超前信息
MX26C1000B
特点
1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS
多时间可编程EPROM
50最小的擦除/编程周期
芯片擦除时间： 1 （典型值）。
芯片方案时间： 6.25 （ TYP。）
典型的快速编程周期的持续时间为10μs /字节
套餐类型：
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚SOP
128Kx 8组织
+ 5V单电源供电
+ 12V的编程电压
快速访问时间： 90/100/120/150 NS
完全静态的操作
完全兼容TTL
工作电流： 30毫安
概述
该MX26C1000B只有5V ， 1M位， MTP EPROM
TM
（多时间可编程只读存储器） 。这是
每个单词组织成128K字×8位，经营
从单一的+ 5伏电源，具有静态待机模式，
并具有快速单地址位置编程。
所有的编程信号是TTL电平，需要一个单一的
脉搏。这是设计来进行编程和擦除由
EPROM编程器或船上。该MX26C1000B
支持智能快速编程算法
可能导致的不到一分钟的编程时间。
这MTP EPROM
TM
封装在工业标准
32脚双列直插式封装， 32引脚PLCC ， 32引线SOP
和32引脚TSOP封装。
销刀豆网络gurations
VCC
VPP
A12
A15
A16
WE
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
32 TSOP
引脚说明
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
符号
A0~A16
Q0~Q7
CE
OE
WE
VPP
NC
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
项目电源电压
无内部连接
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
REV 。 0.7 ，十一月20 ， 2002年
MX26C1000B
P / N ： PM0767
1
GND
Q6
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
30
29
NC
32 PDIP / SOP
32 PLCC
A14
A13
A8
A9
MX26C1000B
9
MX26C1000B
25
A11
OE
A10
CE
13
14
17
21
20
Q7
MX26C1000B
实用
描述
在设定了程序指令（ 40H ）是唯一的命令
这需要两个序列复位周期。第一复位
命令解释为节目数据。如何过， FFH
编程过程中数据被视为无效数据
（存储单元只有从逻"1"来编程
"0".第二个Reset命令安全地中止
编程操作和设备重置到
阅读模式。
这份详细的信息供您参考。它可能
证明esier总是发出复位命令2
连续次。这消除了需要确定
如果你是在设定了程序状态或没有。
当MX26C1000B被递送，或者它被擦除时，该
芯片具有所有1000K位的"ONE" ，或HIGH的状态。
"ZEROs"通过装入MX26C1000B
编程的过程。
擦除算法
该MX26C1000B不要求预编程
前进行擦除操作。擦除算法是一种接近
循环流可以同时擦除在整个所有的位
数组。擦除操作开始时的初始擦除
操作。擦除验证开始地址0000H
通过从每个字节的读取数据FFH。如果任何字节失败
抹去。整个芯片reerased 。到最大为
100ms的时间为每个脉冲30脉冲计数。该
最大累计擦除时间为3秒。然而。该
装置通常被擦除在不超过3个脉冲。抹去
验证时间可以通过存储地址被减少
已失败的最后一个字节。下面的下一个擦除
工作确认可以开始于所存储的地址
位置。 JEDEC标准擦除算法也可以是
使用。但是，擦除时间将通过执行增加
不必要的预编程。
建立项目/计划
命令的三个步骤顺序要求
执行一个完整的程序操作：设置程序 -
程序编程验证。该装置被批量擦除和
按字节编程字节。该命令40H写入
命令寄存器来启动设置程序
操作。地址和数据要被编程到
设置在所述第二WE脉冲字节。地址
被锁止在WE脉冲的下降沿，数据是
锁存，在WE脉冲的上升沿。节目
操作开始于第二WE的上升沿
脉冲，并终止在WE的下一个上升沿的
