MX29F022/022N
2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
262,144x 8只
快速访问时间55 /70/ 90 / 120ns的
低功耗
-30mA最大工作电流
-1uA典型待机电流@ 5MHz的
编程和擦除电压为5V ± 10 ％
命令寄存器架构
- 字节编程（ 7us典型值）
-Sector擦除（ 16K字节X1 ， 8K字节×2 ， 32K字节
X1和64K字节×3 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合或
整个芯片擦除挂起功能。
- 自动编程和校验数据atspecified
地址
擦除暂停/删除恢复
-Suspends擦除操作，以从读出的数据，
或程序的数据，一个没有被擦除扇区，
然后恢复擦除操作。
状态回复
- 数据轮询&切换位检测程序和
擦除周期结束。
芯片保护/取消保护的5V只有系统或5V / 12V
系统
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
引导代码部门架构
-T =顶部引导扇区
-B =底部引导扇区
硬件复位引脚
-Resets内部状态机读取模式
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
-32引脚PDIP
-32引脚PLCC
-32针TSOP （类型1）
20年数据保留
概述
该MX29F022T / B为2兆比特的闪存
组织为256K字节只有8位。 MXIC的Flash
回忆提供最具成本效益和可靠的读取/
写非易失性随机存取内存。
MX29F022T / B封装采用32引脚PDIP ， PLCC和
32脚TSOP （Ⅰ） 。它被设计成可重新编程和
删除在系统或标准EPROM编程器。
标准MX29F022T / B提供了存取时间快
为55ns ，高速microproc允许操作
essors无等待状态。为了消除总线争用，
在MX29F022T / B已单独的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F022T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中，在保持
最大的EPROM的兼容性。
MXIC的Flash技术可靠地保存存储器
即使经过10万次擦除和编程的内容。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外，该组合
先进的隧道氧化处理，低灰
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。该MX29F022T /
B采用的是5.0V
±
10 ％的VCC电源进行高
擦除的可靠性和自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁
保护被证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0556
REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年
1
MX29F022/022N
自动编程
该MX29F022T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动
编程算法不要求系统
超时或验证编程的数据。典型的芯片
该MX29F022T / B在室温温编程时间
perature小于2秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该装置将盟
tomatically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
verifily擦除操作，并计算序列的数量。
类似的数据轮询和状态位状态位瓶酒
连续的读周期之间岭大战prodvides馈
回给用户以编程的状态
操作。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机，它
控制擦除和编程电路。中
写周期，命令寄存器锁存器内部
地址和所需的编程和擦除数据
操作。在系统写周期的地址是
锁存的下降沿，并且数据被锁存的
WE上升边缘。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29F022T / B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节编程1
在时刻字节使用EPROM编程机器人 -
NISM热电子注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的高可靠性芯片擦除
算法。典型擦除在室温下是
完成在不到两秒钟。该装置是
使用自动擦除算法擦除。该
自动擦除算法自动方案
整个阵列之前，电擦除。定时和
验证电擦除的内部控制，
内的设备。
自动扇区擦除
该MX29F022T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动亲
克前电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的是相互
应受由装置控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只需编写一个程序，建立命令（包括
2解锁arite周期和A0H ），包括2个解锁arite周期
和A0H以及程序指令（程序数据和
地址）。设备会自动倍编程
明脉冲宽度，验证程序验证，并
计数序列的数目。类似状态位
数据轮询和状态位次连续之间切换
略去读周期，提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
P / N ： PM0556
REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年
4
MX29F022/022N
表1软件定义的命令
命令
RESET
读
阅读硅ID
芯片保护验证
Porgram
芯片擦除
扇区擦除
扇区擦除暂停
扇区擦除简历
解锁芯片
保护/取消保护
公共汽车
周期
1
1
4
4
4
6
6
1
1
6
第一巴士
周期
地址数据
XXXH F0H
RA
RD
555H AAH
555H AAH
555H
555H
555H
XXXh
XXXh
555H
AAH
AAH
AAH
B0H
30H
AAH
第二巴士公交三
四是公交巴士五
第六巴士
周期
周期
周期
周期
周期
地址数据地址数据地址数据地址数据地址数据
2AAH 55H
2AAH 55H
2AAH 55H
2AAH 55H
2AAH 55H
ADI
（SA）的
X02H
555H A0H PA
555H 80H 555H
555H 80H 555H
555H 90H
555H 90H
DDI
00H
01H
PD
AAH 2AAH 555H 55H 10H
AAH 2AAH 55H SA
30H
2AAH 55H
555H 80H
555H
AAH 2AAH 555H 55H 20H
注意：
1. ADI =的设备标识符的地址; A1 = 0， A 0 = 0为制造代码中，A1 = 0， A0 = 1时为设备代码（参考表3）。
DDI =数据的设备标识符： C2H制造代码， 36H / 37H的设备代码。
X = X可以为VIL或VIH
要读取的RA =地址的存储位置。
RD =数据位于地址RA读取。
2. PA =地址的存储器位置进行编程。
PD =数据到位置PA进行编程。
SA =地址给扇区被擦除。
3.系统应生成以下地址模式： 555H或2AAH到地址A0 A10 。
地址位A11 A17 = X =不关心，除了程序地址（ PA）和部门的所有地址的命令
地址（SA）。写序列可能与A11 A17在任何状态下启动。
4.对于保护芯片验证操作：如果读出的数据是01H ，这意味着该芯片已被保护。如果读出的数据是00H ，
这意味着芯片仍然未受到保护。
P / N ： PM0556
REV 。 1.1 ，六月14 ， 2001年
