ISO 9001认证DSCC
M.S.KENNEDY CORP 。
75伏20安培MOSFET
H桥PWM电机
驱动器/放大器
4225
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦，NY 13088
产品特点：
低RDS （ ON） 0.013Ω典型
低成本完整H桥
20安培能力， 75伏最大额定值
自包含智能低压侧/高压侧驱动电路
内部45KHZ PWM生成，击穿保护
孤立的案例可直接散热
逻辑电平禁止输入
逻辑电平高压侧的使能输入特殊调制或功能
描述：
MSK的4225是一个完整的H桥电路用于直流有刷电机控制或D类开关模式amplifi-
阳离子。所有的驱动器/控制电路为低压侧和高压侧开关是内部电路。在45KHZ PWM
电路是内部为好，因此，用户仅提供一个模拟信号对电机速度/方向，或音频信号，用于
转换式音频放大。该MSK 4225是在一个节省空间的塑料功率封装，可以构建
直接用螺栓固定在散热片上。
等效原理图
典型应用
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
引脚分配信息
NC
VCC
HEN
DIS
NC
输入
NC
GND
GND
NC
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
RSENSE一
RSENSE一
OUTPUT A
OUTPUT A
V+
V+
OUTPUT B
OUTPUT B
RSENSE B
RSENSE B
版本B 11/04
绝对最大额定值
○
○
○
○
○
○
○
○
○
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○
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
○
○
○
○
○
电气规格
TC = + 25 ° C除非另有说明
MSK 4225
参数
输出特性
的RDS（ON ）1 4
VDS（ON ）电压
正向电压
反向恢复时间
漏电流
PWM频率
VCC
电源特性
模拟输入= 6V
DC
-
9
1
输出A ， B = 50 ％占空比
输出A = 100 ％占空比高
输出B = 100 ％占空比高
1
输入电压LO
禁止输入
输入电压HI
输入电流（ DISABLE = 0V）
输入电压LO
HEN输入
输入电压HI
输入电流（ HEN = 0V ）
开关特性
上升时间
下降时间
死区时间
1
R
L
=100
-
-
-
50
170
100
-
-
-
nS
nS
nS
-
2.7
-
-
2.7
-
-
-
-
-
-
-
0.8
-
135
0.8
-
270
V
V
uA
V
V
uA
-
-
-
6
4
8
-
-
-
V
V
V
43
12
50
16
mA
V
1
每个MOSFET我
D
=20A
每个MOSFET我
D
=20A
3
3
-
-
-
-
-
40
-
0.45
1.0
-
1.0
45
0.013
0.52
1.3
280
25
50
V
V
nS
uA
千赫
测试条件
2
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
每个MOSFET我
S
= 20A征二极管
征二极管
每个MOSFET V + = 70V
静态偏置电流
VCC电压范围
1
输入信号特性
模拟输入电压
模拟输入电压
模拟输入电压
逻辑控制输入
注意事项：
1
2
3
4
通过设计保证，但未经测试。典型的参数是代表实际器件性能，但是仅用于参考。
VCC = + 12V ，V + = 28V ， RSENSE A，B =地面， DIS = 0V ， HEN = N / C ，除非另有规定。
使用300μS脉冲具有2 ％占空比测量。
导通电阻被指定为内部MOSFET的热计算。它不包括封装引脚电阻。
2
版本B 11/04
○
○
○
○
○
○
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○
V+
V
CC
I
OUT
I
PK
V
OUT
θJC
高电压源
75V
逻辑电源
16V
连续输出电流
20A
峰值输出电流
40A
输出电压范围
GND -2V分钟。到V +最大。
热阻
3.0°C/W
（输出开关@ 125°C ）
T
ST
存储温度范围
T
LD
铅温度范围
（10秒）
T
C
情况下的工作温度
MSK4225
T
J
结温
-55 ° C至+ 125°C
300°C
应用笔记
MSK 4225引脚说明
VCC
- 是低电压电源来驱动内部逻辑
和驱动程序的低边和高边MOSFET的。
该系列电源的高边驱动源于此
电压。
V+
- 是高电压H桥供电。 MOSFET的
获得该电源引脚的驱动电流。电压
