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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第38页 > NCP4420DR2
NCP4420 , NCP4429
6高速MOSFET
DRIVERS
该NCP4420 / NCP4429是6 A(峰值) ,单路输出, MOSFET
驱动程序。的NCP4429是一个反相驱动器,而NCP4420是一个
非反相驱动器。这些驱动程序在制造CMOS的低
动力和更高效的操作与双极驱动程序。
这两个驱动程序都兼容TTL输入,可作为驱动
高达VDD + 0.3 V或不心烦或损坏低至-5 V
装置。这消除了对外部电平移位电路
和其相关联的成本和尺寸。输出摆幅为轨到轨
确保更好的驱动电压裕量,尤其是在电力
开/关机顺序。传输时延时间仅为55纳秒
(典型值) ,输出上升和下降时间仅为25纳秒(典型值)转换成
2500 pF的整个可用的电源电压范围。
不像其他的驱动程序,该NCP4420 / NCP4429几乎闩锁
证明。它们可以取代保存三个或更多个分立元件
PCB面积,成本和提高整个系统的可靠性。
特点
http://onsemi.com
记号
8
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
1
8
PDIP–8
P后缀
CASE 626
1
x
YY, Y
WW
X
Z
CO
=设备号( 0或9 )
=年
=工作周
=汇编ID码
=分包商ID代码
=国家的由来
NCP442x
YYWWXZ
CO
NCP
442x
YWWXZ
NCP4420D
NCP4429D
闭锁保护:可承受1.5 A反向输出电流
逻辑输入可承受负电压高达5 V
ESD保护( 4千伏)
匹配的上升和下降时间( 25纳秒)
高峰值输出电流( 6 A峰值)
宽工作电压范围( 4.5 V至18 V )
高容性负载驱动(10,000 pF的)
短延迟时间( 55纳秒典型值)
逻辑高输入,任何电压( 2.4 V至VDD )
低电源电流与逻辑“ 1 ”输入( 450
A)
低输出阻抗( 2.5
)
输出电压摆幅以在地面或VDD的25毫伏
温度范围:-40 ° C至+ 85°C
u
8
1
引脚连接
8引脚SOIC
VDD
输入
NC
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
产量
产量
GND
应用
( TOP VIEW )
开关模式电源
电机控制
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
订购信息
设备
NCP4420DR2
非反相
NCP4429DR2
反相
NCP4420P
非反相
NCP4429P
反相
SO–8
SO–8
PDIP–8
PDIP–8
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年6月 - 修订版0
本站由ICminer.com电子图书馆服务版权所有2003
出版订单号:
NCP4420/D
NCP4420 , NCP4429
功能框图
VDD
500
A
300毫伏
产量
NCP4429
输入
4.7 V
GND
有效
输入
C = 38 pF的
NCP4420
绝对最大额定值*
等级
电源电压
输入电压
价值
+20
-5.0 VDD
50
470
730
毫瓦/°C的
4.0
8.0
-65到+150
+150
-40至+85
+300
°C
°C
°C
°C
单位
V
V
mA
mW
u
VDD )
功耗, TA
v
70°C
输入电流( VIN
SOIC
PDIP
降额因子(到环境)
SOIC
PDIP
存储温度范围, TSTG
工作温度(芯片)
工作温度范围(环境) , TA
焊接温度(焊接, 10秒)
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超过上述“绝对最大额定值”“可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或以上的特定连接的阳离子的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
( TA = + 25°C时具有4.5 V
特征
输入
逻辑1,高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电压范围
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻,高
输出电阻,低
VOH
VOL
ROH
ROL
VIH
VIL
VIN(最大)
IIN
符号
v
VDD
v
18 V时,除非另有规定)。
典型值
最大
单位
2.4
–5.0
–10
1.8
1.3
0.8
VDD +0.3
10
V
V
V
A
测试条件
0V
v
VIN
v
VDD
见图1
见图1
IOUT = 10 mA时,
VDD = 18 V
IOUT = 10 mA时,
VDD = 18 V
VDD -0.025
2.1
1.5
0.025
2.8
2.5
V
V
http://onsemi.com
2
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NCP4420 , NCP4429
特征
产量
