈值电压参考
范围（注8 ）
单端输入高电压
单端输入低电压
输出电压参考值
1125
V
th
+75
V
EE
1880
1980
V
CC
75
V
CC
V
th
75
2070
1125
V
th
+75
V
EE
1880
1980
V
CC
75
V
CC
V
th
75
2070
1125
V
th
+75
V
EE
1880
1980
V
CC
75
V
CC
V
th
75
2070
mV
mV
mV
mV
差分输入差分驱动
（图11 ，13）
V
IHD
V
ILD
V
CMR
差分输入高电压
差分输入低电压
输入共模范围
（差分交叉点电压）
（注9 ）
差分输入电压（V
IHD
V
ILD
)
输入高电流
输入低电平电流
D
D
D
D
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
mV
mV
mV
V
ID
I
IH
I
IL
75
75
75
mV
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8. V
th
在单端模式下操作时被施加到所述互补输入。
9. V
CMR
最小变化1： 1结合V
EE
, V
CMR
最大变化为1：1结合V
CC
.
10.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.925 V至-0.5 V.
11.所有输入和输出引脚开路。
12.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
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5
NB6L16
2.5V / 3.3V多级输入到
差分LVPECL / LVNECL
时钟或数据
接收器/驱动器/转换器
卜FF器
该NB6L16是一款高精度，低功耗ECL差分时钟
或数据接收器/驱动器/翻译器缓存。该装置在功能上
相当于EL16 ， EP16 ， LVEL16和NBSG16设备。同
70 ps输出的过渡时期，它非常适合于高频，
低功率的系统。该设备是针对背板缓冲，
千兆以太网的时钟/数据分配，光纤信道分配和SONET
时钟/数据分配应用。
输入接受LVNECL （负ECL ） ， LVPECL （正ECL ）
LVTTL ， LVCMOS ， CML或LVDS 。输出为800毫伏
ECL信号。
在V
BB
销，内部产生的电源电压，提供给
仅此设备。对于单端输入条件，未使用
差动输入被连接到V
BB
作为切换基准电压。
V
BB
还可以rebias AC耦合输入。在使用时，去耦V
BB
和V
CC
通过一个0.01 μF的电容和限制电流供应或吸收
0.5毫安。当不使用时，V
BB
应由开放。
最大输入时钟频率
w
6 GHz的典型
最大输入数据速率频率
w
6 Gb / s的典型
低12毫安典型电源电流
70 ps的典型的上升/下降时间
130 ps的输入传输延迟
片内参考ECL单端输入 - V
BB
产量
PECL模式经营范围：
V
CC
= 2.375 V至3.465 V与V
EE
= 0 V
NECL模式经营范围：
V
CC
= 0 V与V
EE
= -2.375 V至-3.465 V
打开输入默认状态
LVDS ， LVPECL ， LVNECL ， LVCMOS ， LVTTL和CML输入
兼容
无铅包可用
8
1
SOIC8
后缀
CASE 751
1
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记号
DIAGRAMS *
8
6L16
ALYW
8
1
TSSOP8
DT后缀
CASE 948R
A
L
Y
W
8
6L16
ALYW
1
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
*有关其他标识信息，请参阅
应用笔记AND8002 / D 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第10页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年9月 - 第4版
出版订单号：
NB6L16/D
NB6L16
V
CC
NC
1
8
R2
D
2
R1
R1
R2
7
Q
D
3
6
Q
V
BB
4
5
V
EE
图1.引脚（顶视图）和逻辑图
表1.引脚说明
针
1
2
名字
NC
D
I / O
LVDS ， CML ， LVPECL ，
LVNECL ， LVTTL ， LVCMOS
输入
LVDS ， CML ， LVPECL ，
LVNECL ， LVTTL ， LVCMOS
输入
ECL输出
ECL输出
默认状态
低
描述
无连接。 NC表示电连接到芯片，必须
悬空。
非反相差分时钟/数据输入。内部75千瓦到V
CC
和
37.5千瓦到V
EE
.
倒差分时钟/数据输入。内部37.5千瓦到V
CC
和75千瓦
到V
EE
.
内部产生的ECL基准电压源。
负电源电压。
倒差分ECL输出。通常情况下终止50
W
电阻器
到V
CC
– 2.0 V.
非反相的差分ECL输出。通常情况下终止50
W
电阻TO V
CC
– 2.0 V.