这个引脚由驱动IC的限制。这些MOSFET
额定电压为75伏。合适的旁通到
GND
与suffi-
cient电容，以抑制任何电压瞬变和
为确保切换过程中去除任何下垂，应
做到尽可能靠近模块尽可能的引脚。
OUTPUT A
- 是的输出引脚一半的桥。
降低输入电压上升原因占空比
在此输出。
OUTPUT B
- 是输出引脚的另一半
桥梁。增加输入电压上升原因
占空因数在此输出。
RSENSE一
- 是的半底部的连接
桥梁。这可能有一个检测电阻器连接
V +返回地面限流检测，也可以CON组
连接的直接接地。在此最大电压
引脚为± 2伏相对于GND 。
RSENSE B
- 是否为B一半的底部连接
桥梁。这可能有一个检测电阻器连接
V +返回地面限流检测，也可以CON组
连接的直接接地。在此最大电压
引脚为± 2伏相对于GND 。
GND
- 是用于将输入逻辑和Vcc的应答连接。
输入
- 是一个模拟输入端，用于控制所述PWM脉冲
宽度的桥梁。电压低于VCC / 2将亲
达斯大于50 ％的占空比的脉冲输出的出
A.电压高于VCC / 2会产生大于
50 ％占空比的脉冲输出出来的B.
关闭
- 是禁用所有4个输出连接
开关。禁用高覆盖所有其他投入。当
取低，功能一切正常。内部
上拉至Vcc将保持禁用高，如果悬空。
HEN
- 是使高侧输出的连接
开关。当为低电平， HEN将覆盖其他投入
而高边开关保持关闭状态。当HEN高
一切功能正常。内部上拉至Vcc
如果悬空将保持HEN高。
典型的系统操作
这是MSK4225的一个典型应用的示意图。该
设计Vcc的电压是12伏，并且应具有良好的低ESR
旁路电容，如钽电解。模拟输入
可以是从一个电位器的模拟速度控制电压，另
模拟电路或由微处理器和一个D / A转换器。这
模拟输入被通过所述电流控制电路在适当的拉
方向，以减少电流流过电桥，如果它太高。
电流控制放大器的增益，将具有被设置为
得到的电流适量所需的系限幅
统。
IN
电流检测是在这种情况下，通过一个0.1欧姆感进行电阻
Tor的感知，从两条腿的桥梁分别电流。这是
重要的是使高电流迹线尽可能的大，以保持
值，电感下来。存储电容器连接在V +和
该模块应该足够大，以提供高能量
无脉冲的电压下垂太远。低ESR陶瓷
电容器或大聚丙烯电容器是必要的。安装
电容器尽可能靠近模块成为可能。连接
GND和V +收益之间不应该携带任何电机
电流。检测电阻信号的共模滤波作为必要请
埃森喂限制电路为微处理器。这
应用程序将允许完全的四象限转矩控制的封闭
闭环伺服系统。
甲缓冲网络通常是必需的，由于在电感
电源回路。设计缓冲网络到是很重要的
抑制上述70V ，负尖峰任何积极的尖峰BE-
低-2V相对于地面。
*有一定的感性负载情况下都不可能事业
瞬间直通或交叉传导条件的
MSK4225 。该直通大约100nSec长
并且可以是几个安培，这取决于布局和阻抗
旁路电路。最旁路电流感应过滤器 -
ING通常会消除影响。但是，在的情况下它
仍然存在，或者检测电阻的走线长度很长，反接
偏颇的超快恢复二极管或肖特基功率二极管的
RSENSE A和RSENSE B为电源地将最大限度地减少或消除
奈特的情况。
3
版本B 11/04
机械的特定网络阳离子
ESD三角表示引脚1 。
注：所有尺寸均为± 0.010除非另有标注。
订购信息
部分
数
MSK4225S
MSK4225D
MSK4225U
MSK4225G
筛选
水平
产业
产业
产业
产业
领导
CON组fi guration
直
下
Up
鸥翼
.M.S。肯尼迪公司
4704戴伊路，利物浦，纽约州13088
电话（ 315 ） 701-6751
传真（ 315 ） 701-6752
www.mskennedy.com
此处包含的信息被认为是准确的，在印刷的时候。 MSK保留做出正确的
然而，改变其产品或规格，恕不另行通知，并且对使用其产品的任何责任。
请访问我们的网站，了解最新的这个数据表的修改。
5
版本B 11/04
ISO 9001认证DSCC
M.S.KENNEDY CORP 。
75伏20安培MOSFET
H桥PWM电机
驱动器/放大器
4225
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦，NY 13088
产品特点：
低RDS （ ON） 0.013Ω典型
低成本完整H桥
20安培能力， 75伏最大额定值
自包含智能低压侧/高压侧驱动电路
内部45KHZ PWM生成，击穿保护
孤立的案例可直接散热
逻辑电平禁止输入
逻辑电平高压侧的使能输入特殊调制或功能
描述：
MSK的4225是一个完整的H桥电路用于直流有刷电机控制或D类开关模式amplifi-
阳离子。所有的驱动器/控制电路为低压侧和高压侧开关是内部电路。在45KHZ PWM
电路是内部为好，因此，用户仅提供一个模拟信号对电机速度/方向，或音频信号，用于
