MX26LV004T/B
旺宏N位
TM
存储器系列
4M- BIT [ 512K ×8 ] CMOS单电压
3V ONLY高速eLiteFlash
TM
内存
特点
扩展单 - 电源电压范围3.0V至3.6V
524,288 x 8
单电源工作
- 仅3.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间： 55 / 70ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流
- 为30uA典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节编程（ 55us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K字节X1 ，
8K字节×2 ， 32K字节的X1 ，和64K字节X7 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除操作完成。
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除操作完成。
2000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
包装类型：
- 40针TSOP
- 32引脚PLCC
符合JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年的数据保存
概述
该MX26LV004T / B是4兆比特闪存奥尔加
认列如512K字节的8位。旺宏的快闪记忆体
提供最具成本效益和可靠的读/写非
易失性随机存取存储器。该MX26LV004T / B为
封装采用40引脚TSOP 。它被设计成可重现
编程和擦除系统或标准EPROM
程序员。
标准MX26LV004T / B提供了存取时间快
为55ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
在MX26LV004T / B已单独的芯片使能（ CE ＃ ）和
输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX26LV004T / B使用命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过2000次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX26LV004T / B采用的是3.0V 3.6V的VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM1099
REV 。 1.0 ，十一月08，2004
1
MX26LV004T/B
销刀豆网络gurations
40 TSOP （标准型） （ 10毫米x10 20毫米）
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A9
A8
WE＃
RESET＃
NC
RY / BY ＃
A18
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A17
GND
NC
NC
A10
Q7
Q6
Q5
Q4
VCC
VCC
NC
Q3
Q2
Q1
Q0
OE ＃
GND
CE＃
A0
MX26LV004T/B
32 PLCC
WE＃
VCC
A12
A15
A16
A18
A17
引脚说明
符号引脚名称
A0~A18
A14
A13
A8
A9
9
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
30
29
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
硬件复位引脚
输出使能输入
READY / BUSY输出
电源引脚（ 3.0V 3.6V ）
接地引脚
Q0~Q7
CE＃
WE＃
RESET＃
OE ＃
RY / BY ＃
VCC
GND
MX26LV004T/B
25
A11
OE ＃
A10
CE＃
13
14
Q1
Q2
GND
17
Q3
Q4
Q5
21
20
Q6
Q7
P / N ： PM1099
REV 。 1.0 ，十一月08，2004
2
MX26LV004T/B
自动编程
该MX26LV004T / B是使用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
序列。状态位之间连续切换
读周期提供反馈给用户，以该台站
土族的擦除操作。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃或CE ＃的上升沿，取
首先发生。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX26LV004T / B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
类似数据＃轮询和状态位状态位
连续的读周期之间切换，提供馈
回给用户以编程的状态
操作。参阅写操作状态，表7中，为更
这些状态位的信息。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
自动擦除算法自动程序
前电擦除整个阵列。定时和
验证电擦除的内部控制，
内的设备。
自动扇区擦除
该MX26LV004T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。自动部门
擦除指定的算法自动程序
所属部门之前，电擦除。定时和可证实
电擦除的阳离子在内部控制中
该设备。擦除操作可以擦除一个扇区，
多个部门或整个设备。
自动选择
自动选择模式提供了制造商和脱离
副识别，通过识别码输出上
Q7 Q0 。此模式主要适于编程
设备的设备上，以与其亲被编程
编程算法。当高电压编程
方法，自动选择模式，需要VID （ 11V至12V ）
在地址引脚A9和其他地址引脚A6 ， A1和A0
如参考表3。另外，访问中的自动
马蒂奇选择代码在系统中，主机可以发出
通过命令寄存器自动选择命令
器，而不需要的VID ，如表4所示。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
P / N ： PM1099
REV 。 1.0 ，十一月08，2004
5
QQ：2881677436 复制