脉搏。请参见AC特性和波形的
特定网络时序参数。
程序算法
该装置是由字节编程字节。最多
25个脉冲。每10us的持续时间允许每个
字节被编程。字节进行编程
顺序或随机。每个编程脉冲之后，
编程验证是为了确定该字节具有
已成功编程。
编程然后前进到下一个所希望的字节
位置。 JEDEC标准的程序算法，可以
使用。
命令寄存器
当高电压被施加到V
PP
命令
寄存器被使能。读，写，待机输出禁止
可使用的模式。读，擦除，擦除验证，
方案，方案验证和设备ID是通过访问
命令寄存器。标准的微处理器写
定时被用于将命令输入到该寄存器中。这
寄存器作为输入到一个内部状态机
控制该装置的操作模式。一
内部锁存器，用于写周期，地址和
数据进行编程和擦除操作。
RESET
Reset命令初始化MTP EPROM
TM
设备到读模式。此外，它也提供了
用户提供一个安全的方法来中止任何设备操作
（包括编程或擦除） 。必须将复位命令
所述的建立程序后写入连续两次
命令（ 40H ） 。这将安全地中止任何先前
操作和设备初始化为读模式。
没有集成停止定时器擦除
业界领先的闪存技术要求停止定时器
内置的闪存芯片，以防止存储器单元从
进入枯竭由于过度擦除。 1兆位MTP
P / N ： PM0767
3
REV 。 0.7 ，十一月20 ， 2002年
MX26C1000B
EPROM
TM
是建立在一种创新的电池的概念，其中
过擦除的存储单元是不可能的。
力12.0
±
0.5伏的器件的地址线A9 。
两个标识符字节然后可从测序
通过切换地址线A0从VIL到设备的输出
VIH 。所有其他地址线必须在VIL期间举行
自动识别模式。
字节0 （ A0 = VIL ）代表的制造商代码，
和字节1（ A0 = VIH）时，设备标识符的代码。为
该MX26C1000B ，这两个标识符字节给出
在模式选择表。所有标识符制造商
和设备代码将拥有奇校验，与MSB
（ DQ7 ）去连接定义为奇偶校验位。
数据写保护
该装置的设计可以防止意外
擦除或编程。内部状态机
自动复位到上电时读取模式。运用
控制寄存器的建筑，改建内存可以
适当的命令完成之后才发生
序列。命令寄存器只有当V
是在高电压。当V
PP
= V
PPL
时，设备的默认值
PP
到读模式。强大的设计功能防止
从V造成无意的写周期
CC
电和
省电转变或系统噪声。为了避免引发
期间， V写周期
CC
电时，一个写周期被锁定
OUT了V
CC
低于4V以内。该两指令的程序和
擦除写序列命令寄存器提供
额外的软件保护，防止虚假数据
变化。
读取模式
该MX26C1000B具有两个控制功能，两者的
它必须以获得数据被逻辑纳
在输出端。芯片使能（ CE ）是功率控制
并应被用于设备的选择。输出使能
（OE ）是输出控制，并应被用于栅
数据到输出引脚，独立的设备的选择。
假设地址是稳定的，地址访问
时间（ TACC ）等于从CE中的延迟输出（TCE） 。
数据可在输出脚趾下降沿后
OE中，假设CE一直偏低和地址
一直保持稳定至少TACC - 脚趾。
程序校验模式
验证应在编程位进行
确定他们是正确编程。
验证应与OE和CE进行，在
VIL ，我们在VIH和VPP在其编程电压。
待机模式
擦除验证模式
验证要被擦除的芯片上执行
确定整个芯片（所有位）是正确的
删除。验证应与OE和执行
行政长官在VIL ，我们在VIH和VCC = 5V ， VPP = 12.5V
该MX26C1000B具有CMOS待机模式，
降低到100微安的最大VCC电流。这是
摆在CMOS待机时， CE是在VCC
±
0.3 V.
该MX26C1000B还具有一个TTL待机模式，该模式
降低到1.5毫安最大VCC电流。这是
摆在TTL待机时， CE是VIH 。当
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立于OE输入。
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从MTP EPROM代码，将其确定
制造商和设备类型。这个模式的目的是
通过编程设备的使用为目的
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。这
模式功能在25 °
±
5℃的环境温度
C
C
编程时所要求的范围内
MX26C1000B.
