初步
MX29F800T/B
8M - BIT [ 1Mx8 / 512Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
1,048,576 ×8 / 524,288 ×16切换
单电源工作
- 仅5.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间70 /90 / 120ns的
低功耗
- 50毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 7us / 12us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K - Bytex1 ，
8K - Bytex2 ， 32K - Bytex1和64K字节X15 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，另一个扇区是不存在
擦除，然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除操作完成。
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了检测程序的硬件方法
或擦除操作完成。
扇区保护
- 部门保护/取消保护芯片的5V / 12V系统。
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- Tempory机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
概述
该MX29F800T / B为8兆比特的闪存或 -
ganized为1M字节的8位或16位的512K字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益和
可靠的读/写的非易失性随机存取存储器。
该MX29F800T / B封装采用44引脚SOP ，48引脚
TSOP 。它被设计成可重新编程和擦除
在系统或标准EPROM编程器。
标准MX29F800T / B提供了存取时间快
作为为70ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
在MX29F800T / B已单独的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F800T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29F800T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0578
REV 。 1.7 ，七月24 ， 2001年
1
MX29F800T/B
销刀豆网络gurations
44 SOP （ 500万）
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
引脚说明
符号引脚名称
A0~A18
Q0~Q14
Q15/A-1
CE
WE
字节
RESET
OE
RY / BY
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
Q15 （字模式） / LSB地址（字节模式）
芯片使能输入
写使能输入
字/字节Selction输入
硬件复位引脚/扇区保护
开锁
输出使能输入
READY / BUSY输出
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
48 TSOP （标准型） （12毫米X 20毫米）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE
GND
CE
A0
P / N ： PM0578
MX29F800T/B
MX29F800T/B
REV 。 1.7 ，七月24 ， 2001年
2
MX29F800T/B
块结构
MX29F800T TOP引导扇区地址表
扇区大小
（千字节/
K字）
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
32/16
8/4
8/4
16/8
地址范围（十六进制）
(x16)
(x8)
地址范围
地址范围
00000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-17FFFh
18000h-1FFFFh
20000h-27FFFh
28000h-2FFFFh
30000h-37FFFh
38000h-3FFFFh
40000h-47FFFh
48000h-4FFFFh
50000h-57FFFh
58000h-5FFFFh
60000h-67FFFh
68000h-6FFFFh
70000h-77FFFh
78000h-7BFFFh
7C000h-7CFFFh
7D000h-7DFFFh
7E000h-7FFFFh
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
80000h-8FFFFh
90000h-9FFFFh
A0000h-AFFFFh
B0000h-BFFFFh
C0000h-CFFFFh
D0000h-DFFFFh
E0000h-EFFFFh
F0000h-F7FFFh
F8000h-F9FFFh
FA000h-FBFFFh
FC000h-FFFFFh
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
SA16
SA17
SA18
A18
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
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1
A17
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0
0
0
1
1
1
1
0
0
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0
1
1
1
1
1
1
1
A16
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1
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0
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0
0
1
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0
0
1
1
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1
1
A15
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0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
A14
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
1
1
A13
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
A12
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
X
MX29F800B底部引导扇区地址表
扇区大小
（千字节/
K字）
16/8
8/4
8/4
32/16
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
地址范围（十六进制）
(x16)
(x8)
地址范围
地址范围
00000h-01FFFh
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10000h-17FFFh
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30000h-37FFFh
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40000h-47FFFh
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50000h-57FFFh
58000h-5FFFFh
60000h-67FFFh
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70000h-77FFFh
78000h-7FFFFh
00000h-03FFFh
04000h-05FFFh
06000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
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90000h-9FFFFh
A0000h-AFFFFh
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C0000h-CFFFFh
D0000h-DFFFFh
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扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
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SA9
SA10
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SA12
SA13
SA14
SA15
SA16
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A18
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0
0
0
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0
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1
1
1
1
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A17
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1
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1
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A16
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1
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A15
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1
A14
0
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0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A13
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A12
X
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
注意：
地址范围为A18 ： A- 1字节模式和A18 ： A0字模式。
P / N ： PM0578
REV 。 1.7 ，七月24 ， 2001年
3
MX29F800T/B
自动编程
该MX29F800T / B是使用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间
该MX29F800T / B的房间的温度低于8
秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该装置将盟
tomatically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE的上升沿或CE ，取其hap-
笔先。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29F800T / B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成
