MIC5012
麦克雷尔
MIC5012
双高或低侧MOSFET驱动器
不建议用于新设计
概述
该MIC5012是麦克雷尔MIC501X的双重会员
驱动器系列。这些IC设计用于驱动的门
N沟道功率MOSFET在高电源轨以上
侧电源开关的应用。 14引脚MIC5012是
使用极为方便，只需要一个功率FET和
标称电源去耦，以实现一个高或
低侧开关。
该MIC5012收取1nF的负载一般为60μs 。手术
下降到4.75V使MIC5012驱动标准
通过提高栅极5V低侧MOSFET的应用
电压高于逻辑电源。另外，多个， paral-
利来得的MOSFET可以通过对超单MIC5012驱动
高电流的应用。
麦瑞半导体的驱动程序家族的其他成员包括
MIC5010全功能的驱动器， MIC5011最少元件数
驱动器和MIC5013保护的8管脚的驱动程序。
特点
4.75V至32V的操作
2个独立的驱动程序;实现了高低压侧
DRIVERS
小于1μA待机电流在每个“关”的状态
通道
提供小外形SOIC封装
内部电荷泵驱动一个N沟道的栅极
功率场效应管上面的电源
内部齐纳二极管钳位的栅极保护
最少的外部组件数
可用于提高驱动器的低侧功率FET
逻辑电源供电
独立的电源引脚用于半桥应用
应用
灯驱动器
运动控制
加热器开关
电源总线开关
半双工或全双工H桥驱动器
对于新的设计，麦瑞建议引脚兼容
MIC5016双MOSFET驱动器。
典型应用
14.4V
ON
10F
+
订购信息
产品型号
MIC5012BN
MIC5012BWM
TEMP 。 RANGE
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
14引脚塑料DIP
16引脚宽体SOIC
1/2 MIC5012
V+
输入
来源
GND
门
IRF531
控制输入
关闭
图1.高侧驱动器
#6014
5V
ON
10F
+
48V
注： MIC5012是ESD敏感。
1/2 MIC5012
V+
输入
来源
GND
门
IRF530
100W
暖气
控制输入
关闭
图2.低侧驱动器
一个或多个以下麦克雷尔的专利所保护：
专利＃ 4951101 ;专利＃ 4914546
5-114
1998年4月
MIC5012
麦克雷尔
绝对最大额定值
（注1,2）
电源电压（V
+
） ，销10，12
输入电压，销11，14
源电压引脚2,5
当前进销2,5
栅极电压，引脚4,6
结温
-0.5V至36V
= 10V到V
+
= 10V到V
+
50mA
- 1V至50V
150°C
工作额定值
（注1,2 ）
功耗
1.56W
θ
JA
（塑料DIP ）
80
° C / W
θ
JA
（ SOIC ）
105°C/W
环境温度： B版
-40 ° C至+ 85°C
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
260°C
（焊接， 10秒）
电源电压（V
+
） ，引脚1
4.75V至32V高压侧
4.75V至15V低侧
引脚说明
（参照
典型应用）
DIP针脚数
12, 10
14, 11
2, 5
3
4, 6
引脚名称
V
+
输入
来源
地
门
驱动器和钳位功率FET的栅极。钳位在约 -
0.7V转由内部二极管关闭时，感性负载。
引脚功能
供应;必须脱钩所造成的大的瞬态隔离
功率FET的漏极。 10μF建议靠近引脚1和4 。
当高于阈值（ 3.5V典型值）采取打开功率MOSFET 。
需要<1
A
进行切换。
连接到功率FET的源铅，是回报门夹
齐纳二极管。可以安全地摆动转弯时断感性负载至-10V 。
5
引脚配置
MIC5012 （N ，J ）
1
2
3
4
5
6
7
NC
源A
GND
闸门A
源B
B门
NC
输入A
NC
V + A
输入B
V + B
NC
NC
MIC5012 （ WM ）
1
2
3
4
5
6
7
8
NC
源A
GND
闸门A
源B
B门
NC
NC
输入A
NC
V + A
输入B
V + B
NC
NC
NC
14
13
12
11
10
9
8
16
15
14
13
12
11
10
9
1998年4月
5-115
MIC5012
麦克雷尔
电气特性
（注3 ）测试电路。牛逼
A
= -55℃ + 125°C ，V
+
= 15V
，所有开关打开，除非
另有规定ED 。
参数
电源电流
（每科）
V
+
= 5V
逻辑输入电压