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间
(注1 )
上升时间
下降时间
延迟时间1
延迟时间2
电源
电源电流
工作输入电压
1.切换的时间保证了设计。
IS
VDD
VIN = 3.0 V
VIN = 0 V
4.5
0.45
55
1.5
150
18
mA
A
V
tR
tF
tD1
tD2
图1中, CL = 2500 pF的
图1中, CL = 2500 pF的
图1
图1
25
25
55
55
35
35
75
75
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
IPK
IREV
VDD = 18 V
(见图5)
占空比
2%
t
300
s
1.5
6.0
A
A
符号
测试条件
典型值
最大
单位
v
v
电气特性
(测量在工作温度范围内具有4.5 V
指定的。 )
特征
输入
逻辑1,高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电压范围
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻,高
输出电阻,低
开关时间
(注1 )
上升时间
下降时间
延迟时间1
延迟时间2
电源
电源电流
工作输入电压
1.切换的时间保证了设计。
IS
VDD
VIN = 3.0 V
VIN = 0 V
4.5
tR
tF
tD1
tD2
图1中, CL = 2500 pF的
图1中, CL = 2500 pF的
图1
图1
VOH
VOL
ROH
ROL
见图1
见图1
IOUT = 10 mA时,
VDD = 18 V
IOUT = 10 mA时,
VDD = 18 V
VIH
VIL
VIN(最大)
IIN
0V
2.4
–5.0
–10
符号
测试条件
v
VDD
v
18 V时,除非另有
典型值
最大
单位
0.8
VDD +0.3
10
V
V
V
A
v
VIN
v
VDD
VDD -0.025
3.0
2.3
0.025
5.0
5.0
V
V
32
34
50
65
60
60
100
100
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
0.45
60
3.0
400
18
mA
A
V
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3
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NCP4420 , NCP4429
VIL = 18 V
1
F
1
0.1
F
2
6
7
NCP4429
4
5
8
0.1
F
+5 V
输入
0V
+18 V
产量
输入
产量
CL = 2500 pF的
0V
10%
输入: 100 kHz时,方波,
TRISE = TFALL
10纳秒
10%
10%
tD1
90%
tF
tD2
tR
90%
90%
图1.开关时间测试电路
典型特征
120
100
CL = 10,000 pF的
80
时间(纳秒)
时间(纳秒)
60
CL = 4700 pF的
60
CL = 4700 pF的
40
CL = 220 pF的
20
0
20
CL = 220 pF的
100
80
CL = 10,000 pF的
40
5
7
9
Vdd的(V)的
11
13
15
0
5
7
9
Vdd的(V)的
11
13
15
图2.上升时间与电源电压
50
CL = 2200 pF的
VDD = 18 V
100
80
60
图3.下降时间与电源电压
40
VDD = 5 V
时间(纳秒)
30
时间(纳秒)
TFALL
素养
40
VDD = 12 V
20
10
10
1000
容性负载(PF )
20
VDD = 18 V
0
–60
–20
20
的Ta (℃)
60
100
140
10,000
图4.上升和下降时间与温度的关系
图5.上升时间与容性负载
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4
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NCP4420 , NCP4429
典型特征
100
80
65
60
60
DELAY TIME ( NS )
时间(纳秒)
55
50
45
tD1
40
10
1000
容性负载(PF )
35
tD2
40
VDD = 5 V
VDD = 12 V
20
VDD = 18 V
10000
4
6
8
10
12
14
电源电压( V)
16
18
图6.下降时间 - 容性负载
图7.传播延迟时间
vs.Supply电压
84
50
CL = 2200 pF的
VDD = 18 V
tD2
30
tD1
20
VDD = 15 V
电源电流(mA )
70
56
42
500千赫
28
14
0
200千赫
20千赫
40
DELAY TIME ( NS )
10
0
–60
–20
20
的Ta (℃)
60
100
140
0
100
1000
容性负载(PF )
10,000
图8.传播延迟时间
与温度的关系
图9.电源电流 - 容性负载
1000
CL = 220 pF的
电源电流(mA )
18 V
100
10 V
R OUT (
)
5V
5
百毫安
4
10毫安
50毫安
10
3
0
2
0
100
1000
频率(kHz )