转换式音频放大。该MSK 4225是在一个节省空间的塑料功率封装，可以构建
直接用螺栓固定在散热片上。
等效原理图
典型应用
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
引脚分配信息
NC
VCC
HEN
DIS
NC
输入
NC
GND
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20
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11
RSENSE一
RSENSE一
OUTPUT A
OUTPUT A
V+
V+
OUTPUT B
OUTPUT B
RSENSE B
RSENSE B
版本B 11/04
绝对最大额定值
○
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-40 ° C至+ 85°C
+150°C
○
○
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○
电气规格
TC = + 25 ° C除非另有说明
MSK 4225
参数
输出特性
的RDS（ON ）1 4
VDS（ON ）电压
正向电压
反向恢复时间
漏电流
PWM频率
VCC
电源特性
模拟输入= 6V
DC
-
9
1
输出A ， B = 50 ％占空比
输出A = 100 ％占空比高
输出B = 100 ％占空比高
1
输入电压LO
禁止输入
输入电压HI
输入电流（ DISABLE = 0V）
输入电压LO
HEN输入
输入电压HI
输入电流（ HEN = 0V ）
开关特性
上升时间
下降时间
死区时间
1
R
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=100
-
-
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50
170
100
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-
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nS
nS
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2.7
-
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2.7
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-
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-
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0.8
-
135
0.8
-
270
V
V
uA
V
V
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-
-
-
6
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-
-
-
V
V
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43
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50
16
mA
V
1
每个MOSFET我
D
=20A
每个MOSFET我
D
=20A
3
3
-
-
-
-
-
40
-
0.45
1.0
-
1.0
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0.013
0.52
1.3
280
25
50
V
V
nS
uA
千赫
测试条件
2
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
每个MOSFET我
S
= 20A征二极管
征二极管
每个MOSFET V + = 70V
静态偏置电流
VCC电压范围
1
输入信号特性
模拟输入电压
模拟输入电压
模拟输入电压
逻辑控制输入
注意事项：
1
2
3
4
通过设计保证，但未经测试。典型的参数是代表实际器件性能，但是仅用于参考。
VCC = + 12V ，V + = 28V ， RSENSE A，B =地面， DIS = 0V ， HEN = N / C ，除非另有规定。
使用300μS脉冲具有2 ％占空比测量。
导通电阻被指定为内部MOSFET的热计算。它不包括封装引脚电阻。
2
版本B 11/04
