MX29F100T/B
1M - BIT [ 128Kx8 / 64Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
5V ±10 ％，持续读取，擦除和写入操作
131072x8 / 65536x16切换
快速访问时间55 /70/ 90 / 120ns的
低功耗
- 40毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1
uA
典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 7us / 12us典型值）
- 擦除（ 16K - Bytex1 ， 8K - Bytex2 ， 32K - Bytex1和
64K字节×1）
自动擦除（芯片）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合或
与擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除周期结束。
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
- 高级无意写保护
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 部门保护/取消保护的5V只有系统或5V /
12V系统
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了硬件方法或检测程序
或擦除周期结束
擦除暂停/擦除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
节目数据到一个扇区一个没有被擦除，
然后恢复擦除操作。
硬件复位引脚
- 硬件设备重新读书的方法
该设备读取阵列的数据。
20年数据保留
概述
该MX29F100T / B是1兆比特的闪存
组织为131,072字节或65,536字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益
和可靠的读/写非易失性随机存取
内存。该MX29F100T / B封装采用44引脚
SOP和48引脚TSOP 。它被设计成可重现
编程和擦除的系统内或在标
EPROM编程器。
标准MX29F100T / B提供了存取时间为
高速微型快55ns ，使操作
处理器无需等待。为了消除总线
争中， MX29F100T / B具有单独的芯片
使能（CE ）和输出使能（OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能 - EPROM
先进而精湛，在电路中的电擦除和
编程。该MX29F100T / B使用命令
注册管理此功能。命令
寄存器允许为100％的TTL电平的控制输入和
P / N ： PM0548
擦除过程中固定电源水平和
编程，同时保持最大的EPROM
兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器CON-
即使经过10万次擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外， combi-
先进的隧道氧化处理和低的国家
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。该
MX29F100T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC供应
执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
REV 。 1.2 ，十一月12 ， 2001年
1
MX29F100T/B
销刀豆网络gurations
44SOP(500mil)
NC
RY / BY
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
NC
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
48 TSOP （I型） （12毫米X 20毫米）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RY / BY
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
NC
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE
GND
CE
A0
MX29F100T/B
MX29F100T/B
（普通型）
引脚说明：
符号
A0-A15
Q0-Q14
Q15/A-1
CE
OE
RESET
WE
RY / BY
字节
VCC
GND
NC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
Q15 （字模式） / LSB地址（字节模式）
芯片使能输入
输出使能输入
硬件复位引脚，低电平有效
写使能输入
READY / BUSY输出
字/字节选择输入
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
引脚没有内部连接
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2
MX29F100T/B
自动编程
该MX29F100T / B是字节/字编程使用
自动编程算法。自动
编程算法不要求系统
超时序列，或验证编程的数据。该
在MX29F100T / B的典型芯片编程时间
室温下是小于3.5秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用待机动写命令到命令寄存器
德国电视一台微处理器写时序。该设备将
自动预编程和验证整个阵列。
然后自动装置倍擦除脉冲
宽度，验证擦除和计数的数目
序列。状态位之间连续切换
读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机，它控制了擦除和编程
电路。在写周期中，命令寄存器
内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。在一个系统
写周期，地址锁存下降沿，
和数据被锁存在WE的上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平， relia-
相容性，和成本效益。该MX29F100T / B electri-
美云擦除同时使用福勒， Nord-所有位
海姆隧道。的字节是通过使用编程的
的热电子EPROM编程机制
注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
程序序列和指令寄存器不会重新
有反应的任何命令集。在一个扇区擦除周期，
命令寄存器将只响应擦除可持
挂起命令。经过擦除暂停结束后，
设备停留在读取模式。之后的状态机具有
完成了其任务，它将允许在命令寄存器
应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒删除批量删除
根据旺宏的自动芯片擦除脉冲
算法。典型擦除在室温下是
完成的时间小于3秒。自动
擦除算法自动程序的整个
阵列之前，电擦除。定时和
验证电擦除的内部控制，
通过该设备。
自动扇区擦除
该MX29F100T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动亲
克前电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的是相互
应受由装置控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户仅写入程序设置命令
（包括2个解锁写周期和A0H ）和程序
命令（程序数据和地址）。该装置
自动时间的编程脉冲宽度，
验证程序和计数的数目
序列。类似的数据查询和状态位
状态位连续的读周期之间切换，
提供反馈给用户来的状态
编程操作。
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