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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第3041页 > MMDT4403-7-F
SPICE模型: MMDT4403
MMDT4403
双PNP小信号表面贴装晶体管
特点
·
·
·
·
外延平面片建设
非常适用于低功率放大和开关
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS (注3 )
E
2
B
2
C
1
C
2
A
B
1
E
1
SOT-363
暗淡
B C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
A
B
C
D
F
M
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例: SOT- 363
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金42
引线框架) 。
终端连接:见图
标记(见第2页) : K2T
订购&日期代码信息:参见第2页
重0.006克数(大约)
K
G
H
0.65标称
H
J
K
L
M
a
J
D
F
L
C
2
B
1
E
1
尺寸:mm
E
2
B
2
C
1
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
MMDT4403
-40
-40
-5.0
-600
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
连续集电极电流 - (注1)
功率耗散(注1,2 )
热阻,结到环境(注1 )
操作和储存和温度范围内
注意事项:
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ,它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.最大组合耗散。
3.没有故意添加铅。
DS30110启示录7 - 2
1 4
www.diodes.com
MMDT4403
Diodes公司
电气特性
特征
开关特性(注4 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征(注4 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
-40
-40
-5.0
30
60
100
100
20
-0.75
1.5
0.1
60
1.0
200
最大
-100
-100
300
-0.40
-0.75
-0.95
-1.30
8.5
30
15
8.0
500
100
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -100mA ,我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ,我
B
= 0
I
E
= -100mA ,我
C
= 0
V
CE
= -35V, V
EB (O FF )
= -0.4V
V
CE
= -35V, V
EB (O FF )
= -0.4V
I
C
= -100μA ,V
CE
=
I
C
= -1.0mA ,V
CE
=
I
C
= -10mA ,V
CE
=
I
C
= -150mA ,V
CE
=
I
C
= -500mA ,V
CE
=
-1.0V
-1.0V
-1.0V
-2.0V
-2.0V
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
V
I
C
= -150mA ,我
B
= -15mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
I
C
= -150mA ,我
B
= -15mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
V
CB
= -10V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= -0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
pF
pF
kW
x 10
-4
mS
兆赫
V
CE
= -10V ,我
C
= -1.0mA ,
F = 1.0kHz
V
CE
= -10V ,我
C
= -20mA ,
F = 100MHz的
t
d
t
r
t
s
t
f
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
V
CC
= -30V ,我
C
= -150mA ,
V
BE (OFF)的
= -2.0V ,我
B1
= -15mA
V
CC
= -30V ,我
C
= -150mA ,
I
B1
= I
B2
= -15mA
订购信息
(注5 )
设备
MMDT4403-7-F
注意事项:
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
4.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
5.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K2T
YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
三月
3
M
APR
4
YM
K2T
2001
2002
N
五月
5
K2T =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30110启示录7 - 2
2 4
www.diodes.com
MMDT4403
250
P
D
,功耗(毫瓦)
0.5
I
C
I
B
= 10
0.4
T
A
= 25°C
200
150
V
CE ( SAT )
,集电极到发射极
饱和电压( V)
0.3
100
0.2
T
A
= 150°C
50
0.1
T
A
= 50°C
0
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1 ,最大功耗与
环境温度
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 2集电极发射极饱和电压
与集电极电流
1000
V
BE(上)
,基极发射极电压( V)
1000
h
FE
,直流电流增益(标准化)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
1
10
T
A
= 150°C
T
A
= -50°C
T
A
= 25°C
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
T
A
= 150°C
T
A
= 25°C
100
T
A
= -50°C
10
100
1
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3基射极电压
与集电极电流
1
10
1000
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4直流电流增益VS.集电极电流
1000
f
T
,增益带宽积(兆赫)
V
CE
= 5V
30
20
100
CIBO
电容(pF)
10
10
5.0
科博
1
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5增益带宽积与集电极电流
1.0
-0.1
-1.0
-10
-30
REVERSE伏(V )
图。 6典型电容
DS30110启示录7 - 2
3 4
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MMDT4403
V
CE,
集电极 - 发射极电压( V)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
I
C
= 1毫安
I
C
= 30毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 300毫安
0.01
0.1
1
10
100
I
B,
基极电流(毫安)
图。 7典型集电极饱和区
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留随时更改,恕不另行通知任何产品的权利在此进行更正,修改, enhance-
ments ,改进,或其他变化。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;
它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担这种风险,所有
使用并同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上,反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
坐落在我们的网站产品
www.diodes.com
不推荐用于生命支持系统中使用,其中的一个发生故障或失灵
组件可能直接威胁生命或造成人身伤害不Diodes公司的明确书面批准。
DS30110启示录7 - 2
4 4
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MMDT4403
MMDT4403
双PNP小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
非常适用于低功率放大和开关
超小型表面贴装封装
