MRAL1720-5
NPN硅射频功率晶体管
描述:
该
ASI MRAL1720-5
设计
对于C类,公共基础宽带
大信号放大器应用起来
至2.0GHz 。
封装类型400 4L FLG
产品特点:
扩散镇流电阻。
内部匹配网络
Omnigold
金属化系统
最大额定值
I
C
V
CES
V
EBO
T
J
T
英镑
θ
JC
1.0 A
(续)
42 V
3.5 V
-65℃ + 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
8.0 ° C / W
特征
符号
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
G
PB
η
c
I
C
= 40毫安
I
E
- 0.5毫安
V
CB
= 22 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CE
= 22 V
T
C
= 25 °C
无
测试条件
最小典型最大单位
42
3.5
1.0
V
V
mA
---
pF
dB
%
100
8.0
6.5
40
I
C
= 200毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 5.0 W
F = 1.7千兆赫& 2.0 GHz的
10
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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MRAL1720-5
NPN硅射频功率晶体管
描述:
该
ASI MRAL1720-5
设计
对于C类,公共基础宽带
大信号放大器应用起来
至2.0GHz 。
封装类型400 4L FLG
产品特点:
扩散镇流电阻。
内部匹配网络
Omnigold
金属化系统
最大额定值
I
C
V
CES
V
EBO
T
J
T
英镑
θ
JC
1.0 A
(续)
42 V
3.5 V
-65℃ + 200 ℃,
-65 ° C至+150°C
8.0 ° C / W
特征
符号
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
ob
G
PB
η
c
I
C
= 40毫安
I
E
- 0.5毫安
V
CB
= 22 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CE
= 22 V
T
C
= 25 °C
无
测试条件
最小典型最大单位
42
3.5
1.0
V
V
mA
---
pF
dB
%
100
8.0
6.5
40
I
C
= 200毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 5.0 W
F = 1.7千兆赫& 2.0 GHz的
10
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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