在小于8秒。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F800T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式AL-
该阵列的低阶层在一个擦除周期被擦除。
自动扇区擦除算法自动
程序之前，电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的被CON组
该装置内的内部控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
类似的数据轮询和状态位状态位瓶酒
连续的读周期之间岭大战，提供馈
回给用户以编程的状态
操作。
P / N ： PM0578
REV 。 1.7 ，七月24 ， 2001年
5
初步
MX29F800T/B
8M - BIT [ 1Mx8 / 512Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
1,048,576 ×8 / 524,288 ×16切换
单电源工作
- 仅5.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间70 /90 / 120ns的
低功耗
- 50毫安最大工作电流
- 0.2uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 7us / 12us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K - Bytex1 ，
8K - Bytex2 ， 32K - Bytex1和64K字节X15 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据，
或程序的数据，另一个扇区是不存在
擦除，然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除操作完成。
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了检测程序的硬件方法
或擦除操作完成。
扇区保护
- 部门保护/取消保护芯片的5V / 12V系统。
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- Tempory机构撤消允许代码修改
先前锁定行业。
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
概述
该MX29F800T / B为8兆比特的闪存或 -
ganized为1M字节的8位或16位的512K字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益和
可靠的读/写的非易失性随机存取存储器。
该MX29F800T / B封装采用44引脚SOP ，48引脚
TSOP 。它被设计成可重新编程和擦除
在系统或标准EPROM编程器。
标准MX29F800T / B提供了存取时间快
作为为70ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
在MX29F800T / B已单独的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F800T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29F800T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0578
REV 。 1.7 ，七月24 ， 2001年
1
MX29F800T/B
销刀豆网络gurations
44 SOP （ 500万）
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
2
3
4
5
6
7
8
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11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
引脚说明
符号引脚名称
A0~A18
Q0~Q14
Q15/A-1
CE
WE
字节
RESET
OE
RY / BY
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
Q15 （字模式） / LSB地址（字节模式）
芯片使能输入
写使能输入
字/字节Selction输入
硬件复位引脚/扇区保护
开锁
输出使能输入
READY / BUSY输出
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
48 TSOP （标准型） （12毫米X 20毫米）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RY / BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
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24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE
GND
CE
A0
P / N ： PM0578
MX29F800T/B
MX29F800T/B
REV 。 1.7 ，七月24 ， 2001年
2
MX29F800T/B
块结构
MX29F800T TOP引导扇区地址表
扇区大小
（千字节/
K字）
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
32/16
8/4
8/4
16/8
地址范围（十六进制）
(x16)
(x8)
地址范围
地址范围
00000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-17FFFh
18000h-1FFFFh
20000h-27FFFh
28000h-2FFFFh
30000h-37FFFh
38000h-3FFFFh
40000h-47FFFh
48000h-4FFFFh
50000h-57FFFh
58000h-5FFFFh
60000h-67FFFh
68000h-6FFFFh
70000h-77FFFh
78000h-7BFFFh
7C000h-7CFFFh
7D000h-7DFFFh
7E000h-7FFFFh
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
80000h-8FFFFh
90000h-9FFFFh
A0000h-AFFFFh
B0000h-BFFFFh
C0000h-CFFFFh
D0000h-DFFFFh
E0000h-EFFFFh
F0000h-F7FFFh
F8000h-F9FFFh
FA000h-FBFFFh
FC000h-FFFFFh
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
SA16
SA17
SA18
A18
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
A17
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
A16
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
A15
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
A14
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
1
1
A13
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
A12
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
X
MX29F800B底部引导扇区地址表
扇区大小
（千字节/
K字）
16/8
8/4
8/4
32/16
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
地址范围（十六进制）
(x16)
(x8)
地址范围
地址范围
00000h-01FFFh
02000h-02FFFh
03000h-03FFFh
04000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-17FFFh
18000h-1FFFFh
20000h-27FFFh
28000h-2FFFFh
30000h-37FFFh
38000h-3FFFFh
40000h-47FFFh
48000h-4FFFFh
50000h-57FFFh
58000h-5FFFFh
60000h-67FFFh
68000h-6FFFFh
70000h-77FFFh
78000h-7FFFFh
00000h-03FFFh
04000h-05FFFh
06000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
80000h-8FFFFh
90000h-9FFFFh
A0000h-AFFFFh
B0000h-BFFFFh
C0000h-CFFFFh
D0000h-DFFFFh
E0000h-EFFFFh
F0000h-FFFFFh
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
SA16
SA17
SA18
A18
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
A17
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
A16
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A15
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
A14
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A13
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A12
X
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
注意：
地址范围为A18 ： A- 1字节模式和A18 ： A0字模式。
P / N ： PM0578
REV 。 1.7 ，七月24 ， 2001年
3
MX29F800T/B
自动编程
该MX29F800T / B是使用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间
该MX29F800T / B的房间的温度低于8
秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该装置将盟
tomatically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE的上升沿或CE ，取其hap-
笔先。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29F800T / B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成
在小于8秒。自动擦除算法
自动程序electri-之前，整个阵列
CAL擦除。电擦除的定时与验证
在设备内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F800T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式AL-
该阵列的低阶层在一个擦除周期被擦除。
自动扇区擦除算法自动
程序之前，电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的被CON组
该装置内的内部控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
类似的数据轮询和状态位状态位瓶酒
连续的读周期之间岭大战，提供馈
回给用户以编程的状态
操作。
P / N ： PM0578
REV 。 1.7 ，七月24 ， 2001年
5
QQ：2881677436 复制
