NCP5355
12 V同步降压
功率MOSFET驱动器
的NCP5355是优化的，以驱动双MOSFET的栅极驱动器
高端和低端功率MOSFET的一个同步门
降压转换器。该NCP5355是一个很好的伴侣
多相控制器不具有集成的栅极驱动器，如
安森美半导体的NCP5314或NCP5316 。这种架构
通过能够提供电源设计者有更大的灵活性
定位接近MOSFET的栅极驱动器。
驱动的MOSFET具有12 V电源，而不是一个5.0 V可
显著降低导通损耗。优化的内部，自适应
非重叠电路进一步降低，防止了开关损耗
同时导通两个MOSFET的。
浮动顶部驱动程序的设计可以容纳MOSFET的漏极
这两个门输出可以驱动为低电平电压高达26 V.
施加低逻辑电平，以使能（EN ）引脚。欠压
锁定功能确保两个驱动器输出低电平时，
电源电压低，热关断功能提供了
IC具有过热保护功能。
该NCP5355具有相同的引脚排列与NCP5351 5.0 V
栅极驱动器。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
1
8
8
1
SO- 8 EP
后缀
CASE 751AC
1
5355
ALYW
5355
ALYW
8.0 V - 14 V门极驱动能力
2.0 A峰值驱动电流
上升和下降时间< 15 ns典型为3300 pF的
从输入传输延迟到输出< 30纳秒
自适应非重叠时间优化的大功率MOSFET
浮顶驱可容纳应用程序多达26 V
欠压锁定，以防止切换时的输入
电压是低
热关断保护，防止过热
TG至DRN下拉电阻防止高压电源诱导
开启高端MOSFET的
BG到PGND下拉电阻防止瞬时接通的
底部MOSFET
内置自举二极管减少了部件数量和总
解决方案的成本
A
L
Y
W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
DRN
TG
BST
CO
1
8
保护地
BG
V
S
EN
订购信息
设备
NCP5355D
NCP5355DR2
NCP5355PDR2
包
SO8
SO8
SO- 8 EP
航运
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 修订版6
出版订单号：
NCP5355/D
NCP5355
5V
V
S
5 V稳压器
5V
过温。
关闭
5V
5V
V
S
5V
+
电平转换
司机
UVLO
8.0/7.0 V
5V
非重叠
30纳秒
5V
CO
5V
2.0
mA
EN
非重叠
30纳秒
5V
5V
5V
电平转换
司机
BG
V
S
V
S
20 k
30 k
30 k
20 k
100 k
DRN
TG
5V
BST
保护地
5V
图1.框图
封装引脚说明
针
1
引脚符号
DRN
描述
常见的高侧和低侧FET的交换节点。高侧（ TG）的驱动程序，并
电源（ BST ）被引用到该引脚。
驱动器输出的高侧MOSFET的栅极。
自举电源电压输入。在与内部二极管到V结合
S
, a 0.1
mF
to
1.0
mF
陶瓷电容器连接的BST和DRN之间产生的电源电压为
该高边驱动器（TG） 。
逻辑电平控制输入产生互补输出状态 - 没有反转的TG ;
反转的BG 。
逻辑电平使能输入力TG和低血糖当EN为低。当EN为高电平（5.0V ） ，
正常运行随之而来。无连接的默认EN高。注：最大的高投入为5.0 V.
