NBB-400
0
符合RoHS &无铅产品
典型应用
窄和宽带商业和
军用无线电设计
线性和饱和放大器
产品说明
该NBB -400可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC
放大器是一个低成本，为gen-高性能的解决方案
ERAL用途的射频和微波放大的需求。这
50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT的专有
MMIC设计，提供无与伦比的性能
小信号的应用。与外部偏置设计
电阻的NBB -400提供了灵活性和稳定性。该
NBB -400封装在一个低成本，表面安装
陶瓷封装，提供了易于组装用于高
成交量磁带和卷轴的要求。它是在可
无论是包装还是芯片（ NBB - 400 -D ）的形式，其中黄金
金属化是理想的混合电路的设计。
45°
0.055
(1.40)
级联宽带
砷化镓MMIC放大器DC至8GHz
增益级或驱动放大器
MWRadio /光学设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN /蜂窝/ DWDM ）
单位：
英寸
(mm)
N4
0.040
(1.02)
0.070
(1.78)
0.020
0.200 SQ 。
(5.08)
0.005
(0.13)
最佳技术Matching应用
硅BJT
姒必-CMOS
的InGaP / HBT
砷化镓HBT
的SiGe HBT
氮化镓HEMT
砷化镓MESFET
硅CMOS
硅锗双CMOS
封装形式：微-X ， 4针，陶瓷
特点
可靠，低成本的HBT设计
15.5分贝增益， + 15.0dBm的P1dB @ 2GHz的
高P1dB为+14.6dBm@6.0GHz的
GND
4
标记 - N4
单电源工作
50Ω I / O相匹配的高频率。利用
RF IN 1
3 RF OUT
订购信息
2
GND
级联宽带的GaAs MMIC放大器直流
8GHz
NBB-400-T1
磁带&卷， 1000件
NBB-400-D
NBB -400芯片的形式（ 100件最小起订）
NBB-400-E
完全组装的评估板
NBB-X-K1
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
RF Micro Devices公司
电话：（ 336 ） 664 1233
桑代克路7628
传真：（ 336 ） 664 0454
北卡罗来纳州格林斯博罗27409 ， USA
http://www.rfmd.com
NBB-400
功能框图
转A8 060124
4-33
NBB-400
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
300
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
注意！
ESD敏感器件。
RF Micro Devices公司认为，家具的信息是正确和准确的
在此打印的时间。符合RoHS标志的基础上EUDirective2002 / 95 / EC
（在此打印的时间） 。但是， RF Micro Devices公司保留权利，以
让恕不另行通知更改其产品。 RF Micro Devices公司不
承担使用所描述的产品（S ）的责任。
超过任何一种或这些限制的组合可能会造成永久性的损坏。
参数
整体
小信号功率增益， S21
规范
分钟。
典型值。
马克斯。
15.5
16.7
16.5
16.0
13.5
±0.8
1.45:1
1.30:1
1.90:1
7.5
13.0
14.6
13.5
4.3
+28.1
-17.5
3.9
-0.0015
单位
dB
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 3.9V ，我
CC
= 47毫安，Z
0
=50Ω, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到8.0GHz
F = 0.1GHz至5.0GHz的
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到12.0GHz
BW3 （ 3分贝）
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=9.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
12.5
增益平坦度， GF
输入和输出VSWR
带宽BW
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
GHz的
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
V
分贝/°C的