V
+
= 4.75V
条件
V
+
= 32V
V
IN
= 0V ， S2闭合
V
IN
= V
S
= 32V
V
IN
= 5V ， S2闭合
调整V
IN
对于V
门
低
调整V
IN
对于V
门
高
V
+
= 15V
逻辑输入电流，I
2
输入电容
栅极驱动，V
门
齐纳二极管钳位
V
门
– V
来源
栅极导通时间，t
ON
（注4 ）
栅极关断时间，t
关闭
注1
注2
注3
注4
民
典型
0.1
8
1.6
最大
10
20
4
2
单位
A
mA
mA
V
V
V
A
A
pF
V
V
4.5
5.0
–1
1
5
调整V
IN
对于V
门
高
V
IN
= 0V
V
IN
= 32V
V
+
= 32V
销11 ， 14
S1，S2闭合，
V
S
= V+, V
IN
= 5V
S2闭合，V
IN
= 5V
V
+
= 4.75V ，我
门
= 0, V
IN
= 4.5V
V
+
= 15V ，我
门
= 100μA ，V
IN
= 5V
V
+
= 15V, V
S
= 15V
V
+
= 32V, V
S
= 32V
V
IN
从0切换到5V;测量时间
对于V
门
要达到20V
V
IN
从5切换到0V ;测量时间
对于V
门
达到1V
7
24
11
11
10
27
12.5
13
60
4
15
16
200
10
V
V
s
s
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。电气连接特定的阳离子不适用时，
其经营超出规定的设备
工作额定值。
该MIC5012是ESD敏感。
最小和最大
电气特性
100％在T测试
A
= 25℃和T
A
= 85 ℃， 100％保证在整个
范围内。标准被表征，在25℃下，代表最可能的参数指标。
试验条件重新佛罗里达州ECT最坏的情况下高边驱动器的性能。低端和自举的拓扑结构显着快见
应用信息。
开关速度的看出，在125 ℃的最高值，在常温下使用的部件将反映典型
示值。
测试电路
V+
+ 1F
1/2 MIC5012
V+
输入
V
门
门
1nF的S1
V
IN
500
1W
S2
VS
来源
GND
I
门
5-116
1998年4月
MIC5012
麦克雷尔
MIC5012
双高或低侧MOSFET驱动器
不建议用于新设计
概述
该MIC5012是麦克雷尔MIC501X的双重会员
驱动器系列。这些IC设计用于驱动的门
N沟道功率MOSFET在高电源轨以上
侧电源开关的应用。 14引脚MIC5012是
使用极为方便，只需要一个功率FET和
标称电源去耦，以实现一个高或
低侧开关。
该MIC5012收取1nF的负载一般为60μs 。手术
下降到4.75V使MIC5012驱动标准
通过提高栅极5V低侧MOSFET的应用
电压高于逻辑电源。另外，多个， paral-
利来得的MOSFET可以通过对超单MIC5012驱动
高电流的应用。
麦瑞半导体的驱动程序家族的其他成员包括
MIC5010全功能的驱动器， MIC5011最少元件数
驱动器和MIC5013保护的8管脚的驱动程序。
特点
4.75V至32V的操作
2个独立的驱动程序;实现了高低压侧
DRIVERS
小于1μA待机电流在每个“关”的状态
通道
提供小外形SOIC封装
内部电荷泵驱动一个N沟道的栅极
功率场效应管上面的电源
内部齐纳二极管钳位的栅极保护
最少的外部组件数
可用于提高驱动器的低侧功率FET
逻辑电源供电
独立的电源引脚用于半桥应用
应用
灯驱动器
运动控制
加热器开关
电源总线开关
半双工或全双工H桥驱动器
对于新的设计，麦瑞建议引脚兼容
MIC5016双MOSFET驱动器。
典型应用
14.4V
ON
10F
+
订购信息
产品型号
MIC5012BN
MIC5012BWM
TEMP 。 RANGE
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
14引脚塑料DIP
16引脚宽体SOIC
1/2 MIC5012
V+
输入
来源
GND
门
IRF531
控制输入
关闭
图1.高侧驱动器
#6014
5V
ON
10F
+
48V
注： MIC5012是ESD敏感。
1/2 MIC5012
V+
输入
来源
GND
门
IRF530
100W
暖气
控制输入
关闭
图2.低侧驱动器
一个或多个以下麦克雷尔的专利所保护：
专利＃ 4951101 ;专利＃ 4914546