要激活此模式下，编程设备必须
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下，瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度，
一个0.1微法陶瓷电容器（高频率，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
VCC和GND ，以尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
P / N ： PM0767
4
REV 。 0.7 ，十一月20 ， 2002年
MX26C1000B
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组，一个4.7 uF的大容量电解电容应该是
使用VCC和GND之间的每个八
设备。电容器的位置应靠近
到当电源被连接到所述阵列。
输出禁用
输出被禁止时， OE是logre高。当
输出禁用所有电路被使能。除了输出
引脚处于高阻抗状态（ TRI- ATATE ） 。
表1 ：巴士业务
模式
读
只读
模式
输出禁用
待机
制造商标识
设备Identi科幻阳离子
读
命令
模式
输出禁用
Standby(4)
节目
VPP(1)
VPPL
VPPL
VPPL
VPPL
VPPL
VPPH
VPPH
VPPH
VPPH
A0
A0
X
X
VIL
VIH
A0
X
X
A0
A9
A9
X
X
CE
VIL
VIL
VIH
OE
VIL
VIH
X
VIL
VIL
VIL
VIH
X
VIH
WE
VIH
VIH
X
VIH
VIH
VIH
VIH
X
VIL
Q0~Q7
数据输出
三州
三州
Data=C2H
数据= CFH
DATA OUT （3）
三州
三州
数据INB
VID （ 2 ） VIL
VID （ 2 ） VIL
A9
X
X(5)