电源输入。 A 0.1
mF
1.0
mF
陶瓷电容应该从这个引脚连接
至PGND 。
驱动器输出到低侧（同步整流） MOSFET的栅极。
地面上。
2
3
TG
BST
4
CO
5
EN
6
V
S
BG
保护地
7
8
http://onsemi.com
2
NCP5355
最大额定值
等级
工作结温，T
J
封装热阻： SO- 8
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
封装热阻： SO- 8 EP
结到环境，R
qJA
（注2 ）
存储温度范围，T
S
焊接温度焊接：回流焊： （ SMD风格只） （注1 ）
JEDEC湿度敏感度
价值
内部限制
45
165
50
-65到150
230峰
1
单位
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
注：此设备ESD敏感。操作时，请使用标准的ESD防护措施。
最上面的183℃ 1. 60秒。
2.等级适用于当焊接到PCB上的适当的热区。
最大额定值
引脚符号
V
S
BST
DRN
引脚名称
主电源电压输入
自举电源电压
输入
开关节点
（自举电源回路）
高边驱动器输出
（门顶）
低边驱动器输出
（底栅）
TG和BG控制输入
使能输入
地
V
最大
15 V
30 V WRT /地线
15 V WRT / DRN
26 V
V
民
0.3 V
0.3 V WRT / DRN
-1.0 V DC
-5.0 V为100纳秒
-6.0 V 20纳秒
0.3 V WRT / DRN
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0V
I
来源
NA
NA
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
I
SINK
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
NA
TG
BG
CO
EN
保护地
注意：
30 V WRT /地线
15 V WRT / DRN
15 V
5.5 V
5.5 V
0V
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
NA
所有的电压都是相对于地线，除非另有说明。
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3
NCP5355
电气特性
（注3） （0°C <牛逼
J
< 125°C ; 9.2 V < V
S
<13.2 V ; 9.2 V < V
BST
< 26 V ; V
EN
=浮动;
C
负载
= 3.3 nF的;除非另有说明）。
参数
DC操作规范
电源
V
S
静态电流，工作
V
BST
静态电流，工作
欠压锁定
启动阈值
停止阈值
迟滞
CO输入特性
高门槛
低门槛
输入偏置电流
EN输入特性
高门槛
低门槛
输入偏置电流
热关断
超温跳闸点
迟滞
高侧驱动器
峰值输出电流
输出电阻（采购）
注4
占空比< 2.0 ％ ，脉冲宽度< 100
女士，
T
J
= 125°C ，V
BST
V
DRN
= 12 V,
V
TG
= 10 V + V
DRN
占空比< 2.0 ％ ，脉冲宽度< 100
女士，
T
J
= 125°C ，V
BST
V
DRN
= 12 V,
V
TG
= 2.0 V + V
DRN
2.0
1.0
A
W
注4
注4
150
170
20
°C
°C
两个输出响应CO
两路输出低CO独立
0℃， V
EN
< 5.0 V
2.0
7.0
3.0
0.8
+2.0
V
V
mA
0℃， V
CO
< 5.0 V
2.0
0
0.8
1.0
V
V
mA
V
CO
= 0 V
V
CO
= 0 V
V
CO
= 0 V
7.0
6.0
0.70
8.0
7.0
1.00
9.2
8.0
1.60
V
V
V
V
CO
= 0 V或4.5 V ;无输出切换
V
CO
= 0 V或4.5 V ;无输出切换
1.0
3.8
2.0
5.0
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
输出电阻（沉没）
1.0
W
低侧驱动器
峰值输出电流
输出电阻（采购）
输出电阻（沉没）
电荷泵二极管
正向电压降
I
D
= 100毫安
1.1
1.4
V
注4
占空比< 2.0 ％ ，脉冲宽度< 100
女士，
T
J
= 125°C ，V
S
= 12 V, V
BG
= 10 V
占空比< 2.0 ％ ，脉冲宽度< 100
女士，
T
J
= 125°C ，V
S
= 12 V, V
BG
= 2.0 V
2.0
1.1
1.0
A
W
W
3.所有的极限温度下通过鉴定采用标准统计质量控制方法保证。
4.通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
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4
NCP5355
电气特性
（注5 ） （0°C <牛逼
J
< 125°C ; 9.2 V < V
S
<13.2 V ; 9.2 V < V
BST
< 26 V ; V
EN
=浮动;
C
负载
= 3.3 nF的;除非另有说明）。
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
AC操作规范
高侧驱动器
上升时间
下降时间
传播延迟时间，
TG变高
（非重叠时间）
传播延迟时间，
TG走出低
低侧驱动器
上升时间
下降时间
传播延迟时间，
BG变高
（非重叠时间）
传播延迟时间，
BG走出低
tr
BG
tf
BG
tPDH时间
BG
（注6 ）
（注6 ）
（注6 ）
15
10
10
30
20
20
55
ns
ns
ns
tr
TG
tf
TG
tPDH时间
TG
V
BST
V
DRN
= 12 V, V
S
= 12 V （注6 ）
V
BST
V
DRN
= 12 V, V
S
= 12 V （注6 ）
V
BST
V
DRN
= 12 V, V
S
= 12 V （注6 ）
15
15
15
30
25
25
55
ns
ns
ns
保持tPDL
TG
V
BST
V
DRN
= 12 V, V
S
= 12 V （注6 ）
45
60
ns
保持tPDL
BG
（注6 ）
35
55
ns
5.所有的极限温度下通过鉴定采用标准统计质量控制方法保证。
6. AC规格是由特性保证，而不是100 ％生产测试。
V
CO
保持tPDL
BG
保持tPDL
TG
tf
TG
V
TG
V
DRN
tr
TG
tPDH时间
TG
（非重叠）
V
BG
tf
BG
tr
BG
tPDH时间
BG
（非重叠）
V
DRN
5.0 V
图2.时序图
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5
NCP5355
12 V同步降压
功率MOSFET驱动器
的NCP5355是优化的，以驱动双MOSFET的栅极驱动器
高端和低端功率MOSFET的一个同步门
降压转换器。该NCP5355是一个很好的伴侣
多相控制器不具有集成的栅极驱动器，如
安森美半导体的NCP5314或NCP5316 。这种架构
通过能够提供电源设计者有更大的灵活性
定位接近MOSFET的栅极驱动器。
驱动的MOSFET具有12 V电源，而不是一个5.0 V可
显著降低导通损耗。优化的内部，自适应
非重叠电路进一步降低，防止了开关损耗
同时导通两个MOSFET的。
浮动顶部驱动程序的设计可以容纳MOSFET的漏极
这两个门输出可以驱动为低电平电压高达26 V.