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
3.6
4.2
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=50mA
外壳温度
结温
MTTF
85
131
>1,000,000
251
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
-------------------------- =
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
4-34
转A8 060124
NBB-400
针
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直
电容器，适合于工作频率，应当在使用
大多数应用。不允许输入的直流耦合的，因为这
将取代内部反馈回路，造成温度instabil-
性。
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置
直流电流进入该引脚到所需的水平。该电阻值是阻止 -
开采由下面的等式：
接口示意图
2
3
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
R
= ------------------------------------------
-
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择，以确保
目前进入部分不超过最高数据表的操作电流
租在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使供给
附近5.0V可用，提供直流反馈，以防止热运行 -
了。因为DC是目前该引脚上，隔直电容， suit-
能够为工作频率，应当在大多数使用
应用程序。偏置网络的供给方也应该清楚
绕过。
相同引脚2 。
在RF
4
GND
转A8 060124
4-35
NBB-400
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
4
In
1
C座
2
3
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
V
D
= 3.9 V
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
(Ω)
5
22
8
81
10
122
12
162
15
222
20
322
4-36
转A8 060124
NBB-400
芯片外形图 - NBB - 400 -D
芯片尺寸： 0.017 “× 0.017 ”× 0.004 “
单位：
英寸
(mm)
回芯片的接地。
产量
输入
0.017 ± 0.001
(0.44 ± 0.03)
GND
通过
0.017 ± 0.001
(0.44 ± 0.03)
0.004 ± 0.001
(0.10 ± 0.03)
销售标准 - 无包装模具
模具销售信息
所有分段模具销往100％的直流测试。对模具材料的晶圆级测试销量参数应nego-
tiated在逐案基础。
分段模被选中为客户发货按照RFMD文档＃ 6000152 - 模具产品
最后的视觉检查标准
1
.
分段模有每个订单100件的最低销量。最多每个载波400芯片是允许 -
能。
芯片封装
所有死亡都打包在GelPak ESD防护容器具有以下规范：
OD = 2"X2" ，容量= 400模（ 20X20段） ，保留级别=高（ X0 ） 。
GelPak ESD防护的容器被放置在一个静电屏蔽袋。 RFMD建议，一旦袋
开了GelPak / s的应储存在可控氮气环境。不要按一个封闭的盖子
GelPak ，仅通过边缘处理。不包含真空容器GelPak密封袋。
预防必须采取处理过程中最小化的包装振动，如管芯可在运输过程中移动
2
.
包装贮存
单元包应保持在最佳装配，性能和可靠性的干燥氮气环境中。
预防必须采取处理过程中最小化的包装振动，如管芯可在运输过程中移动
2
.
模具处理
搬运模具材料时正确的ESD必须采取预防措施。
模具应使用真空拾取设备进行处理，或沿长边用锋利的一对twee-的处理
zers 。请勿触摸死亡与身体任何部位的。
当使用自动拾取和贴装设备，确保影响力的设置是否正确。用力过度
可能会损坏GaAs器件。
转A8 060124
4-37
AN0013
15
AN0013
NBB系列和NDA系列的可靠性
NBB系列和NDA系列的可靠性
本应用笔记提供了不同器件结温元件可靠性的更多信息，
并用在结温度的包的影响。此信息提供给NBB系列HBT基础广泛
带反馈放大器和NDA系列HBT分布式放大器。
器件的可靠性
RFMD采用了经过行业验证的高性能，高可靠性的镓磷化铟镓砷化物（的InGaP /
