MPS650 ， MPS651 ， NPN MPS750 ， MPS751 ， PNP
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0 )
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
C
= 0, I
E
= 10
MADC ）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0 V，I
C
= 0)
基本特征
（注1 ）
直流电流增益
(I
C
= 50 mA时， V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 1.0 A，V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 2.0 A，V
CE
= 2.0 V)
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 2.0 A，I
B
= 200 mA）的
(I
C
= 1.0 A，I
B
= 100 mA时）
基射极电压上（我
C
= 1.0 A，V
CE
= 2.0 V)
BASE
：辐射源
饱和电压（I
C
= 1.0 A，I
B
= 100 mA时）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积（注2 ）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
2. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
f
T
75
兆赫
h
FE
75
75
75
40
0.5
0.3
1.0
1.2
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
MPS650 ， MPS750
MPS651 ， MPS751
V
（ BR ） CEO
40
60
60
80
5.0
VDC
符号
民
最大
单位
V
（ BR ） CBO
VDC
V
（ BR ） EBO
I
CBO
VDC
MADC
0.1
0.1
0.1
I
EBO
MADC
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
VDC
VDC
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2
MPS650 ， MPS651 ， NPN MPS750 ， MPS751 ， PNP
NPN
300
270
的hFE ， DC电流增益
240
210
180
150
120
90
60
30
0
10
20
50
100 200
500 1.0 A 2.0 A 4.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
25°C
T
J
= 125°C
V
CE
= 2.0 V
的hFE ， DC电流增益
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
10 20
50 100 200 500 1.0 A 2.0 A 4.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
55
°C
25°C
T
J
= 125°C
PNP
V
CE
= 2.0 V
55
°C
图1. MPS650 ， MPS651
典型的直流电流增益
2.0
1.8
1.6
V，电压（V ）
V，电压（V ）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
200
500
1.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
2.0 A
4.0 A
V
BE（上）
@ V
CE
= 2.0 V
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
图2. MPS750 ， MPS751
典型的直流电流增益
PNP
NPN
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
100
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE（上）
@ V
CE
= 2.0 V
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
200
500 1.0 A
I
C
，集电极电流（毫安）
2.0 A
4.0 A
图3. MPS650 ， MPS651
在电压
图4. MPS750 ， MPS751
在电压
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3
MPS650 ， MPS651 ， NPN MPS750 ， MPS751 ， PNP
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I
B
，基极电流（毫安）
50 100 200 500
I
C
= 10毫安我
C
= 100毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 2.0 A
T
J
= 25°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
NPN
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I
C
= -10毫安
PNP
T
J
= 25°C
I
C
= -500毫安
I
C
= -100毫安
I
C
= 2.0 A
0
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
I
B
，基极电流（毫安）
50 100200 500
图5. MPS650 ， MPS651
集电极饱和区
NPN
图6. MPS750 ， MPS751
集电极饱和区
PNP
10
4.0
IC ，集电极电流
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
T
A
= 25°C
10
4.0
1.0毫秒
100
ms
2.0
1.0
0.5
T
C
= 25°C
0.2
0.1
0.05
0.02
100
0.01
1.0
T
A
= 25°C
1.0毫秒
MPS75
0
MPS75
1
100
ms
MPS65
0
MPS65
1
T
C
= 25°C
0.05
0.02
0.01
1.0
WIRE LIMIT
热限制
第二击穿极限
2.0
5.0
10
20
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
WIRE LIMIT
热限制
第二击穿极限
2.0
5.0
10
20
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
图7. MPS650 ， MPS651 SOA ，
安全工作区
图8. MPS750 ， MPS751 SOA ，
安全工作区
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4
MPS650 ， MPS651 ， NPN MPS750 ， MPS751 ， PNP
订购信息
设备
MPS650
MPS650G
MPS650RLRA
MPS650RLRAG
MPS650ZL1
MPS650ZL1G
MPS651
MPS651G
MPS651RLRA
MPS651RLRAG
MPS651RLRBG
MPS651RLRM
MPS651RLRMG
MPS750
MPS750G
MPS750RLRA
MPS750RLRAG
MPS750RLRP
MPS750RLRPG
MPS751
MPS751G
MPS751RLRA
MPS751RLRAG
MPS751RLRP
MPS751RLRPG
MPS751ZL1
MPS751ZL1G
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
2000 /磁带&弹药
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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