NCP370
引脚功能说明
针
1, 2
名字
IN
TYPE
动力
描述
输入电压引脚。这些引脚被连接到电源。 A 1
mF
低ESR陶瓷电容，或
大时，必须连接这些引脚之间和GND 。两人在引脚必须物理连接到共同的
供应量。
主接地
保留引脚。该引脚必须连接到GND 。
保留引脚。该引脚必须连接到GND 。
保留引脚。该引脚必须连接到GND 。
电流限制引脚。该引脚提供参考，根据内部带隙电压基准，以
限制过流，整个内部N - MOSFET的，从电池到外部附件。 1％的容差，
或更好，电阻器将用于获取的过流限制的最高准确度。
反向充电控制引脚。在DIR结合，内部N - MOSFET的导通，如果电池
施加在OUT引脚（见表1 & 2）。在反向模式中，内部过电流保护是
激活。当反向模式被禁止，则NCP370的电流消耗，进入OUT引脚，是大幅度地
减少限制电池放电。
直接模式引脚。与REV结合，内部N - MOSFET的导通，如果一个墙上适配器
AC-DC被施加到IN端子（参见表1 & 2）。该器件进入关断模式时，该引脚
被绑定到一个较高的水平和倒放引脚连接到高电平。在这种情况下，输出从输入断开。
该引脚的状态并没有对故障的影响，检测FLAG引脚。
故障指示引脚。该引脚允许外部系统检测到故障状态。该引脚变为低电平时，
输入电压超过低于UVLO阈值OVLO阈值或下降时，充电电流从电池
附件超过电流限制或内部温度超过热关断限制。由于销是
开漏输出功能，外接上拉电阻，以VBAT必须添加（ 10千瓦最小值） 。
输出电压引脚。该引脚遵循针时“没有输入错误”检测。输出断开
从V
IN
电源在输入电压低于UVLO阈值或高于OVLO阈值
或热关断限是exceeded.In反向模式中，该设备在整个OUT引脚提供。
没有连接
该PAD1用于耗散内部MOSFET热能和必须焊接到分离的
PCB面积。该区域不能连接到任何其他潜在的较完整弧之一。看到PCB
第9页上的建议。
3
4
5
6
7
GND
水库
水库
水库
ILIM
动力
输入
输入
输入
产量
8
转
输入
9
DIR
输入
10
旗
产量
11
OUT
产量
12
13
NC
PAD1
NC
动力
最大额定值
等级
最低电压（IN到GND）
最低电压（所有其他人GND）
最大电压（IN到GND）
最大电压（ OUT到GND）
最大电压（所有其他人GND）
热阻，结到空气， （注1 ）
工作环境温度范围
存储温度范围
结工作温度
ESD耐受电压（ IEC 61000-4-2 ）
人体模型（ HBM ） ，型号= 2 ， （注2 ）
机器模型（ MM ）型号= B ， （注3 ）
湿气敏感度
符号
VMIN
in
VMIN
VMAX
in
VMAX
OUT
VMAX
R
qJA
T
A
T
英镑
T
J
VESD
价值
30
0.3
30
10
7
200
40
+85
65
+150
150
15kV空气， 8kV接触
2000V
200V
LEVEL 1
单位
V
V
V
V
V
° C / W
°C
°C
°C
kV
V
V
MSL
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.第r
qJA
高度依赖于PCB的散热区（连接到PAD1 ） 。看到PCB推荐款。
2.人体模型， 100pF的通过一个1.5千瓦的电阻以下规范JESD22 / A114出院。
3.机器型号， 200 pF的通过所有引脚以下规格JESD22 / A115出院。
http://onsemi.com
3
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