施加低逻辑电平，以使能（EN ）引脚。欠压
锁定功能确保两个驱动器输出低电平时，
电源电压低，热关断功能提供了
IC具有过热保护功能。
该NCP5355具有相同的引脚排列与NCP5351 5.0 V
栅极驱动器。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
8
8
1
SO8
后缀
CASE 751
1
8
8
1
SO- 8 EP
后缀
CASE 751AC
1
5355
ALYW
5355
ALYW
8.0 V - 14 V门极驱动能力
2.0 A峰值驱动电流
上升和下降时间< 15 ns典型为3300 pF的
从输入传输延迟到输出< 30纳秒
自适应非重叠时间优化的大功率MOSFET
浮顶驱可容纳应用程序多达26 V
欠压锁定，以防止切换时的输入
电压是低
热关断保护，防止过热
TG至DRN下拉电阻防止高压电源诱导
开启高端MOSFET的
BG到PGND下拉电阻防止瞬时接通的
底部MOSFET
内置自举二极管减少了部件数量和总
解决方案的成本
A
L
Y
W
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
引脚连接
DRN
TG
BST
CO
1
8
保护地
BG
V
S
EN
订购信息
设备
NCP5355D
NCP5355DR2
NCP5355PDR2
包
SO8
SO8
SO- 8 EP
航运
98单位/铁
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
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2004年6月 - 修订版6
出版订单号：
NCP5355/D
NCP5355
5V
V
S
5 V稳压器
5V
过温。
关闭
5V
5V
V
S
5V
+
电平转换
司机
UVLO
8.0/7.0 V
5V
非重叠
30纳秒
5V
CO
5V
2.0
mA
EN
非重叠
30纳秒
5V
5V
5V
电平转换
司机
BG
V
S
V
S
20 k
30 k
30 k
20 k
100 k
DRN
TG
5V
BST
保护地
5V
图1.框图
封装引脚说明
针
1
引脚符号
DRN
描述
常见的高侧和低侧FET的交换节点。高侧（ TG）的驱动程序，并
电源（ BST ）被引用到该引脚。
驱动器输出的高侧MOSFET的栅极。
自举电源电压输入。在与内部二极管到V结合
S
, a 0.1
mF
to
1.0
mF
陶瓷电容器连接的BST和DRN之间产生的电源电压为
该高边驱动器（TG） 。
逻辑电平控制输入产生互补输出状态 - 没有反转的TG ;
反转的BG 。
逻辑电平使能输入力TG和低血糖当EN为低。当EN为高电平（5.0V ） ，
正常运行随之而来。无连接的默认EN高。注：最大的高投入为5.0 V.
电源输入。 A 0.1
mF
1.0
mF
陶瓷电容应该从这个引脚连接
至PGND 。
驱动器输出到低侧（同步整流） MOSFET的栅极。
地面上。
2
3
TG
BST
4
CO
5
EN
6
V
S
BG
保护地
7
8
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2
NCP5355
最大额定值
等级
工作结温，T
J
封装热阻： SO- 8
结到外壳，R
QJC
结到环境，R
qJA
封装热阻： SO- 8 EP
结到环境，R
qJA
（注2 ）
存储温度范围，T
S
焊接温度焊接：回流焊： （ SMD风格只） （注1 ）
JEDEC湿度敏感度
价值
内部限制
45
165
50
-65到150
230峰
1
单位
°C
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
注：此设备ESD敏感。操作时，请使用标准的ESD防护措施。
最上面的183℃ 1. 60秒。
2.等级适用于当焊接到PCB上的适当的热区。
最大额定值
引脚符号
V
S
BST
DRN
引脚名称
主电源电压输入
自举电源电压
输入
开关节点
（自举电源回路）
高边驱动器输出
（门顶）
低边驱动器输出
（底栅）
TG和BG控制输入
使能输入
地
V
最大
15 V
30 V WRT /地线
15 V WRT / DRN
26 V
V
民
0.3 V
0.3 V WRT / DRN
-1.0 V DC
-5.0 V为100纳秒
-6.0 V 20纳秒
0.3 V WRT / DRN
0.3 V
0.3 V
0.3 V
0V
I
来源
NA
NA
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
I
SINK
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
NA
TG
BG
CO
EN