A9
VIL
VIL
VIH
VIL
注意：
1.参考直流特性。当VPP = VPPL存储器的内容可以读，但不能写或擦除。
2. VID是智能识别的高电压。请参考直流特性。
3.与VPP读操作= VPPH可以访问数组中的数据或智能识别码。
4. VPP高电压待机电流等于ICC + IPP （待机） 。
5.参考表2 vaild数据在写操作期间。
6， X可以为VIL或VIH 。
P / N ： PM0767
5
REV 。 0.7 ，十一月20 ， 2002年
超前信息
MX26C1000B
特点
1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS
多时间可编程EPROM
50最小的擦除/编程周期
芯片擦除时间： 1 （典型值）。
芯片方案时间： 6.25 （ TYP。）
典型的快速编程周期的持续时间为10μs /字节
套餐类型：
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚SOP
128Kx 8组织
+ 5V单电源供电
+ 12V的编程电压
快速访问时间： 90/100/120/150 NS
完全静态的操作
完全兼容TTL
工作电流： 30毫安
概述
该MX26C1000B只有5V ， 1M位， MTP EPROM
TM
（多时间可编程只读存储器） 。这是
每个单词组织成128K字×8位，经营
从单一的+ 5伏电源，具有静态待机模式，
并具有快速单地址位置编程。
所有的编程信号是TTL电平，需要一个单一的
脉搏。这是设计来进行编程和擦除由
EPROM编程器或船上。该MX26C1000B
支持智能快速编程算法
可能导致的不到一分钟的编程时间。
这MTP EPROM
TM
封装在工业标准
32脚双列直插式封装， 32引脚PLCC ， 32引线SOP
和32引脚TSOP封装。
销刀豆网络gurations
VCC
VPP
A12
A15
A16
WE
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
32 TSOP
引脚说明
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE
VCC
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
GND
Q2
Q1
Q0
A0
A1
A2
A3
符号
A0~A16
Q0~Q7
CE
OE
WE
VPP
NC
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
项目电源电压
无内部连接
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
REV 。 0.6 ，十月04 ， 2001年
MX26C1000B
P / N ： PM0767
1
GND
Q6
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
Q1
Q2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Q0
5
4
1
32
30
29
NC
32 PDIP / SOP
32 PLCC
A14
A13
A8
A9
MX26C1000B
9
MX26C1000B
25
A11
OE
A10
CE
13
14
17
21
20
Q7
MX26C1000B
实用
描述
在设定了程序指令（ 40H ）是唯一的命令
这需要两个序列复位周期。第一复位
命令解释为节目数据。如何过， FFH
编程过程中数据被视为无效数据
（存储单元只有从逻"1"来编程
"0".第二个Reset命令安全地中止
编程操作和设备重置到
阅读模式。
这份详细的信息供您参考。它可能
证明esier总是发出复位命令2
连续次。这消除了需要确定
如果你是在设定了程序状态或没有。
当MX26C1000B被递送，或者它被擦除时，该
芯片具有所有1000K位的"ONE" ，或HIGH的状态。
"ZEROs"通过装入MX26C1000B
编程的过程。
擦除算法
该MX26C1000B不要求预编程
前进行擦除操作。擦除算法是一种接近
循环流可以同时擦除在整个所有的位
数组。擦除操作开始时的初始擦除
操作。擦除验证开始地址0000H
通过从每个字节的读取数据FFH。如果任何字节失败
抹去。整个芯片reerased 。到最大为
100ms的时间为每个脉冲30脉冲计数。该
最大累计擦除时间为3秒。然而。该
装置通常被擦除在不超过3个脉冲。抹去
验证时间可以通过存储地址被减少
已失败的最后一个字节。下面的下一个擦除
工作确认可以开始于所存储的地址
位置。 JEDEC标准擦除算法也可以是
使用。但是，擦除时间将通过执行增加
不必要的预编程。
建立项目/计划
命令的三个步骤顺序要求
执行一个完整的程序操作：设置程序 -
程序编程验证。该装置被批量擦除和
按字节编程字节。该命令40H写入
命令寄存器来启动设置程序
操作。地址和数据要被编程到
设置在所述第二WE脉冲字节。地址
被锁止在WE脉冲的下降沿，数据是
锁存，在WE脉冲的上升沿。节目
操作开始于第二WE的上升沿
脉冲，并终止在WE的下一个上升沿的
脉搏。请参见AC特性和波形的
特定网络时序参数。
程序算法
该装置是由字节编程字节。最多
25个脉冲。每10us的持续时间允许每个
字节被编程。字节进行编程
顺序或随机。每个编程脉冲之后，
编程验证是为了确定该字节具有
已成功编程。
编程然后前进到下一个所希望的字节
位置。 JEDEC标准的程序算法，可以
使用。
命令寄存器
当高电压被施加到V
PP
命令
寄存器被使能。读，写，待机输出禁止
可使用的模式。读，擦除，擦除验证，
方案，方案验证和设备ID是通过访问
命令寄存器。标准的微处理器写
定时被用于将命令输入到该寄存器中。这
寄存器作为输入到一个内部状态机