10,000
5
7
9
Vdd的(V)的
11
13
15
图10.电源电流与频率的关系
图11.高态输出电阻
http://onsemi.com
5
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NCP4420 , NCP4429
6高速MOSFET
DRIVERS
该NCP4420 / NCP4429是6 A(峰值) ,单路输出, MOSFET
驱动程序。的NCP4429是一个反相驱动器,而NCP4420是一个
非反相驱动器。这些驱动程序在制造CMOS的低
动力和更高效的操作与双极驱动程序。
这两个驱动程序都兼容TTL输入,可作为驱动
高达VDD + 0.3 V或不心烦或损坏低至-5 V
装置。这消除了对外部电平移位电路
和其相关联的成本和尺寸。输出摆幅为轨到轨
确保更好的驱动电压裕量,尤其是在电力
开/关机顺序。传输时延时间仅为55纳秒
(典型值) ,输出上升和下降时间仅为25纳秒(典型值)转换成
2500 pF的整个可用的电源电压范围。
不像其他的驱动程序,该NCP4420 / NCP4429几乎闩锁
证明。它们可以取代保存三个或更多个分立元件
PCB面积,成本和提高整个系统的可靠性。
特点
http://onsemi.com
记号
8
8
1
SO–8
后缀
CASE 751
1
8
PDIP–8
P后缀
CASE 626
1
x
YY, Y
WW
X
Z
CO
=设备号( 0或9 )
=年
=工作周
=汇编ID码
=分包商ID代码
=国家的由来
NCP442x
YYWWXZ
CO
NCP
442x
YWWXZ
NCP4420D
NCP4429D
闭锁保护:可承受1.5 A反向输出电流
逻辑输入可承受负电压高达5 V
ESD保护( 4千伏)
匹配的上升和下降时间( 25纳秒)
高峰值输出电流( 6 A峰值)
宽工作电压范围( 4.5 V至18 V )
高容性负载驱动(10,000 pF的)
短延迟时间( 55纳秒典型值)
逻辑高输入,任何电压( 2.4 V至VDD )
低电源电流与逻辑“ 1 ”输入( 450
A)
低输出阻抗( 2.5
)
输出电压摆幅以在地面或VDD的25毫伏
温度范围:-40 ° C至+ 85°C
u
8
1
引脚连接
8引脚SOIC
VDD
输入
NC
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
产量
产量
GND
应用
( TOP VIEW )
开关模式电源
电机控制
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
订购信息
设备
NCP4420DR2
非反相
NCP4429DR2
反相
NCP4420P
非反相
NCP4429P
反相
SO–8
SO–8
PDIP–8
PDIP–8
航运
2500磁带&卷轴
2500磁带&卷轴
50单位/铁
50单位/铁
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年6月 - 修订版0
出版订单号:
NCP4420/D
NCP4420 , NCP4429
功能框图
VDD
500
A
300毫伏
产量
NCP4429
输入
4.7 V
GND
有效
输入
C = 38 pF的
NCP4420
绝对最大额定值*
等级
电源电压
输入电压
价值
+20
-5.0 VDD
50
470
730
毫瓦/°C的
4.0
8.0
-65到+150
+150
-40至+85
+300
°C
°C
°C
°C
单位
V
V
mA
mW
u
VDD )
功耗, TA
v
70°C
输入电流( VIN
SOIC
PDIP
降额因子(到环境)
SOIC
PDIP
存储温度范围, TSTG
工作温度(芯片)
工作温度范围(环境) , TA
焊接温度(焊接, 10秒)
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超过上述“绝对最大额定值”“可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或以上的特定连接的阳离子的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
( TA = + 25°C时具有4.5 V
特征
输入
逻辑1,高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电压范围
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻,高
输出电阻,低
VOH
VOL
ROH
ROL
VIH
VIL
VIN(最大)
IIN
符号
v
VDD
v
18 V时,除非另有规定)。
典型值
最大
单位
2.4
–5.0
–10
1.8
1.3
0.8
VDD +0.3
10
V
V
V
A
测试条件
0V
v
VIN
v
VDD
见图1
见图1
IOUT = 10 mA时,
VDD = 18 V
IOUT = 10 mA时,
VDD = 18 V
VDD -0.025
2.1
1.5
0.025
2.8
2.5
V
V
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2
NCP4420 , NCP4429
特征
产量
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间
