19-0810 ;冯0 ; 4/07
过电压保护器与
外部PFET
概述
在MAX4923 - MAX4926过压保护
（ OVP ）控制器保护低压系统对
高达+ 28V的高压故障与适当的
外部pFET的。当输入电压超过过
欠压锁定（ OVLO ）阈值或低于
欠压锁定（ UVLO ）阈值时，这些设备
关闭该pFET ，以防止损坏的保护康波
部分，而且发出一个标志，通知故障的处理器
条件。
典型的过电压跳闸级别设置为7.18V
（ MAX4923 ） ， 6.16V （ MAX4924 ） ， 5.65V （ MAX4925 ） ，并
4.46V （ MAX4926 ） 。欠电压脱扣级别设置为
2.44V （典型值）的所有设备。
输入端（ IN）的ESD保护±15kV的HBM时
旁路至地， 1μF的陶瓷电容。所有
器件采用小型， 6引脚（ 1.5毫米X 1.0毫米）
μDFN封装，规定工作在扩展级
-40 ° C至+ 85 °C温度范围。
o
过压保护高达+ 28V
o
预设7.18V ， 6.16V ， 5.65V ， 4.46V和典型
过电压跳闸水平
o
预设2.44V典型欠压脱扣等级
o
± 2.5 ％准确的过压/欠压
TRIP水平
o
低13μA （典型值）电源电流
o
驱动器外部PFET
o
20ms的适配器去抖时间
o
故障标志指示
o
6引脚（ 1.5毫米X 1.0毫米） μDFN封装
特点
MAX4923–MAX4926
应用
手机
数码相机
PDA和掌上电脑设备
MP3播放器
输入
+ 1.8V至28V
典型工作电路
P
产量
引脚配置
顶视图
N.C
6
N.C
5
门
4
1μF
1
IN
4
门
MAX4923–MAX4926
V
IO
2
3
GND
旗
MA4923
–
MAX4926
1
IN
2
GND
3
旗
μDFN
定购信息/选型指南
部分
MAX4923ELT+*
MAX4924ELT+
MAX4925ELT+
MAX4926ELT+
PIN- PACKAGE
6 μDFN
6 μDFN
6 μDFN
6 μDFN
OVLO （ V）
7.18
6.16
5.65
4.46
UVLO （ V）
2.44
2.44
2.44
2.44
顶标
LB
LC
LD
LE
PKG CODE
L611-1
L611-1
L611-1
L611-1
注意：
所有器件均工作在-40 ° C至+ 85°C的工作温度范围。
+表示
无铅封装。
*未来
接触产品的工厂。
________________________________________________________________
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1
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过电压保护器与
外部PFET
MAX4923–MAX4926
绝对最大额定值
IN，门到GND ............................................. .......- 0.3V至+ 30V
FLAG到GND ............................................... ............- 0.3V至+ 6V
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
6 μDFN （减免2.1mW /°C， 70°C以上） ....................... 168mW
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
结温................................................ ..... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ................................ + 300℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
IN
= + 5V为MAX4923 / MAX4924 / MAX4925 ，V
IN
= + 4V为MAX4926 ，C
门
= 500pF的至IN ，T
A
= -40 ° C至+ 85 ° C，除非另有
指出。典型值是在T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
输入电压范围
符号
V
IN
MAX4923
过压闭锁等级
OVLO
V
IN
升起
MAX4924
MAX4925
MAX4926
MAX4923
过压闭锁滞后
MAX4924
MAX4925
