先进的信息
MX69F1602/1604C3T/B
16M - BIT [ X16 ] FLASH和2M比特/ 4M- BIT [ X16 ] SRAM
混合多芯片封装存储器
特点
电源电压范围： 2.7V至3.6V
快速存取时间：闪存： 70 /为90ns
SRAM存储器： 70 / 85ns
工作温度范围： -40 85 °
C
- 字写暂停阅读
- 扇区擦除挂起到字写
- 扇区擦除挂起读取寄存器报告
自动扇区擦除，字写和部门锁定/
解锁配置
100000最小擦除/编程周期
BOOT扇区架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
状态寄存器功能的检测程序或
擦除周期结束
数据保护性能
- 各部门要锁定/解锁
通用闪存接口（ CFI ）
128位注册保护
- 64位的唯一设备标识符
- 64位用户可编程
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
FL灰
只字模式
VCCF = VCCQ = 2.7V 3.6V的读取，擦除和编程
手术
VPP = 12V快速生产编程
低功耗
- 9毫安典型的有源读取电流， F = 5MHz时
- 18毫安典型的编程电流（ VPP = 1.65 3.6V ）
- 21毫安典型的擦除电流（ VPP = 1.65 3.6V ）
- 在节能模式7UA典型待机电流
部门架构
- 部门结构： 4Kword ×2 （引导区） ， 4Kword
×6 （参数扇区） ， 32Kword ×31 （主业）
- 顶部/底部启动
自动擦除和自动程序
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
- 自动扇区擦除在指定部门
自动暂停增强
SRAM
MX69F1602C3T / B ： 128K wordx16位
MX69F1604C3T / B ： 256K wordx16位
70毫安最大工作电流
1uA的典型待机电流
数据保持电源电压： 2.0V 3.6V
字节的数据控制：磅（ Q0到Q7 ）和瑞银（ Q8至Q15 ）
P / N ： PM0954
REV 。 0.5 ，七月09 ， 2003
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MX69F1602/1604C3T/B
概述
该MXIC的混合多芯片内存闪存相结合
和SRAM到一个包中。混合多芯片
存储器操作2.7至3.6V的电源，以允许
简单的系统操作。
混合多芯片内存制造的闪存
factured与MXIC先进的非易失性存储器技
术中，混合多芯片存储器闪速存储器
被设计为进行重新编程和擦除在系统
或者在标准EPROM编程器。该器件提供
对为70ns /为90ns ，而7UA典型待机访问时间
电流。
闪存EPROM增强功能与IN-
电路中的电擦除和编程，并使用
命令寄存器来管理此功能。该公
命令寄存器允许100％的TTL电平控制输入
和擦除和编程过程中固定电源电平
明，同时保持最高的EPROM下兼容性
性。
快闪记忆体可靠地保存存储器的内容，甚至自动对焦
之三十万擦除和编程。该细胞是DE-
签署优化了擦除和编程机器人 -
共享机制。先进隧道此外，组合
氧化处理和低的内部电场为擦除
和编程操作产生可靠的自行车。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
专用VPP引脚提供了完整的数据保护
当VPP< VPPLK 。
闪存包含一个命令的用户界面（ CUI）
和一个写状态机（ WSM） 。 A命令用户
界面（CUI）作为系之间的界面
统的处理器和装置的内部操作。一
写到崔发起有效的命令序列
设备的自动化。内部写状态机
（ WSM ）自动执行的算法和时序
英格斯必要的擦除，字写和部门锁定/
解锁配置操作。
闪存擦除自动化允许扇区擦除操作
使用工业标准2 - 写的COM被执行
命令序列的CUI 。扇区擦除操作
删除一个设备的32K字扇区通常
在1.0秒， 4K字部门通常在0.5s内不知疲倦
吊灯等环节。每个扇区可indepen-
dently最小擦除10万次。扇区擦除
暂停模式允许系统软件挂起节
器擦除从任何其他扇区中读出或写入数据。
闪存程序自动允许程序操作
使用工业标准2 - 写的COM被执行
命令序列的CUI 。写入存储器的数据是per-
形成在该器件的32K字的字的增量仲
通常在0.8秒和4K字部门通常器
在0.1S 。 Word程序挂起模式使
系统读取的数据或从任何其他执行代码
存储阵列的位置。
个别部门锁定了Flash功能
使用的39扇区锁定位的组合，并
可湿性粉剂，以锁定和解锁扇区。
flash状态寄存器指示WSM状态
当扇区擦除， Word程序或锁定的配置
化操作就完成了。
闪存省电模式功能大幅重新
duces当设备处于静止模式有功电流
（地址不切换） 。在这种模式下，典型ICCS
当前是7UA （CMOS）在3.0V的VCC 。由于CEF和R e -
SET是在VCC ， ICC CMOS待机模式下启用。
当Reset为GND ，复位模式启用该
最大限度地降低功耗，并提供数据写入亲
保护。