控制该装置的操作模式。一
内部锁存器，用于写周期，地址和
数据进行编程和擦除操作。
RESET
Reset命令初始化MTP EPROM
TM
设备到读模式。此外，它也提供了
用户提供一个安全的方法来中止任何设备操作
（包括编程或擦除） 。必须将复位命令
所述的建立程序后写入连续两次
命令（ 40H ） 。这将安全地中止任何先前
操作和设备初始化为读模式。
没有集成停止定时器擦除
业界领先的闪存技术要求停止定时器
内置的闪存芯片，以防止存储器单元从
进入枯竭由于过度擦除。 1兆位MTP
P / N ： PM0767
3
REV 。 0.6 ，十月04 ， 2001年
MX26C1000B
EPROM
TM
是建立在一种创新的电池的概念，其中
过擦除的存储单元是不可能的。
力12.0
±
0.5伏的器件的地址线A9 。
两个标识符字节然后可从测序
通过切换地址线A0从VIL到设备的输出
VIH 。所有其他地址线必须在VIL期间举行
自动识别模式。
字节0 （ A0 = VIL ）代表的制造商代码，
和字节1（ A0 = VIH）时，设备标识符的代码。为
该MX26C1000B ，这两个标识符字节给出
在模式选择表。所有标识符制造商
和设备代码将拥有奇校验，与MSB
（ DQ7 ）去连接定义为奇偶校验位。
数据写保护
该装置的设计可以防止意外
擦除或编程。内部状态机
自动复位到上电时读取模式。运用
控制寄存器的建筑，改建内存可以
适当的命令完成之后才发生
序列。命令寄存器只有当V
是在高电压。当V
PP
= V
PPL
时，设备的默认值
PP
到读模式。强大的设计功能防止
从V造成无意的写周期
CC
电和
省电转变或系统噪声。为了避免引发
期间， V写周期
CC
电时，一个写周期被锁定
OUT了V
CC
低于4V以内。该两指令的程序和
擦除写序列命令寄存器提供
额外的软件保护，防止虚假数据
变化。
读取模式
该MX26C1000B具有两个控制功能，两者的
它必须以获得数据被逻辑纳
在输出端。芯片使能（ CE ）是功率控制
并应被用于设备的选择。输出使能
（OE ）是输出控制，并应被用于栅
数据到输出引脚，独立的设备的选择。
假设地址是稳定的，地址访问
时间（ TACC ）等于从CE中的延迟输出（TCE） 。
数据可在输出脚趾下降沿后
OE中，假设CE一直偏低和地址
一直保持稳定至少TACC - 脚趾。
程序校验模式
验证应在编程位进行
确定他们是正确编程。
验证应与OE和CE进行，在
VIL ，我们在VIH和VPP在其编程电压。
待机模式
擦除验证模式
验证要被擦除的芯片上执行
确定整个芯片（所有位）是正确的
删除。验证应与OE和执行
行政长官在VIL ，我们在VIH和VCC = 5V ， VPP = 12.5V
该MX26C1000B具有CMOS待机模式，
降低到100微安的最大VCC电流。这是
摆在CMOS待机时， CE是在VCC
±
0.3 V.
该MX26C1000B还具有一个TTL待机模式，该模式
降低到1.5毫安最大VCC电流。这是
摆在TTL待机时， CE是VIH 。当
待机模式下，输出处于高阻抗
国家，独立于OE输入。
AUTO IDENTIFY模式
自动识别模式允许读出一个二进制的
从MTP EPROM代码，将其确定
制造商和设备类型。这个模式的目的是
通过编程设备的使用为目的
自动匹配的设备进行编程
与其相应的规划算法。这
模式功能在25 °
±
5℃的环境温度
C
C
编程时所要求的范围内
MX26C1000B.
要激活此模式下，编程设备必须
系统注意事项
在主备之间的切换
的条件下，瞬态电流峰值上产生的
芯片的上升沿和下降沿启动。大小
这些瞬态电流峰值是依赖于
输出电容负载的装置。在最低限度，
一个0.1微法陶瓷电容器（高频率，低固有
电感）应之间的每个设备上使用
VCC和GND ，以尽量减少瞬态效应。此外，
以克服由所述感应的电压降
P / N ： PM0767
4
REV 。 0.6 ，十月04 ， 2001年
MX26C1000B
在EPROM中的印刷电路板迹线的影响
数组，一个4.7 uF的大容量电解电容应该是
使用VCC和GND之间的每个八
设备。电容器的位置应靠近
到当电源被连接到所述阵列。
输出禁用
输出被禁止时， OE是logre高。当
输出禁用所有电路被使能。除了输出
引脚处于高阻抗状态（ TRI- ATATE ） 。
表1 ：巴士业务
模式
读
只读
模式
输出禁用
待机
制造商标识
设备Identi科幻阳离子
读
命令
模式
输出禁用
Standby(4)
节目
VPP(1)
VPPL
VPPL
VPPL
VPPL
VPPL
VPPH
VPPH
VPPH
VPPH
A0
A0
X
X
VIL
VIH
A0
X
X
A0
A9
A9
X
X
CE
VIL
VIL
VIH
OE
VIL
VIH
X
VIL
VIL
VIL
VIH
X
VIH
WE
VIH
VIH
X
VIH
VIH
VIH
VIH
X
VIL
Q0~Q7
数据输出
三州
三州
Data=C2H
数据= CFH
DATA OUT （3）
三州
三州
数据INB
VID （ 2 ） VIL
VID （ 2 ） VIL
A9
X
X(5)
A9
VIL
VIL
VIH
VIL
注意：
1.参考直流特性。当VPP = VPPL存储器的内容可以读，但不能写或擦除。
2. VID是智能识别的高电压。请参考直流特性。
3.与VPP读操作= VPPH可以访问数组中的数据或智能识别码。
4. VPP高电压待机电流等于ICC + IPP （待机） 。
5.参考表2 vaild数据在写操作期间。
6， X可以为VIL或VIH 。
P / N ： PM0767
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REV 。 0.6 ，十月04 ， 2001年
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