砷化镓）异质结双极晶体管（ HBT）技术以其NBB系列和NDA系列宽带放大器。
这个过程在超过一百万装置的加速寿命试验小时内完成。所用的试验装置具有两个
由20微米发射极的手指尺寸为3μm的。将该装置在3V和具有25KA / cm 2的电流密度下工作
2
。试验
设备相媲美尺寸器件尺寸的NBB系列和NDA系列组件的。此外，该操作
点，电压和电流两者的，是可比的设备的额定工作点。测试进行
在5结温点（ 257 ℃， 275 ℃， 285℃ ， 300℃和315 ℃）下，用50至100个器件，每个温测试
perature 。
图1示出了该装置的结果与标准时间外推到故障（ MTTF）为较低的结温。
结果表明，对于150 ℃的器件结温的平均无故障时间超过2万小时。为
125℃的平均时间器件结温故障30万小时。
1.5
350
300
250
结温（ ° C）
200
EA = 1.3伏特
MTTF = 3E7小时
@ TJ = 125℃
1.7
1.9
2.1
2.3
2.5
100
2.7
2.9
50
30
25
应激条件：
3V ， 25 KA /平方厘米
1.0E+05
1.0E+08
3.1
3.3
1.0E+04
1.0E+06
1.0E+07
1.0E+09
1000 / °K
150
15
技术说明
与文章
1.0E+01 1.0E+02
1.0E+03
中间的时间失败（小时）
图1. MTTF测试设备
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15-29
AN0013
封装元件的可靠性
所有NBB和NDA产品完成一个结点温度测量设计资质完成之前。该
在推荐的最大基板的工作温度测试验证器件结温在包
真实存在。
从图1中， RFMD建议所有NBB和NDA产品具有下面的结温下工作
150℃ ，以确保平均无故障时间超过百万小时更大。
结温度取决于几个因素：
1.底板温度
2.包装类型
3.设备偏见
4.模具封装连接过程
五，包装登上连接过程
通过布局6.董事会
所有这些关键因素中的热结点测量得到解决。细节在下面给出。
RFMD建议，这些设备可用于在一个底板温度不超过85 ℃的更大，以确保
上述设备的结温限制被保持。因此，所有器件的结点温度测量
在85 ℃的基板温度对元件进行。
RFMD测试所有类型的模具中提供的每个包的风格。对于NBB系列和NDA系列目前的封装形式
提供的是微型X 4引脚表面贴装陶瓷封装和表面贴装多层陶瓷针栅阵列（ MPGA ）
封装。
结温度进行测量的三个偏置点：
低电流， ID为一半的电流，建议和推荐偏置电流之间。
额定电流， ID设置为额定电流的推荐。
限制电流，标识被设置为吸取的最大电流，同时保持150℃的器件结温。
模具被安装在使用标准制造工艺包。然而，包盖没有安装，使
在测试过程中要观看的模具结。
15
技术说明
与文章
包，然后安装到使用标准的RF电路板材料评估电路板，通过推荐
孔布局。此布局通孔使用多个接地，以确保良好的热耗散远离封装到
底板。
最后，该部件被安装在一个现实的应用程序设置，并且测试模拟实际的器件结温
在最大perature操作建议底板温度为各种设备的偏差。
测量使用校准的热成像相机来执行精确地确定温度杂物 -
安装在封装时穿过模具和灰。每个多个组件模具类型和封装类型都测
sured以允许产生的平均结温的结果。
所产生的热图像的一个例子示于图2中示出了这种跨NBB-温度变化
300 （微-X型封装） ，在85 ℃的基板温度下，以额定50毫安器件电流。温标
显示在画面下方。该图像清楚地显示最高温度的区域中，峰值温度
139 ℃。这发生在晶体管结。
15-30
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AN0013
图2. NBB - 300封装管芯热像
测试的一些结果NBB系列和NDA系列器件中的每一个包的风格的一个例子下面给出了
的85 ℃的基板温度。显示的结果是测得的样品的平均结温。
表1. NBB系列微-X封装结温
部分
数
NBB-300
NBB-400
NBB-500
BASE
温度
o
C
85
85
85
Id
mA
25
低
Tj
o
-Tj
o
C
C
105.2 20.2
公称
Id
Tj
-Tj
o
o
mA
C
C
50
47
35
138.0 53.0
131.2 46.2
120.3 35.3
限制
Id
Tj
TJ ？
o
o
mA
C
C
57
58
53
150.2 65.2
150.2 65.2
150.2 65.2
15
技术说明
与文章
Id2
mA
55
55
Tj
o
C
表2. NBB系列MPGA封装结温
部分
数
NBB-302
NBB-502
BASE
温度
o
C
85
85
Id
mA
36
20
低
Tj
o
-Tj
o
C
C
107.6 22.6
97.9 12.9
公称
Id
Tj
-Tj
o
o
mA
C
C
50
35