保护地
注意：
30 V WRT /地线
15 V WRT / DRN
15 V
5.5 V
5.5 V
0V
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
2.0 A峰值（ < 100
女士）
250毫安DC
1.0毫安
1.0毫安
NA
所有的电压都是相对于地线，除非另有说明。
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3
NCP5355
电气特性
（注3） （0°C <牛逼
J
< 125°C ; 9.2 V < V
S
<13.2 V ; 9.2 V < V
BST
< 26 V ; V
EN
=浮动;
C
负载
= 3.3 nF的;除非另有说明）。
参数
DC操作规范
电源
V
S
静态电流，工作
V
BST
静态电流，工作
欠压锁定
启动阈值
停止阈值
迟滞
CO输入特性
高门槛
低门槛
输入偏置电流
EN输入特性
高门槛
低门槛
输入偏置电流
热关断
超温跳闸点
迟滞
高侧驱动器
峰值输出电流
输出电阻（采购）
注4
占空比< 2.0 ％ ，脉冲宽度< 100
女士，
T
J
= 125°C ，V
BST
V
DRN
= 12 V,
V
TG
= 10 V + V
DRN
占空比< 2.0 ％ ，脉冲宽度< 100
女士，
T
J
= 125°C ，V
BST
V
DRN
= 12 V,
V
TG
= 2.0 V + V
DRN
2.0
1.0
A
W
注4
注4
150
170
20
°C
°C
两个输出响应CO
两路输出低CO独立
0℃， V
EN
< 5.0 V
2.0
7.0
3.0
0.8
+2.0
V
V
mA
0℃， V
CO
< 5.0 V
2.0
0
0.8
1.0
V
V
mA
V
CO
= 0 V
V
CO
= 0 V
V
CO
= 0 V
7.0
6.0
0.70
8.0
7.0
1.00
9.2
8.0
1.60
V
V
V
V
CO
= 0 V或4.5 V ;无输出切换
V
CO
= 0 V或4.5 V ;无输出切换
1.0
3.8
2.0
5.0
mA
mA
测试条件
民
典型值
最大
单位
输出电阻（沉没）
1.0
W
低侧驱动器
峰值输出电流
输出电阻（采购）
输出电阻（沉没）
电荷泵二极管
正向电压降
I
D
= 100毫安
1.1
1.4
V
注4
占空比< 2.0 ％ ，脉冲宽度< 100
女士，
T
J
= 125°C ，V
S
= 12 V, V
BG
= 10 V
占空比< 2.0 ％ ，脉冲宽度< 100
女士，
T
J
= 125°C ，V
S
= 12 V, V
BG
= 2.0 V
2.0
1.1
1.0
A
W
W
3.所有的极限温度下通过鉴定采用标准统计质量控制方法保证。
4.通过设计保证，而不是100 ％生产测试。
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NCP5355
电气特性
（注5 ） （0°C <牛逼
J
< 125°C ; 9.2 V < V
S
<13.2 V ; 9.2 V < V
BST
< 26 V ; V
EN
=浮动;
C
负载
= 3.3 nF的;除非另有说明）。
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
AC操作规范
高侧驱动器
上升时间
下降时间
传播延迟时间，
TG变高
（非重叠时间）
传播延迟时间，
TG走出低
低侧驱动器
上升时间
下降时间
传播延迟时间，
BG变高
（非重叠时间）
传播延迟时间，
BG走出低
tr
BG
tf
BG
tPDH时间
BG
（注6 ）
（注6 ）
（注6 ）
15
10
10
30
20
20
55
ns
ns
ns
tr
TG
tf
TG
tPDH时间
TG
V
BST
V
DRN
= 12 V, V
S
= 12 V （注6 ）
V
BST
V
DRN
= 12 V, V
S
= 12 V （注6 ）
V
BST
V
DRN
= 12 V, V
S
= 12 V （注6 ）
15
15
15
30
25
25
55
ns
ns
ns
保持tPDL
TG
V
BST
V
DRN
= 12 V, V
S
= 12 V （注6 ）
45
60
ns
保持tPDL
BG
（注6 ）
35
55
ns
5.所有的极限温度下通过鉴定采用标准统计质量控制方法保证。
6. AC规格是由特性保证，而不是100 ％生产测试。
V
CO
保持tPDL
BG
保持tPDL
TG
tf
TG
V
TG
V
DRN
tr
TG
tPDH时间
TG
（非重叠）
V
BG
tf
BG
tr
BG
tPDH时间
BG
（非重叠）
V
DRN
5.0 V
图2.时序图
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