正电源电压。
3
D
高
4
5
6
7
8
V
BB
V
EE
Q
Q
V
CC
表2. ATTRIBUTES
特征
内部输入默认状态电阻
内部输入默认状态电阻
ESD保护
(R1)
(R2)
人体模型
机器型号
带电器件模型
价值
37.5千瓦
75千瓦
＆ GT ; 2千伏
＆ GT ; 100 V
＆ GT ; 1千伏
LEVEL 1
UL 94 V - 0 @ 1.125在
167
湿气敏感度，不定超时Drypack （注1 ）
可燃性等级
晶体管数量
符合或超过JEDEC规格EIA / JESD78 IC闭锁测试
1.有关更多信息，请参见应用笔记AND8003 / D 。
氧指数：28 34
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2
NB6L16
表3.最大额定值
符号
V
CC
V
EE
V
I
I
OUT
V
INPP
I
BB
T
A
T
英镑
q
JA
q
JC
q
JA
q
JC
T
SOL
参数
PECL模式电源
NECL模式电源
PECL模输入电压
C
ODE
ü 年龄
NECL模输入电压
输出电流
差分输入电压
V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
热阻（结到环境）
热阻（结到外壳）
波峰焊
标准
无铅
0 LFPM
500 LFPM
标准局
0 LFPM
500 LFPM
标准局
v
3秒@ 248℃
v
3秒@ 260℃
SOIC8
SOIC8
SOIC8
TSSOP8
TSSOP8
TSSOP8
|D D|
条件1
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
V
EE
= 0 V
V
CC
= 0 V
连续
浪涌
V
CC
V
EE
w
2.8 V
V
CC
V
EE
t
2.8 V
V
I
v
V
CC
V
I
w
V
EE
条件2
等级
3.6
3.6
36
3.6
3.6
25
50
2.8
|V
CC
V
EE
|
±
0.5
-40至+85
-65到+150
190
130
41至44
185
140
41至44
265
265
单位
s
V
V
V
V
mA
mA
V
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
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3
NB6L16
表4.直流特性， PECL
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= 0 V （注4 ）
40°C
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
负电源电流（注5 ）
输出高电压（注6 ）
输出低电压（注6 ）
民
10
1350
565
典型值
12
1450
725
最大
18
1550
870
民
10
1400
630
25°C
典型值
12
1500
765
最大
18
1600
920
民
10
1450
690
85°C
典型值
12
1550
825
最大
18
1650
970
单位
mA
mV
mV
差分输入单端驱动
（图10，图12）
V
th
V
IH
V
IL
输入阈值电压参考
范围（注2,7）
单端输入高电压
单端输入低电压
1125
V
th
+75
V
EE
V
CC
75
V
CC
V
th
75
1125
V
th
+75
V
EE
V
CC
75
V
CC
V
th
75
1125
V
th
+75
V
EE
V
CC
75
V
CC
V
th
75
mV
mV
mV
差分输入差分驱动
（图11 ，13）
V
IHD
V
ILD
V
CMR
差分输入高电压
差分输入低电压
输入共模范围
（差分交叉点电压）
（注3）
差分输入电压（V
IHD
V
ILD
)
输入高电流
输入低电平电流
D
D
D
D
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
mV
mV
mV
V
ID
I
IH
I
IL
75
75
75
mV
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
2. V
th
在单端模式下操作时被施加到所述互补输入。
3. V
CMR
最小变化1： 1结合V
EE
, V
CMR
最大变化为1：1结合V
CC
.
4.输入和输出参数发生变化1 ： 1与V
CC
. V
EE
可以改变0.125 V至-1.3 V.
5.所有的输入和输出引脚开路。
6.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
7.不要使用V
BB
作为参考电压在V操作设备时，单端PECL信号
CC
V
EE
＆ LT ; 3.0 V.
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4
NB6L16
表5. DC特性， PECL
V
CC
= 3.3 V, V
EE
= 0 V （注10 ）
符号
I
EE
V
OH
V
OL
特征
负电源电流（注11 ）
输出高电压（注12 ）
输出低电压（注12 ）
民
10
2150
1365
40°C
典型值
12
2250
1525
最大
18
2350
1670
民
10
2200
1430
25°C
典型值
12
2300
1565
最大
18
2400
1720
民
10
2250
1490
85°C
典型值
12
2350
1625
最大
18
2450
1770
单位
mA
mV
mV
差分输入单端驱动
（图10，图12）
V
th
V
IH
V
IL
V
BB
输入阈值电压参考
范围（注8 ）
单端输入高电压
单端输入低电压
输出电压参考值
1125
V
th
+75
V
EE
1880
1980
V
CC
75
V
CC
V
th
75
2070
1125
V
th
+75
V
EE
1880
1980
V
CC
75
V
CC
V
th
75
2070
1125
V
th
+75
V
EE
1880
1980
V
CC
75
V
CC
V
th
75
2070
mV
mV
mV
mV
差分输入差分驱动
（图11 ，13）
V
IHD
V
ILD
V
CMR
差分输入高电压
差分输入低电压
输入共模范围
（差分交叉点电压）
（注9 ）
差分输入电压（V
IHD
V
ILD
)
输入高电流
输入低电平电流
D
D
D
D
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
150
150
1200
V
EE
1163
V
CC
V
CC
75
V
CC
38
2500
50
10
5
30
150
150
mV
mV
mV
V
ID
I
IH
I
IL
75
75
75
mV
mA
mA
注：设备将符合规格的热平衡成立后安装在一个测试插座或印刷电路时
板维持横向气流大于500 LFPM 。电气参数仅在声明保证
工作温度范围。设备超过这些条件的功能操作不暗示。设备规格限制
值是在正常操作条件分别施加和不同时有效。
8. V
th
在单端模式下操作时被施加到所述互补输入。
9. V
CMR
最小变化1： 1结合V
EE
, V
CMR
最大变化为1：1结合V
CC
.
10.输入和输出参数的变化1： 1结合V
CC
. V
EE
可以改变0.925 V至-0.5 V.
11.所有输入和输出引脚开路。
12.所有装载50
W
到V
CC
2.0 V.
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