124.8 39.8
114.3 29.3
限制
Id
Tj
TJ ？
o
o
mA
C
C
67
57
151.4 66.4
150.7 65.7
表3. NDA系列MPGA封装结温
Id1
mA
NDA-212
NDA-312
NDA-412
85
85
85
28
Id2
mA
36
Tj
o
C
-Tj
o
C
Id1
mA
29
29
29
Id2
mA
36
42
36
Tj
o
C
-Tj
o
C
Id1
mA
32
31
-Tj
o
C
133.9 48.9
133.1
139.9
140.0
48.1
54.9
55.0
150.4
151.0
65.4
66.0
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15-31
AN0013
注意，从所述底板温度正常工作条件下显著温升。这是崛起
为30℃以上的基板温度（85 ℃） ，以55℃的，具体取决于设备。
此外， MPGA封装类型提供了改进的散热性能。器件的结温为NBB
零件在MPGA封装形式测试表明降低结温。
总之，所有的NBB系列和NDA系列封装器件的额定偏置与操作的基板温度
85°C （最大推荐底板温度）显示远低于150 ℃的市盈率平均结温
ommended器件结温的限制。因此，所有NBB系列和NDA系列封装器件提供了平均时间
失败大于这些条件在1万小时。
15
技术说明
与文章
15-32
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AN0014
15
AN0014
偏置方案NBB系列放大器
偏置方案NBB系列放大器
介绍
RFMD的NBB系列放大器是单片集成电路（ IC的）使用的InGaP /砷化镓HBT技术。该
NBB系列采用了达林顿晶体管对配置有适当的选择来确定偏置和反馈电阻
挖掘的增益，输入和输出匹配和偏置（电压和电流）的参数。的的示意图
NBB系列放大器示于图1 。
+V
CC
NBB系列
扩音器
R
CC
C1
L1
R
F
C2
Q1
R
BB
R
BIAS
Q2
C3
图中的NBB系列放大器采用达林顿对反馈放大器的1示意图。
（芯片上的组件示出了虚线内）。
如示于图1中的放大器可以被分析为一个双端口网络的输入端（左）和输出（右）
输出节点也被用来提供偏压通过偏置网络的放大器（顶部） ，其示于图中。该
包装的一部分，总共有四个端口：输入，输出和偏见，和两个接地连接的最小化地
电感。
偏置电路拓扑
所述放大器的输入电压是固定的由Q的基极 - 发射极电压
1
和Q
2
和输出电压被确定
通过由R确定的分压器
BB
和R
F
。因此，输出电压是一个设计参数，并且该放大器是
通过提供到输出节点的电流进行控制。因此，该放大器使用一个电流源，而不是一个偏置
电压源。最简单的电流源是一个电阻器（R
CC
）连接到电压源（V
CC
）所示的
Figure2.
电流源，其包括电压源V
CC
和电阻R
BIAS
应这样选择，使得所设计的扩增
费里电压（V
D
）出现在与所需电流（I输出
CC
）流入放大器。理事关系
对于图2中所示的偏置电路是：
15
技术说明
与文章
(
V
CC
–
V
D
)
-
I
CC
= ---------------------------
R
BIAS
式。 1
推荐的放大器的电流（I
CC
）和所述放大器的电压的设计值（V
D
）每个NBB系列放大器
在数据表中指定。因此，如果为V
CC
被选择，则所需的R
CC
可以从公式1偏置计算
电阻器表上设置有其使用该方法计算出的各数据表中。
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15-23
AN0014
典型偏置配置
R
BIAS
4
C
块
IN
1
2
3
V
D
L
呛
VCC
（可选）
OUT
C
块
图为NBB系列放大器2.典型偏置配置。
该设备是电流控制的，由于电路的性质。最简单的电流源，其可以是
连接的是电阻器（ RBIAS ）和电压电源（VCC） ，如图所示。两个隔直电容（ CBLOCK ）是
示出，以防止直流负载电路由相邻的组件。
或者，电流导引电路（见塞德拉和Smith，
微电子电路，
第2版， 508页），可以是
用来偏置放大器，如图远图的右边3.这些电路通常用于的偏压不同阶段
IC 。该电路使用一个正电源电压（V
CC
） 。直流参考电流I
REF
在CON组分支产生
二极管连接的晶体管中，Q的sists
1
，电阻R
1
和二极管连接的晶体管Q
2
。假设所有晶体管
具有高的电流增益，因此基极电流忽略不计，则参考电流由下式给出：
V
CC
–
V
BE1
–
V
BE2
I
REF
= -----------------------------------------------
R
1
式。 2
二极管连接的晶体管Q
1
形成一个电流镜带Q
3
。因此， Q
3
将提供一个恒定电流I
CC
等于我
REF
.