5-114
1998年4月
MIC5012
麦克雷尔
绝对最大额定值
（注1,2）
电源电压（V
+
） ，销10，12
输入电压，销11，14
源电压引脚2,5
当前进销2,5
栅极电压，引脚4,6
结温
-0.5V至36V
= 10V到V
+
= 10V到V
+
50mA
- 1V至50V
150°C
工作额定值
（注1,2 ）
功耗
1.56W
θ
JA
（塑料DIP ）
80
° C / W
θ
JA
（ SOIC ）
105°C/W
环境温度： B版
-40 ° C至+ 85°C
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度
260°C
（焊接， 10秒）
电源电压（V
+
） ，引脚1
4.75V至32V高压侧
4.75V至15V低侧
引脚说明
（参照
典型应用）
DIP针脚数
12, 10
14, 11
2, 5
3
4, 6
引脚名称
V
+
输入
来源
地
门
驱动器和钳位功率FET的栅极。钳位在约 -
0.7V转由内部二极管关闭时，感性负载。
引脚功能
供应;必须脱钩所造成的大的瞬态隔离
功率FET的漏极。 10μF建议靠近引脚1和4 。
当高于阈值（ 3.5V典型值）采取打开功率MOSFET 。
需要<1
A
进行切换。
连接到功率FET的源铅，是回报门夹
齐纳二极管。可以安全地摆动转弯时断感性负载至-10V 。
5
引脚配置
MIC5012 （N ，J ）
1
2
3
4
5
6
7
NC
源A
GND
闸门A
源B
B门
NC
输入A
NC
V + A
输入B
V + B
NC
NC
MIC5012 （ WM ）
1
2
3
4
5
6
7
8
NC
源A
GND
闸门A
源B
B门
NC
NC
输入A
NC
V + A
输入B
V + B
NC
NC
NC
14
13
12
11
10
9
8
16
15
14
13
12
11
10
9
1998年4月
5-115
MIC5012
麦克雷尔
电气特性
（注3 ）测试电路。牛逼
A
= -55℃ + 125°C ，V
+
= 15V
，所有开关打开，除非
另有规定ED 。
参数
电源电流
（每科）
V
+
= 5V
逻辑输入电压
V
+
= 4.75V
条件
V
+
= 32V
V
IN
= 0V ， S2闭合
V
IN
= V
S
= 32V
V
IN
= 5V ， S2闭合
调整V
IN
对于V
门
低
调整V
IN
对于V
门
高
V
+
= 15V
逻辑输入电流，I
2
输入电容
栅极驱动，V
门
齐纳二极管钳位
V
门
– V
来源
栅极导通时间，t
ON
（注4 ）
栅极关断时间，t
关闭
注1
注2
注3
注4
民
典型
0.1
8
1.6
最大
10
20
4
2
单位
A
mA
mA
V
V
V
A
A
pF
V
V
4.5
5.0
–1
1
5
调整V
IN
对于V
门
高
V
IN
= 0V
V
IN
= 32V
V
+
= 32V
销11 ， 14
S1，S2闭合，
V
S
= V+, V
IN
= 5V
S2闭合，V
IN
= 5V
V
+
= 4.75V ，我
门
= 0, V
IN
= 4.5V
V
+
= 15V ，我
门
= 100μA ，V
IN
= 5V
V
+
= 15V, V
S
= 15V
V
+
= 32V, V
S
= 32V
V
IN
从0切换到5V;测量时间
对于V
门
要达到20V
V
IN
从5切换到0V ;测量时间
对于V
门
达到1V
7
24
11
11
10
27
12.5
13
60
4
15
16
200
10
V
V
s
s
绝对最大额定值
指示超出可能发生损坏设备的限制。电气连接特定的阳离子不适用时，
其经营超出规定的设备
工作额定值。
该MIC5012是ESD敏感。
最小和最大
电气特性
100％在T测试
A
= 25℃和T
A
= 85 ℃， 100％保证在整个
范围内。标准被表征，在25℃下，代表最可能的参数指标。
试验条件重新佛罗里达州ECT最坏的情况下高边驱动器的性能。低端和自举的拓扑结构显着快见
应用信息。
开关速度的看出，在125 ℃的最高值，在常温下使用的部件将反映典型
示值。
测试电路
V+
+ 1F
1/2 MIC5012
V+
输入
V
门
门
1nF的S1
V
IN
500
1W
S2
VS
来源
GND
I
门
5-116
1998年4月
QQ：2880707522 复制