闪存需要从RESET复位时间（ tPHQV ）
切换到高输出是有效的。同样，闪光
有一个唤醒时间（ tPHEL ）从RESET高，直到写
在崔的认可。与RESET GND时，该
WSM复位和状态寄存器被清除。
MX69F1602C3T / B的2M位的SRAM的组织结构
128K字×16位。的4M位的SRAM
MX69F1604C3T / B由16位组织256K字。该
先进的CMOS技术和电路技术亲
韦迪高速和具有低功耗的特点，
1uA的和最大的CMOS典型待机电流
在3V工作电压为70ns / 85ns存取时间。
混合多芯片内存在11毫米X可用
8毫米FBGA封装，以满足各种设计应用的
系统蒸发散。
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MX69F1602/1604C3T/B
功能摘要
特征
VCC工作电压
CON组fi guration
MX69F1602/1604C3T/B
2.7~3.6V
FL灰
SRAM
快速访问时间
座建筑
- 70 :
- 90 :
FL灰
16M ： 1M字x16bit
MX69F1602C3T / B ： 128K字x16bit
MX69F1604C3T / B ： 256K字x16bit
闪存/ 70ns的， SRAM / 70ns的
闪存/为90ns ， SRAM / 85ns
2× 4K字启动
6× 4K字参数
31 X 32K字主
地址引脚
FL灰
SRAM
生产代码
设备识别码
FL灰
FL灰
A0~A19
MX69F1602C3T / B ： A0 A16
MX69F1604C3T / B ： A0 A17
00C2H
MX69F1602/1604C3T=88C2H
MX69F1602/1604C3B=88C3H
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MX69F1602/1604C3T/B
引脚分配
1.66球的CSP MX69F1602 / 1604C3T / B （顶视图下球， 11 ×8× 1.4毫米，球间距= 0.8毫米）
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
NC
A11
A15
A14
A13
A12
GNDF
VCCQ
NC
NC
A16
A8
A10
A9
Q15
WES
Q14
Q7
世界经济论坛
NC
Q13
Q6
Q4
Q5
GNDS
RESET
Q12
CE2s
VCCS
VCCF
WP
VPP
A19
Q11
Q10
Q2
Q3
8.0 mm
LBS
瑞银
OES
Q9
Q8
Q0
Q1
A18
A17
A7
A6
A3
A2
A1
CE1s
NC
NC
NC
A5
A4
A0
持续进修基金
GNDF
OEF
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
11.0 mm
8
9
10
11
12
注意事项：
1.To保持与所有JEDEC方案B方案为这场球的位置C6的兼容性， C6焊盘应
直接连接到焊盘的焊球的G4 （ A17） 。
引脚说明
符号
A0到A16
A0到A17
A17到A19
A18到A19
Q0到Q15
持续进修基金
CE1s
CE2s
OEF
OES
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引脚名称
地址输入（常见）
MX69F1602C3T/B
地址输入（常见）
MX69F1604C3T/B
地址输入（闪光）的
MX69F1602C3T/B
地址输入（闪光）的
MX69F1604C3T/B
数据输入/输出（普通）
芯片使能（闪存）
芯片使能（ SRAM ）
芯片使能（ SRAM ）
输出使能（闪存）
输出使能（ SRAM ）
符号
世界经济论坛
WES
瑞银
LBS
RESET
WP
北卡罗来纳州
GND
VCCF
VCCS
VPP
VCCQ
引脚名称
写使能（闪存）
写使能（ SRAM ）
高字节控制（ SRAM ）
低字节控制（ SRAM ）
硬件复位引脚/深层动力
向下（闪存）
写保护
无连接
接地引脚（通用）
电源供应器（闪存， 2.7V 3.6V ）
电源供应器（ SRAM ， 2.7V 3.6V ）
编程/擦除电源
（ 1.65V 3.6V或11.4V 12.6V ）
I / O电源供应器（闪存）绑VCCF
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MX69F1602/1604C3T/B
框图MX69F1602 / 1604C3T / B
VCCF VPP GND VCCQ
A0~A19
A0~A19
持续进修基金
OEF
世界经济论坛
RESET
WP
1MWx16bit （ 16M ）
FL灰内存
Q0到Q15
Q0到Q15
VCCS
GND
A0~A16/A0~A17
CE1s
CE2s
OES
WES
瑞银
LBS
2M / 4M位
静态RAM
Q0到Q15
P / N ： PM0954
REV 。 0.5 ，七月09 ， 2003
5
QQ：2881677436 复制