晶体管Q
3
可以提供这种电流的任何负载，只要是在集开发的电压不超过
即在基部（Ⅴ
CC
-V
BE3
).
+V
CC
Q1
+V
CC
Q3
+V
CC
I
CC
I
CC
R
BIAS
I
REF
R1
I
CC
Q2
15
技术说明
与文章
图3的NBB系列放大器的家庭使用一个电流源（左）偏置。
最简单的电流源是连接到电压源（中）的电阻器。可替换地，电流
转向回路（右）可以用作良好，产生一个恒定的电流（见塞德拉和史密斯
微电子电路，
第2版，页508）。
RF扼流圈的选择
串联在偏置电阻RF扼流圈被推荐作为偏置线，将有效负载的扩增的输出
费里。当考虑功率从放大器到负载传递，重要的是放大器的输出建模为是有用
戴维南等效：电压V
th
内部阻抗Z
O
（ 50Ω的匹配放大器） 。当放大器被驱动
在50Ω负载，只有一半的戴维宁电压（V
th
/ 2）出现在负载电阻。如果不使用一个射频扼流器则
负载两端的电压降低到V
th
xR
BIAS
/(2R
BIAS
50 ） 。电源提供给负载减少了在还原
它出现在负载电阻上的电压。采取这一比率，在功率的降低（以dB为单位）由不使用RF
扼流圈可以表示为：
P
减少
15-24
=
(
V
th
2
)
-
20
×
登录
-------------------------------------------------------------
V
th
R
BIAS
(
2R
BIAS
+ 50
)
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式。 3
AN0014
(
2R
BIAS
+ 50
)
-
P
减少
= 20
×
登录
----------------------------------
2R
BIAS
式。 4
在NBB -300具有120Ω的偏置电阻（Ⅴ的情况下
CC
= 10V ） ，功率的减少传递到50Ω负载
1.64dB.
为了防止加载放大器的输出中， 5到10倍的特征阻抗为电抗的
所需。在上微波频段，其中集总元件电抗器不可用，微带旁路电路
可取的。如扼流圈电路将包括带有一个短路径向短截线成90°的高阻抗线路的。如果容
元代是一个问题的短路短截线，短路可以从适当的电容器，而不是提供。在这样的
情况下，电容器的自谐振频率，必须加以考虑。
偏置电阻的选择
放大器的输出电压（V
D
）变化为两个偏置电流（I的函数
CC
）和温度。将得到变量
器件的电压ATION与电流供给每个数据表。从这个数据，系数可以被计算为
在V中的变化
D
对电流（见图4） 。请注意，所有系数都是正数，表示器件电压
的增加而增加的电流。一个大的偏置电阻是理想的，因为它减少了在偏置电流的变化，
减少在重要放大器参数如的P1dB和IP3的变化。选择一个大的偏压电阻器R
BIAS
,
需要选择较高的电压电源（V
CC
） ，以维持所需的偏置电流（I
CC
） 。电流导引电路
（参见图3 ）提供了一个稳定的电流和最小化的变化放大器参数为好。
表1中器件的电压变化的系数的综述（Ⅴ
D
）与放大器的电流（I
CC
).
