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初步
数据表
N0601N
N沟道MOSFET的切换
描述
R07DS0557EJ0100
Rev.1.00
2011年11月7日
该N0601N是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
特点
低通态电阻
R
DS （ON
)
= 4.2 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A)
低输入电容
C
国际空间站
= 7730 pF的典型。 （V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V)
HIGH CURRENT
I
D（ DC）的
= ±100 A
符合RoHS
订购信息
产品型号
N0601N-ZK-E1-AY
1
N0601N-ZK-E2-AY
1
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
TAPE
800 P /卷
包
TO-263
1.39克TYP 。
注意：
1.无Pb （此产品不包含铅，在外部电极）。
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接）
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
1
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
2
单雪崩能量
2
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
评级
60
±20
±100
±400
156
1.5
150
55
to
+150
55
300
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
热阻
渠道情况（漏）热阻
2
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
0.80
83.3
° C / W
° C / W
注意事项：
1. PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.起始物为
ch
= 25 ° C，R
G
= 25
Ω,
V
DD
= 30 V, V
GS
= 20
→
0 V，L = 100
μ
H
R07DS0557EJ0100 Rev.1.00
2011年11月7日
第1页6
N0601N
章标题
电气特性（T
A
= 25 ° C，所有的终端连接）
项
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
栅极到源截止电压
正向转移导纳
1
漏极至源极导通状态
1
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
1
反向恢复时间
反向恢复电荷
注：1，脉冲
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
Ω
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
分钟。
典型值。
2.0
35
3.3
7730
560
290
35
12
76
14
133
38
38
马克斯。
1
±100
4.0
4.2
单位
μ
A
nA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试条件
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 50 A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 30 V，I
D
= 50 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 0
Ω
V
DD
= 48 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 100 A
I
F
= 100 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 50 A，V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
μ
s
1.5
44
61
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
R
L
V
DD
V
GS
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
V
DS
90%
90%
10%
10%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
μ
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
R07DS0557EJ0100 Rev.1.00
2011年11月7日
第2 6
N0601N
章标题
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置安全的降额因子
工作区
总功耗对比
外壳温度
140
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
200
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
150
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
T
C
- 外壳温度 -
°C
1000
R
DS （ ON）
有限
I
D
- 漏电流 - 一个
PW = 300微秒
1毫秒
10毫秒
100
10
功耗有限公司
1
T
C
= 25°C
单脉冲
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
单脉冲
100
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
10
R
TH（ CH-C ）
= 0.80 ° C / W
1
0.1
0.01
0.1 m
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
R07DS0557EJ0100 Rev.1.00
2011年11月7日
第3页6
N0601N
漏电流与
漏源极电压
章标题
正向传递特性
400
V
GS
= 10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
I
D
- 漏电流 - 一个
300
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
200
100
脉冲
0
V
DS
= 10 V
脉冲
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
门源截止电压主场迎战
通道温度
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
远期转移导纳主场迎战漏
当前
4
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
100
3
10
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
2
1
1
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
= 10 V
I
D
= 1.0毫安
-50
0
50
100
150
0
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
10
V
GS
= 10 V
8
6
4
2
脉冲
0
1
10
100
1000
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
I
D
= 50 A
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R07DS0557EJ0100 Rev.1.00
2011年11月7日
第4 6
N0601N
漏极至源极导通电阻
与通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
章标题
电容与漏源极电压
8
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
100000
6
10000
C
国际空间站
4
1000
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
100
0.01
0.1
1
C
OSS
2
V
GS
= 10 V
I
D
= 50 A
脉冲
-50
0
50
100
150
C
RSS
10
100
0
T
ch
- 通道温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
动态输入特性
1000
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
14
t
f
t
D（关闭）
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
12
10
8
6
4
2
0
I
D
= 100 A
0
20
40
60
80
100
120
140
V
DD
= 12 V
30 V
48 V
100
t
D（上）
10
t
r
V
DD
= 30 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
1
10
100
1
0.1
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间对比
二极管的正向电流
1000
V
GS
= 10 V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
100
100
10
1
0.1
脉冲
0.01
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0V
10
V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A / μs的
1
0.1
1
10
100
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
R07DS0557EJ0100 Rev.1.00
2011年11月7日
分页： 5 6
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    联系人：杨小姐
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    N0601N
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