MAX4926
欠压锁定电平
欠压闭锁滞后
电源电流
栅极电压高
栅极下拉电流
旗低压
标记漏电流
时序特性
去抖时间
t
DEB
V
UVLO
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
OVLO ，
时间GATE去
低（图1）
V
门
= 5V至0.5V
（ MAX4923 / MAX4924 / MAX4925 ）或
V
门
= 4V到0.5V （ MAX4926 ） （图1）
V
IN
在1V升/μs的从5V至8V
（ MAX4923 / MAX4924 / MAX4925 ）或4V
到7V （ MAX4926 ）到V
门
= V
IN
-0.5V
（图1）
V
IN
在1V微秒从5V至8V上升
（ MAX4923 / MAX4924 / MAX4925 ）或4V
到7V （ MAX4926 ） ，以V
旗
= 2.4V,
R
旗
= 10kΩ至3V （图1）
10
20
34
ms
I
IN
V
OH
I
PD
V
OL
I
LKG
MAX4923/MAX4924/MAX4925
MAX4926
V
IN
> 8V ，我
来源
= 0.1毫安
V
门
= V
IN
I
SINK
= 1毫安
V
旗
= 5.5V
-1
V
IN
-
0.2
6.5
12
0.4
+1
UVLO
V
IN
落下
2.378
条件
民
1.8
7.00
6.00
5.50
4.35
7.18
6.16
5.65
4.46
65
55
50
40
2.439
20
14
13
25
23
2.500
V
mV
A
V
mA
V
A
mV
典型值
最大
28.0
7.36
6.31
5.79
4.57
V
单位
V
栅极导通时间
t
坤
0.6
s
栅极关断时间
t
高夫
5
20
s
FLAG触发延迟
t
旗
4.5
s
注1 ：
所有设备都100 ％在+ 25°C的测试。在整个温度范围内的电气限制通过设计和特性保证。
2
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过电压保护器与
外部PFET
典型工作特性
(V
IN
= + 5V为MAX4923 / MAX4924 / MAX4925 ，V
IN
= + 4V为MAX4926 （ pFET的= Si6991DQ ） ，T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
电源电流与输入电压
MAX4923 TOC01
MAX4923–MAX4926
栅极电压与输入电压
MAX4925
8
栅极电压（ V）
MAX4923 toc02
GATE -输出低电压
与门的灌电流
MAX4923 toc03
100
10
250
GATE输出低电压（MV ）
80
电源电流（ μA ）
MAX4925
60
200
V
CC
= +2.5V
150
V
CC
= +3.3V
6
40
MAX4926
4
100
20
2
50
V
CC
= +5.5V
0
0
4
8
12
16
20
24
28
输入电压（ V）
0
2
4
6
8
输入电压（ V）
0
0
200
400
600
800
GATE吸收电流（ μA ）
1000
电源电流与温度的关系
MAX4926
V
CC
= +4V
14
电源电流（ μA ）
MAX4923 toc04
POWER- UP响应
MAX4923 toc05
POWER- UP响应
MAX4923 toc06
15
V
IN
5V/div
5V/div
V
IN
5V/div
V
OUT
13
5V/div
12
5V/div
VFLAG
10
-40
-15
10
35
60
85
20.0毫秒
10.0ms
温度（℃）
V
门
1A/div
I
IN
5V/div
V
旗
11
过电压响应
MAX4923 toc07
POWER- UP过电压响应
MAX4923 toc08
5V/div
V
IN
5V/div
V
IN
5V/div
V
门
5V/div
V
门
10mA/div
I
门
5V/div
V
旗
5V/div
V
旗
20.0μs
10.0ms
_______________________________________________________________________________________
3
过电压保护器与
外部PFET
MAX4923–MAX4926
引脚说明
针
1
2
3
4
5, 6
名字
IN
GND
旗
门
北卡罗来纳州
功能
电压输入。 IN是两个电源输入端和所述的过电压/欠电压检测输入端。旁路至
GND与1μF的陶瓷电容应尽可能靠近该设备使具有±15kV （ HBM ） ESD保护
在研究。
地
故障指示开漏输出。 FLAG变为欠压和过压锁定在高