该数据是从设置有各数据表的曲线图来计算。正系数表示
该装置的电压的增加而增加的电流）。
典型的器件电压变化与电流，
NBB放大器型号
δV
D
/δI
CC
（在V / A ）
NBB-300
NBB-301
NBB-400
NBB-401
NBB-410
NBB-500
+4
+4
+7
+3
装置的电压（V
D
）随温度升高，如图5的变化的平均速率
装置的电压与温度的计算，并在表中设置。器件电压可以表示为一个
两者的作用电流和温度如下。
δV
D
δV
D
-
-
V
D
(
I
CC
,
T
)
=
V
O
+
-----------
×
I
CC
+
---------
× (
T
–
T
O
)
δT
δI
CC
表2.在放大器输出电压的依赖关系的概要（Ⅴ
D
）与温度的关系。
在器件电压的变化量（系数V
D
）相对于环境温度从计算
表格数据。负系数表明随着增加的电流与器件电压下降。
装置的电压（V
D
）与温度的关系
模型
扩音器
温度。 COEF 。
数
电流（mA ）
（毫伏/ ° C）
-45°C
+25°C
+85°C
NBB-300
NBB-301
NBB-400
NBB-401
NBB-410
NBB-500
50
50
65
35
4.03
4.09
4.19
4.12
3.86
3.90
4.00
3.94
3.70
3.74
3.88
3.78
-2.75
-2.80
-2.85
-2.70
式。五
15
技术说明
与文章
版权所有1997-2002 RF Micro Devices公司
15-25
AN0014
式（5）可被取代入方程1和求解我
CC
要得到：
I CC
=
δV
D
-
V
CC
–
---------
× (
T
–
T
O
)
δT
-----------------------------------------------------------
-
δV
D
-
R
BIAS
+
-----------
δI
CC
式。 6
式（6）可相对于温度来区分来获得观察的效果是有用的表达
偏置电阻器（与电源电压）由用户选择的：
δV
D
-
–
---------
δI
CC
δT
----------- = --------------------------------------
-
δT
δV
D
-
R
BIAS
+
-----------
δI
CC
式。 7
例如， NBB -400在5V偏置电源（V
CC
）用22Ω电阻器（R
CC
）将表现出以下电流
相变温度，
δI
CC
–
(
– 2.8
)
----------- = ------------------- = 0.108毫安
°C
-
-
δT
(
22 + 4
)
式。 8
这意味着14毫安的变化在整个温度范围从-40 ° C至+ 85°C 。通过比较，如果12V的支持
帘布层轨道是一个具有162Ω偏置电阻，则在电流的变化相对于温度降低到0.016毫安/ ℃。这
转换成只2.2毫安在同一工作温度范围内的电流的变化。
15
技术说明
与文章
15-26
版权所有1997-2002 RF Micro Devices公司
NBB-400
级联宽带
砷化镓MMIC放大器DC至8GHz
符合RoHS &无铅产品
封装形式：微-X ， 4针，陶瓷
特点
可靠的，低成本的HBT
设计
15.5分贝增益， + 15.0dBm
P1dB@2GHz
高P1dB为
+14.6dBm@6.0GHz
单电源操作
化
50Ω I / O匹配的高
频率。利用
GND
4
标记 - N4
RF IN 1
3 RF OUT
2
GND
应用
窄宽带的COM
商用和军用无线电
设计
线性和饱和Amplifi-
ERS
增益级或驱动程序Amplifi-
ERS的MWRadio /光学
设计（ PTP / PMP /
LMDS / UNII / VSAT / WLAN / CEL-
细胞性/ DWDM ）
功能框图
产品说明
该NBB -400可级联宽带的InGaP /砷化镓MMIC放大器是
低成本，通用射频和微型高性能的解决方案
波放大的需求。此50Ω增益模块是基于一个可靠的HBT
专有的MMIC设计，提供无与伦比的性能，小型
信号应用。与外部偏置电阻，该NBB -400设计
提供了灵活性和稳定性。该NBB -400封装在一个低成本，