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V+
V
CC
I
OUT
I
PK
V
OUT
θJC
高电压源
75V
逻辑电源
16V
连续输出电流
20A
峰值输出电流
40A
输出电压范围
GND -2V分钟。到V +最大。
热阻
3.0°C/W
（输出开关@ 125°C ）
T
ST
存储温度范围
T
LD
铅温度范围
（10秒）
T
C
情况下的工作温度
MSK4225
T
J
结温
-55 ° C至+ 125°C
300°C
应用笔记
MSK 4225引脚说明
VCC
- 是低电压电源来驱动内部逻辑
和驱动程序的低边和高边MOSFET的。
该系列电源的高边驱动源于此
电压。
V+
- 是高电压H桥供电。 MOSFET的
获得该电源引脚的驱动电流。电压
这个引脚由驱动IC的限制。这些MOSFET
额定电压为75伏。合适的旁通到
GND
与suffi-
cient电容，以抑制任何电压瞬变和
为确保切换过程中去除任何下垂，应
做到尽可能靠近模块尽可能的引脚。
OUTPUT A
- 是的输出引脚一半的桥。
降低输入电压上升原因占空比
在此输出。
OUTPUT B
- 是输出引脚的另一半
桥梁。增加输入电压上升原因
占空因数在此输出。
RSENSE一
- 是的半底部的连接
桥梁。这可能有一个检测电阻器连接
V +返回地面限流检测，也可以CON组
连接的直接接地。在此最大电压
引脚为± 2伏相对于GND 。
RSENSE B
- 是否为B一半的底部连接
桥梁。这可能有一个检测电阻器连接
V +返回地面限流检测，也可以CON组
连接的直接接地。在此最大电压
引脚为± 2伏相对于GND 。
GND
- 是用于将输入逻辑和Vcc的应答连接。
输入
- 是一个模拟输入端，用于控制所述PWM脉冲
宽度的桥梁。电压低于VCC / 2将亲
达斯大于50 ％的占空比的脉冲输出的出
A.电压高于VCC / 2会产生大于
50 ％占空比的脉冲输出出来的B.
关闭
- 是禁用所有4个输出连接
开关。禁用高覆盖所有其他投入。当
取低，功能一切正常。内部
上拉至Vcc将保持禁用高，如果悬空。
HEN
- 是使高侧输出的连接
开关。当为低电平， HEN将覆盖其他投入
而高边开关保持关闭状态。当HEN高
一切功能正常。内部上拉至Vcc
如果悬空将保持HEN高。
典型的系统操作
这是MSK4225的一个典型应用的示意图。该
设计Vcc的电压是12伏，并且应具有良好的低ESR
旁路电容，如钽电解。模拟输入
可以是从一个电位器的模拟速度控制电压，另
模拟电路或由微处理器和一个D / A转换器。这
模拟输入被通过所述电流控制电路在适当的拉
方向，以减少电流流过电桥，如果它太高。
电流控制放大器的增益，将具有被设置为
得到的电流适量所需的系限幅
统。
IN
电流检测是在这种情况下，通过一个0.1欧姆感进行电阻
Tor的感知，从两条腿的桥梁分别电流。这是
重要的是使高电流迹线尽可能的大，以保持
值，电感下来。存储电容器连接在V +和
该模块应该足够大，以提供高能量
无脉冲的电压下垂太远。低ESR陶瓷
电容器或大聚丙烯电容器是必要的。安装
电容器尽可能靠近模块成为可能。连接
GND和V +收益之间不应该携带任何电机
电流。检测电阻信号的共模滤波作为必要请
埃森喂限制电路为微处理器。这
应用程序将允许完全的四象限转矩控制的封闭
闭环伺服系统。
甲缓冲网络通常是必需的，由于在电感
电源回路。设计缓冲网络到是很重要的
抑制上述70V ，负尖峰任何积极的尖峰BE-
低-2V相对于地面。
*有一定的感性负载情况下都不可能事业
瞬间直通或交叉传导条件的
MSK4225 。该直通大约100nSec长
并且可以是几个安培，这取决于布局和阻抗
旁路电路。最旁路电流感应过滤器 -
ING通常会消除影响。但是，在的情况下它
仍然存在，或者检测电阻的走线长度很长，反接
偏颇的超快恢复二极管或肖特基功率二极管的
RSENSE A和RSENSE B为电源地将最大限度地减少或消除
奈特的情况。
3
版本B 11/04
机械的特定网络阳离子
ESD三角表示引脚1 。
注：所有尺寸均为± 0.010除非另有标注。
订购信息
部分
数
MSK4225S
MSK4225D
MSK4225U
MSK4225G
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水平
产业
产业
产业
产业
领导
CON组fi guration
直
下
Up
鸥翼
.M.S。肯尼迪公司
4704戴伊路，利物浦，纽约州13088
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传真（ 315 ） 701-6752
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5
版本B 11/04
QQ：2880707522 复制