(注1 )
上升时间
下降时间
延迟时间1
延迟时间2
电源
电源电流
工作输入电压
1.切换的时间保证了设计。
IS
VDD
VIN = 3.0 V
VIN = 0 V
4.5
0.45
55
1.5
150
18
mA
A
V
tR
tF
tD1
tD2
图1中, CL = 2500 pF的
图1中, CL = 2500 pF的
图1
图1
25
25
55
55
35
35
75
75
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
IPK
IREV
VDD = 18 V
(见图5)
占空比
2%
t
300
s
1.5
6.0
A
A
符号
测试条件
典型值
最大
单位
v
v
电气特性
(测量在工作温度范围内具有4.5 V
指定的。 )
特征
输入
逻辑1,高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电压范围
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻,高
输出电阻,低
开关时间
(注1 )
上升时间
下降时间
延迟时间1
延迟时间2
电源
电源电流
工作输入电压
1.切换的时间保证了设计。
IS
VDD
VIN = 3.0 V
VIN = 0 V
4.5
tR
tF
tD1
tD2
图1中, CL = 2500 pF的
图1中, CL = 2500 pF的
图1
图1
VOH
VOL
ROH
ROL
见图1
见图1
IOUT = 10 mA时,
VDD = 18 V
IOUT = 10 mA时,
VDD = 18 V
VIH
VIL
VIN(最大)
IIN
0V
2.4
–5.0
–10
符号
测试条件
v
VDD
v
18 V时,除非另有
典型值
最大
单位
0.8
VDD +0.3
10
V
V
V
A
v
VIN
v
VDD
VDD -0.025
3.0
2.3
0.025
5.0
5.0
V
V
32
34
50
65
60
60
100
100
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
0.45
60
3.0
400
18
mA
A
V
http://onsemi.com
3
NCP4420 , NCP4429
VIL = 18 V
1
F
1
0.1
F
2
6
7
NCP4429
4
5
8
0.1
F
+5 V
输入
0V
+18 V
产量
输入
产量
CL = 2500 pF的
0V
10%
输入: 100 kHz时,方波,
TRISE = TFALL
10纳秒
10%
10%
tD1
90%
tF
tD2
tR
90%
90%
图1.开关时间测试电路
典型特征
120
100
CL = 10,000 pF的
80
时间(纳秒)
时间(纳秒)
60
CL = 4700 pF的
60
CL = 4700 pF的
40
CL = 220 pF的
20
0
20
CL = 220 pF的
100
80
CL = 10,000 pF的
40
5
7
9
Vdd的(V)的
11
13
15
0
5
7
9
Vdd的(V)的
11
13
15
图2.上升时间与电源电压
50
CL = 2200 pF的
VDD = 18 V
100
80
60
图3.下降时间与电源电压
40
VDD = 5 V
时间(纳秒)
30
时间(纳秒)
TFALL
素养
40
VDD = 12 V
20
10
10
1000
容性负载(PF )
20
VDD = 18 V
0
–60
–20
20
的Ta (℃)
60
100
140
10,000
图4.上升和下降时间与温度的关系
图5.上升时间与容性负载
http://onsemi.com
4
NCP4420 , NCP4429
典型特征
100
80
65
60
60
DELAY TIME ( NS )
时间(纳秒)
55
50
45
tD1
40
10
1000
容性负载(PF )
35
tD2
40
VDD = 5 V
VDD = 12 V
20
VDD = 18 V
10000
4
6
8
10
12
14
电源电压( V)
16
18
图6.下降时间 - 容性负载
图7.传播延迟时间
vs.Supply电压
84
50
CL = 2200 pF的
VDD = 18 V
tD2
30
tD1
20
VDD = 15 V
电源电流(mA )
70
56
42
500千赫
28
14
0
200千赫
20千赫
40
DELAY TIME ( NS )
10
0
–60
–20
20
的Ta (℃)
60
100
140
0
100
1000
容性负载(PF )
10,000
图8.传播延迟时间
与温度的关系
图9.电源电流 - 容性负载
1000
CL = 220 pF的
电源电流(mA )
18 V
100
10 V
R OUT (
)
5V
5
百毫安
4
10毫安
50毫安
10
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2
0
100
1000
频率(kHz )
10,000
5
7
9
Vdd的(V)的
11
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图10.电源电流与频率的关系
图11.高态输出电阻
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