条件。 FLAG置为低电平正常工作期间。
PFET栅极驱动输出。在故障条件下GATE驱动为高电平关断的外部pFET 。当
V
UVLO
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
OVLO ，
门被拉低，外部pFET的被打开。
无连接。没有内部连接。离开北卡罗来纳州无关。
工作原理图
IN
栅极驱动器
门
MAX4923–MAX4926
GND
OVLO和
UVLO
探测器
控制
逻辑与
定时器
旗
V
OVLO
V
IN
t
DEB
t
高夫
V
IN
- 0.5V
t
DEB
t
高夫
V
UVLO
V
IN
- 0.5V
V
门
O.5V
t
坤
t
旗
t
坤
O.5V
t
旗
3V
V
旗
图1.时序图
4
_______________________________________________________________________________________
过电压保护器与
外部PFET
MAX4923–MAX4926
待机
GATE =高
FLAG = HIGH
V
UVLO
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
OVLO
输入
系统
负载
适配器
内建的
电池
充电器
P
产量
+
锂离子电池
电池
-
1
IN
门
4
V
IN
＆ LT ; V
UVLO
时间开始
计数
T = 20毫秒
V
IN
＆ GT ; V
OVLO
MAX4926
V
I0
2
GND
旗
3
ON
GATE =低
FLAG = LOW
图2.状态机
图3. MAX4926典型工作电路
详细说明
在MAX4923 - MAX4926过压保护
控制器保护低压系统对高
与-30V使用时高达+ 28V的电压故障
pFET的。当输入电压超过OVLO
阈值时，这些设备关闭的外部pFET
防止损伤的保护元件。
典型的过电压跳闸级别设置为7.18V
（ MAX4923 ） ， 6.16V （ MAX4924 ） ， 5.65V （ MAX4925 ） ，并
4.46V （ MAX4926 ） 。当电源下降至低于
UVLO阈值时，器件关断外部pFET的。
IN是ESD保护， + 15千伏（人体模式）时，
绕过一个1μF的陶瓷电容到地。
设备操作
在MAX4923 - MAX4926具有一个板载状态
机，以控制设备的操作。流程图是
在图2中示出在初始上电时，若V
IN
＆ LT ; V
UVLO
or
如果V
IN
＆ GT ; V
OVLO
，无论是GATE和FLAG是很高的。当
V
UVLO
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
OVLO
，内部定时器开始计数
并且该设备后， 20ms的延迟进入其状态。在
任何时候如果V
IN
低于V
UVLO
以上V
OVLO
,
无论GATE和FLAG过渡高。
应用信息
MAX4926的应用
在一个典型的应用为MAX4926 ，外部
适配器内置电池充电器连接至IN
和一个电池被连接到外部的漏
FET 。当适配器被拔掉，IN是直接CON-
通过外部FET ，连接到该电池。自
电池电压通常大于Vout
UVLO
中，
栅极电压保持低电平，器件仍然pow-
由电池ERED 。
欠压锁定（ UVLO ）
在MAX4923 - MAX4926具有固定的2.44V （典型值）
UVLO水平。当V
IN
小于V
UVLO
，门高
FLAG为高。
过压锁定（ OVLO ）
该MAX4923具有7.18V （典型值） OVLO ;在MAX4924
具有6.16V （典型值） OVLO ;该MAX4925具有5.65V
（典型值） OVLO ;而MAX4926具有4.46V （典型值） OVLO 。
当V
IN
大于V
OVLO
， GATE为高，
FLAG是很高的。
MOSFET选择
在MAX4923 - MAX4926的设计与使用
是单一的pFET或并联双的PFET 。
MOSFET的有R
DS （ ON）
的V指定
GS
-4.5V的是
推荐使用。对于附近的UVLO马克西输入电源
2.5V的妈妈，用一个较低的V的MOSFET
GS
电压。另外，在V
DS
必须为-30V和V
GS
（最大）
必须比在V更高
OVLO
（最大值）为MOSFET
承受的全部+ 28V输入范围
MAX4923–MAX4926.
标志输出
漏极开路输出FLAG用于发送信号到
主机系统，该系统有一个与输入电压故障。
FLAG变高过压或欠压时
故障。从FLAG连接一个上拉电阻的逻辑
I / O主机系统的电压。
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5
QQ：2881677436 复制