表面贴装陶瓷封装，提供了易于组装的高VOL-
UME磁带和卷轴的要求。正是在任一包装或芯片可
（ NBB - 400 -D ）的形式，其中的黄金金属化是理想的混合电路
设计。
订购信息
NBB - 400Cascadable宽带的GaAs MMIC放大器DC至8GHz
NBB-400
NBB-400-T1
NBB-400-D
NBB-400-E
NBB-X-K1
级联宽带的GaAs MMIC放大器DC至8GHz
磁带&卷， 1000件
NBB -400芯片的形式（ 100件最小起订）
完全组装的评估板
扩展频率的InGaP放大器设计工具套件
最佳技术Matching应用
砷化镓HBT
砷化镓MESFET
的InGaP HBT
的SiGe BiCMOS
硅BiCMOS工艺
的SiGe HBT
砷化镓PHEMT
硅CMOS
硅BJT
氮化镓HEMT
RF MICRO DEVICES ， RFMD ，优化科技Matching ，启用无线连接 ，的PowerStar ， POLARIS TOTAL RADIO 和UltimateBlue 是RFMD ，LLC的注册商标。蓝牙是一种与贸易
标志着由Bluetooth SIG公司，美国拥有和许可由RFMD使用。所有其它商标名称，商标及注册商标均为其各自所有者的财产。 2006年， RF Micro Devices公司
转A10 DS070327
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
1 12
NBB-400
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
功耗
器件的电流
通道温度
工作温度
储存温度
等级
+20
300
70
200
-45至+85
-65到+150
单位
DBM
mW
mA
°C
°C
°C
本出版物中的信息被认为是准确和可靠。然而
以往，不承担因RF Micro Devices公司（ "RFMD" ）供其使用，
也不对任何侵犯专利或其它第三方权利，造成
从它的使用。没有许可任何专利授予暗示或其他方式
RFMD或专利权。 RFMD保留更改部分税务局局长的权利
cuitry ，建议随时申请和规格不
另行通知。
基于EUDirective2002 / 95 / EC （本文件修订版的时候RoHS状况
锡永） 。
注意！ ESD敏感器件。
超过任何一种或这些限制的组合可能导致永久
损害。
参数
整体
小信号功率增益， S21
分钟。
15.5
规范
典型值。
16.7
16.5
16.0
马克斯。
单位
dB
dB
dB
dB
dB
条件
V
D
= + 3.9V ，我
CC
= 47毫安，Z
0
=50Ω, T
A
=+25°C
F = 0.1GHz至1.0GHz的
F = 1.0GHz的为4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到8.0GHz
F = 0.1GHz至5.0GHz的
F = 0.1GHz至4.0GHz的
F = 4.0 GHz频率为6.0GHz
F = 6.0GHz到12.0GHz
12.5
增益平坦度， GF
输入和输出VSWR
13.5
±0.8
1.45:1
1.30:1
1.90:1
带宽BW
输出功率@
-1dB压缩， P1dB为
7.5
13.0
14.6
13.5
GHz的
DBM
DBM
DBM
dB
DBM
dB
4.2
V
分贝/°C的
BW3 （ 3分贝）
f=2.0GHz
f=6.0GHz
f=9.0GHz
f=3.0GHz
f=2.0GHz
F = 0.1GHz至12.0GHz
噪声系数NF
三阶截取， IP3
反向隔离， S12
器件电压，V
D
增益温度系数，
δG
T
/δT
3.6
4.3
+28.1
-17.5
3.9
-0.0015
平均无故障时间与温度
@ I
CC
=50mA
外壳温度
结温
MTTF
85
131
>1,000,000
251
°C
°C
小时
° C / W
热阻
θ
JC
J
T
–
T
例
-------------------------- =
θ
JC
( °C
瓦
)
-
V
D
I
CC
2 12
7628桑代克路，北卡罗来纳州格林斯博罗27409-9421 ·对于销售或技术
