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分立半导体
数据表
MZ0912B50Y
NPN微波功率晶体管
产品speci fi cation
取代1994年11月数据
1997年02月18
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特点
叉指结构提供
高效率的发射器
扩散发射极镇流电阻器
提供出色的电流分配
并承受高VSWR
镀金实现非常
稳定的特性和优异的
一生
多单元的几何形状提供了良好的
耗散功率的平衡，
低热阻
输入和输出匹配单元
使电路更简单的设计。
应用
公共基类，C类，宽带，
从脉冲功率放大器
960至1215兆赫的塔康
应用程序。
描述
NPN硅平面外延
在微波功率晶体管
SOT443A金属陶瓷法兰
包带底座连接到
法兰上。它被安装在公共基
配置，并且在指定的
C类。
手册， halfpage
MZ0912B50Y
快速参考数据
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在一个共同的基类C的
宽带放大器呃。
的模式
手术
C级;
t
p
= 10
s; δ
= 1%
f
（千兆赫）
V
CC
(V)
P
L
(W)
>50
G
p
（ dB）的
>7
η
C
(%)
>42
Z
i
/Z
L
()
参见图6
与7
0.960至1.215 50
钉扎 - SOT443A
针
1
2
3
集热器
辐射源
底座连接到FL法兰
描述
1
c
b
3
e
2
顶视图
MAM314
Fig.1简化外形和符号。
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
1997年02月18
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD
记
1.可达0.2毫米的陶瓷。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗（峰值功率）
储存温度
工作结温
焊接温度
t
≤
10秒;注1
条件
发射极开路
开基
R
BE
= 0
集电极开路
t
p
≤
10
s; δ ≤
10%
T
mb
= 75
°C;
t
p
≤
10
s; δ ≤
10%
65
MZ0912B50Y
分钟。
马克斯。
65
20
60
3
3
150
+200
200
235
单位
V
V
V
V
A
W
°C
°C
°C
手册， halfpage
180
MGL051
P合计
(W)
120
60
0
50
0
100
TMB （ ° C）
200
t
p
= 10
s; δ
= 10%; P
TOT最大
= 150 W.
图2功率降额曲线。
1997年02月18
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
热特性
T
j
= 125
°C
除非另有规定ED 。
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
Z
第j个小时
笔记
1.见
“安装建议的手册SC19a的通用部分” 。
参数
从结热阻安装基座
从安装底座到散热片的热阻
从结点的热阻抗散热器
条件
CW
CW ;注1
注1和2
MZ0912B50Y
马克斯。
4.9
0.2
0.85
单位
K / W
K / W
K / W
根据标称脉冲微波工作条件2.等效热阻;吨
p
= 10
s; δ
= 10%.
特征
T
mb
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
CES
I
EBO
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
条件
V
CB
= 65 V ;我
E
= 0
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0
V
CE
= 60 V ;
BE
= 0
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
20
2
20
200
马克斯。
mA
mA
mA
A
单位
应用信息
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在测试夹具测得如图3所示，并在C类工作的宽带
模式中的脉冲;注意： 1 。
操作模式
C级;
t
p
= 10
s; δ
= 10%
笔记
1.工作条件和性能等脉冲格式可以根据要求提供。
2. V
CC
中脉。
组件（参见图3 ）的列表。
部件
L1, L2
L3
C1
C2
C3
C4
C5, C6
描述
0.65毫米直径铜线
4圈0.65毫米直径
铜线;
电容
钽电容
电解电容
穿心旁路电容
可变电容器gigatrim
100 pF的
10
F;
50 V
0.6至4.5 pF的
价值
尺寸
总长度= 12毫米;
中环= 9毫米的高度
int类型。直径。 3毫米; L = 5毫米
ATC ，参考。 100A101KP50X
伊利参考。 1250-003
Tekelec公司，参考。 727.1
目录号。
f
（千兆赫）
0.960到1.215
V
CC
(V)
(2)
50
P
L
(W)
>50
（典型值） 。 60
G
p
（ dB）的
>7
典型值。 8
η
C
(%)
>42
（典型值） 。 44
Z
i
/Z
L
()
参见图6
与7
470
F;
63 V
1997年02月18
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
MZ0912B50Y
手册，全页宽
30 mm
30 mm
9
2
4.5
2.5
10
3
9
3
9
2
3
1
2
40
mm
0.635
20
6.5
12
5
5
0.635
11
40
mm
MCD634
手册，全页宽
C3
+V
CC
C4
C2
L1
L3
C1
L2
C5
MGL064
基材： Epsilam 10 。
厚度： 0.635毫米。
介电常数：
ε
r
= 10.
图3宽带测试电路。
1997年02月18
5
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