无铅/符合RoHS (注3 )
"Green"设备(注4和5)
A
C
2
B
1
E
1
SOT-363
暗淡
B C
0.10
1.15
2.00
0.30
1.80
0.90
0.25
0.10
最大
0.30
1.35
2.20
0.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.25
A
B
C
D
F
M
机械数据
案例: SOT- 363
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀(雾锡完成了退火合金42
引线框架) 。
终端连接:见图
标识信息: K2T - 请参阅第4页
订购&日期代码信息:参见第4页
重量: 0.006克(近似值)
K
E
2
B
2
C
1
H
0.65标称
H
J
K
L
M
α
J
C
2
B
1
E
1
D
F
L
E
2
B
2
C
1
尺寸:mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功耗
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
(注1 )
(注1,2)
(注1 )
I
C
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
-40
-40
-5.0
-600
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
注意事项:
1.装置安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ,这
可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.最大组合耗散。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
5.产品使用日期代码UO制造( 40周, 2007年)和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30110牧师10 - 2
1 4
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MMDT4403
Diodes公司
电气特性
特征
开关特性(注6 )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
基地截止电流
基本特征(注6 )
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX
I
BL
-40
-40
-5.0
30
60
100
100
20
-0.75
1.5
0.1
60
1.0
200
最大
-100
-100
300
-0.40
-0.75
-0.95
-1.30
8.5
30
15
8.0
500
100
15
20
225
30
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
= 0
I
C
= -1.0mA ,我
B
= 0
I
E
= -100μA ,我
C
= 0
V
CE
= -35V, V
EB (O FF )
= -0.4V
V
CE
= -35V, V
EB (O FF )
= -0.4V
I
C
= -100μA ,V
CE
= -1.0V
I
C
= -1.0mA ,V
CE
= -1.0V
I
C
= -10mA ,V
CE
= -1.0V
I
C
= -150mA ,V
CE
= -2.0V
I
C
= -500mA ,V
CE
= -2.0V
I
C
= -150mA ,我
B
= -15mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
I
C
= -150mA ,我
B
= -15mA
I
C
= -500mA ,我
B
= -50mA
V
CB
= -10V , F = 1.0MHz的,我
E
= 0
V
EB
= -0.5V , F = 1.0MHz的,我
C
= 0
-4
直流电流增益
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
电流增益带宽积
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
注意事项:
6.
短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
V
C
cb
C
eb
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
f
T
t
d
t
r
t
s
t
f
pF
pF
x 10
μS
兆赫
V
CE
= -10V ,我
C
= -1.0mA ,
F = 1.0kHz
V
CE
= -10V ,我
C
= -20mA ,
F = 100MHz的
V
CC
= -30V ,我
C
= -150mA ,
V
BE (OFF)的
= -2.0V ,我
B1
= -15mA
V
CC
= -30V ,我
C
= -150mA ,
I
B1
= I
B2
= -15mA
ns
ns
ns
ns
250
注1
0.5
V
CE ( SAT )
,集电极到发射极
饱和电压( V)
I
C
I
B
= 10
P
D
,功耗(毫瓦)
200
0.4
150
0.3
T
A
= 25°C
100
0.2
T
A
= 150°C
50
0.1
T
A
= 50°C
0
0
25
50
75 100 125 150 175
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1最大功率耗散主场迎战
环境温度
200
0
1
10
1,000
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 2集电极发射极饱和电压
与集电极电流
DS30110牧师10 - 2
2 4
www.diodes.com
MMDT4403
Diodes公司
1,000
V
BE(上)
,基极发射极电压( V)
0.9
0.8
T
A
= -50°C
V
CE
= 5V
1,000
h
FE
,直流电流增益
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
T
A
= 25°C
100
T
A
= 150°C
10
10
1
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3基射极电压
与集电极电流
V
CE
= 5V
100
1
1
10
1,000
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4直流电流增益VS.集电极电流
1,000
f
T
,增益带宽积(兆赫)
30
F = 1MHz的
20
电容(pF)
C
IBO
100
10
10
5.0
C
敖包
1
1
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5增益带宽积与集电极电流
1.0
-0.1
-1.0
-10
REVERSE伏(V )
图。 6典型电容
-30
V
CE,
集电极 - 发射极电压( V)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
I
C
= 1毫安
I
C
= 30毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 300毫安
0.01
1
0.1
10
I
B,
基极电流(毫安)
图。 7典型集电极饱和区
100
DS30110牧师10 - 2
3 4
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Diodes公司
订购信息
设备
MMDT4403-7-F
注意事项:
7.
(注7 )
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K2T
YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
2002
N
APR
4
2003
P
五月
5
DS30110牧师10 - 2
YM
K2T
2004
R
JUN
6
4 4
K2T =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: N = 2002年
M =月前: 9 =九月
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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Diodes公司
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封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MMDT4403-7-F
    -
    -
    -
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    终端采购配单精选

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地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
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原装正品 钻石品质 假一赔十
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