支持在（ +1） 336-678-5570或sales-support@rfmd.com接触RFMD 。
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NBB-400
针
1
功能
在RF
描述
射频输入引脚。此引脚无内部直流阻塞。隔直电容，
适于操作的频率，应当在大多数应用中使用
系统蒸发散。不允许输入的直流耦合，因为这将覆盖
内部反馈环路，并导致温度不稳定。
接地连接。为了获得最佳性能，保持身体的痕迹短
和立即连接到地平面。
RF输出和偏置引脚。偏置完成与外部串联
电阻和扼流电感，以V
CC
。电阻器被选择来设置直流
电流流入该引脚到所需的水平。电阻值由下式确定
下面的等式：
接口示意图
2
3
GND
RF OUT
RF OUT
(
V
CC
–
V
设备
)
-
R
= ------------------------------------------
I
CC
护理也应考虑在电阻器的选择，保证了电流
租入部分不超过最高数据表工作电流
在计划的操作温度。这意味着，一个电阻
的供给，该管脚之间总是需要，即使邻近的供给
5.0V可用，提供直流反馈，以防止热失控。
由于DC是存在于该销，一隔直流电容器，适合于
操作频率，应在大多数应用中使用。供应
偏置网络侧也应很好旁路。
在RF
4
GND
相同引脚2 。
封装图
45°
0.055
(1.40)
单位：
英寸
(mm)
N4
0.040
(1.02)
0.070
(1.78)
0.020
0.200 SQ 。
(5.08)
0.005
(0.13)
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3 12
NBB-400
典型偏置配置
可应要求提供相关的偏置电路，器件封装和散热的考虑应用笔记。
V
CC
R
CC
4
In
1
C座
2
3
L呛
（可选）
OUT
C座
V
设备
V
D
= 3.9 V
推荐偏置电阻值
电源电压，V
CC
(V)
偏置电阻，R
CC
(Ω)
5
22
8
81
10
122
12
162
15
222
20
322
4 12
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NBB-400
芯片外形图 - NBB - 400 -D
芯片尺寸： 0.017 “× 0.017 ”× 0.004 “
单位：
英寸
(mm)
回芯片的接地。
产量
输入
0.017 ± 0.001
(0.44 ± 0.03)
GND
通过
0.017 ± 0.001
(0.44 ± 0.03)
0.004 ± 0.001
(0.10 ± 0.03)
销售标准 - 无包装模具
模具销售信息
所有分段模具销往100％的直流测试。对模具材料的晶圆级测试销量参数应nego-
tiated在逐案基础。
分段模被选中为客户发货按照RFMD文档＃ 6000152 - 模具产品
最后的视觉检查标准
1
.
分段模有每个订单100件的最低销量。最多每个载波400芯片是允许 -
能。
芯片封装
所有死亡都打包在GelPak ESD防护容器具有以下规范：
OD = 2"X2" ，容量= 400模（ 20X20段） ，保留级别=高（ X0 ） 。
GelPak ESD防护的容器被放置在一个静电屏蔽袋。 RFMD建议，一旦袋
开了GelPak / s的应储存在可控氮气环境。不要按一个封闭的盖子
GelPak ，仅通过边缘处理。不包含真空容器GelPak密封袋。
预防必须采取处理过程中最小化的包装振动，如管芯可在运输过程中移动
2
.
包装贮存
单元包应保持在最佳装配，性能和可靠性的干燥氮气环境中。
预防必须采取处理过程中最小化的包装振动，如管芯可在运输过程中移动
2
.
模具处理
搬运模具材料时正确的ESD必须采取预防措施。
模具应使用真空拾取设备进行处理，或沿长边用锋利的一对twee-的处理
zers 。请勿触摸死亡与身体任何部位的。
当使用自动拾取和贴装设备，确保影响力的设置是否正确。用力过度
可能会损坏GaAs器件。
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5 12
QQ：2880707522 复制