5
MX29F022/022NT/B
2M- BIT [ 256K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
262,144x 8只
快速访问时间55 /70/ 90 / 120ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 1uA的典型待机电流@ 5MHz的
编程和擦除电压为5V ± 10 ％
命令寄存器架构
- 字节编程（ 7us典型值）
- 扇区擦除（ 16K字节X1 ， 8K字节×2 ， 32K字节
X1和64K字节×3 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合或
整个芯片擦除挂起功能。
- 自动程序，并在试样的数据验证
田间地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序的数据，一个没有被擦除扇区，
然后恢复擦除操作。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除周期结束。
芯片保护/取消保护的5V只有系统或5V / 12V
系统
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
硬件复位引脚
- 复位内部状态机读取模式
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
20年数据保留
概述
该MX29F022T / B为2兆比特的闪存
组织为256K字节只有8位。 MXIC的Flash
回忆提供最具成本效益和可靠的读取/
写的非易失性随机存取存储器。该
MX29F022T / B封装采用32引脚PDIP ， PLCC和
32脚TSOP （Ⅰ） 。它被设计成可重新编程和
删除在系统或标准EPROM编程器。
标准MX29F022T / B提供了存取时间快
为55ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
在MX29F022T / B已单独的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F022T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中，在保持
最大的EPROM的兼容性。
MXIC的Flash技术可靠地保存存储器
即使经过10万次擦除和编程的内容。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外，该组合
先进的隧道氧化处理，低灰
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。该MX29F022T /
B采用的是5.0V
±
10 ％的VCC电源进行高
擦除的可靠性和自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁
保护被证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0556
REV 。 1.3 ，十一月11 ， 2002年
1
MX29F022/022NT/B
自动编程
该MX29F022T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动
编程算法不要求系统
超时或验证编程的数据。典型的芯片
该MX29F022T / B在室温温编程时间
perature小于2秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该装置将盟
tomatically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
验证擦除，并计数序列的数量。
类似的数据轮询和状态位状态位瓶酒
连续的读周期之间提供了岭大战馈
回给用户以编程的状态
操作。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机，它
控制擦除和编程电路。中
写周期，命令寄存器锁存器内部
地址和所需的编程和擦除数据
操作。在系统写周期的地址是
锁存的下降沿，并且数据被锁存的
WE上升边缘。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29F022T / B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节编程1
在时刻字节使用EPROM编程机器人 -
NISM热电子注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的高可靠性芯片擦除
算法。典型擦除在室温下是
完成在不到两秒钟。该装置是
使用自动擦除算法擦除。该
自动擦除算法自动方案
整个阵列之前，电擦除。定时和
验证电擦除的内部控制，
内的设备。
自动扇区擦除
该MX29F022T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动亲
克前电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的是相互
应受由装置控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只需编写一个程序，建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ），包括2解锁写
周期和A0H以及程序指令（程序数据
和地址）。设备会自动次亲
编程脉冲宽度，验证程序的验证，
和计数序列的数目。状态位西米
LAR以数据轮询和状态位转换之间切换
secutive读周期，提供反馈给用户的
于编程操作的状态。
P / N ： PM0556
REV 。 1.3 ，十一月11 ， 2002年
4
MX29F022/022NT/B
表1.软件命令定义
第一巴士
命令
RESET
读
阅读硅ID
芯片保护验证
节目
芯片擦除
扇区擦除
扇区擦除暂停
扇区擦除简历
解锁芯片
保护/取消保护
注意：
1. ADI =的设备标识符的地址; A1 = 0 ， A0 = 0为生产代码中， A1 = 0 ， A0 = 1的设备代码（参考表
3).
DDI =数据的设备标识符： C2H制造代码， 36H / 37H的设备代码。
X = X可以为VIL或VIH
要读取的RA =地址的存储位置。
RD =数据位于地址RA读取。
2. PA =地址的存储器位置进行编程。
PD =数据到位置PA进行编程。
SA =地址给扇区被擦除。
3.系统应生成以下地址模式： 555H或2AAH到地址A0 A10 。
地址位A11 A17 = X =不关心，除了程序地址（ PA）和部门的所有地址的命令
地址（SA）。写序列可能与A11 A17在任何状态下启动。
4.对于保护芯片验证操作：如果读出的数据是01H ，这意味着该芯片已被保护。如果读出的数据是
00H时，表示芯片仍然未受到保护。
公共汽车
周期
1
1
4
4
4
6
6
1
1
6
周期
ADDR
RA
555H
555H
555H
555H
555H
XXXH F0H
RD
AAh时2AAh 55H
AAh时2AAh 55H
AAh时2AAh 55H
AAh时2AAh 55H
AAh时2AAh 55H
555H 90H
555H 90H
ADI
（SA）的
DDI
00H
PD
AAH 2AAH 555H 55H 10H
AAH 2AAH 55H SA
30H
第二巴士公交三
周期
数据地址
数据
周期
ADDR
四巴士
周期
数据地址
第五公交车
周期
数据地址
第六巴士
周期
数据地址数据
X02H 01H
555H A0H PA
555H 80H
555H 80H
555H
555H
XXXH B0H
XXXH 30H
555H
AAh时2AAh 55H
555H 80H
555H
AAH 2AAH 555H 55H 20H
P / N ： PM0556
REV 。 1.3 ，十一月11 ， 2002年
5
QQ：2881677436 复制
