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MX25L2005
2M- BIT [ ×1 ] CMOS串行闪存
特点
一般
串行外设接口（ SPI ）兼容 - 模式0和模式3
2,097,152 ×1位结构
64平等部门，每个4K字节
- 任何部门可以单独擦除
4个相同的块，每个64K字节
- 任何块都可以单独擦除
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
低Vcc的禁止写入是从1.5V到2.5V
性能
高性能
- 快速存取时间： 85MHz的串行时钟（ 15pF的+ 1TTL负荷）和66MHz的串行时钟（ 30pF的+ 1TTL负荷）
- 快速编程时间（最大） 1.4ms之内（典型值）和5毫秒/页（每页256字节）
- 快速擦除时间： 60毫秒（典型值）和120毫秒（最大值） /扇区（每扇区4K字节） ; 1秒（典型值）和2秒（最大） /块（每64K字节
块）
低功耗
- 低有效的读电流： 12毫安（最大值） ，在85MHz的， 8毫安（最大值）为66MHz和4毫安频率为33MHz （最大）
- 低电平有效的编程电流： 15毫安（最大）
- 低电平有效擦除电流： 15毫安（最大）
- 低待机电流： 10微安（最大）
- 深度掉电模式下为1uA （典型值）
最少10万次擦除/编程
软件特点
·输入数据格式
- 1字节命令代码
块锁保护
- 该BP0 BP1状态位定义的区域的大小被软件免受编程和擦除指令
自动擦除和自动编程算法
-
自动擦除，并在选定的行业数据验证
-
自动程序和通过内部算法验证在所选页的数据，可自动倍
程序的脉冲宽度（在任何页面来进行编程，应先有在擦除状态页）
状态寄存器功能
电子标识
-
JEDEC的2字节的设备ID
- RES指令， 1个字节的设备ID
P / N ： PM1239
REV 。 1.7 ，八月15 ， 2008
1
MX25L2005
硬件特性
SCLK输入
-
串行时钟输入
SI输入
-
串行数据输入
SO输出
-
串行数据输出
WP ＃引脚
-
硬件写保护
HOLD ＃引脚
-
暂停芯片而不diselecting芯片
包
-
8引脚SOP （ 150mil ）
-
8 ，土地WSON （ 6 x 5mm的， 0.8毫米封装高度）
-
所有无铅器件符合RoHS标准
概述
该MX25L2005是CMOS 2097152位串行闪存，其被配置为262144 X内部8 。该
MX25L2005设有一个串行外设接口和软件协议，允许操作一个简单的3线总线。三
总线信号的时钟输入（SCLK ），串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO） 。 SPI的对设备的访问是
通过CS ＃输入功能。
该MX25L2005提供连续读操作的整个芯片。
发出编程/擦除命令后，自动编程/擦除的程序/擦除和验证指定的算法
页或扇区/块的位置将被执行。编程命令页面（ 256字节）的基础上，并擦除上执行
命令执行芯片或扇区（ 4K字节）或块（ 64K字节） 。
以提供用户容易接口，一个状态寄存器被包括以指示所述芯片的状态。状态读取
命令可以发出来检测程序的完成状态，或通过WIP位擦除操作。
当设备不运转和CS ＃为高电平时，它被置于待机模式下消耗小于10微安的直流电流。
该MX25L2005利用旺宏的专有存储单元，即使在100000程序能够可靠地保存存储器的内容
和擦除周期。
P / N ： PM1239
2
REV 。 1.7 ，八月15 ， 2008
MX25L2005
销刀豆网络gurations
8引脚SOP （ 150mil ）
引脚说明
符号
CS ＃
8
7
6
5
VCC
HOLD ＃
SCLK
SI
描述
芯片选择
串行数据输入
串行数据输出
时钟输入
持有，暂停该设备无
取消选择器件
+ 3.3V电源
地
CS ＃
SO
WP ＃
GND
1
2
3
4
SI
SO
SCLK
HOLD ＃
VCC
GND
8 -LAND WSON （ 6× 5毫米）
CS ＃
SO
WP ＃
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
HOLD ＃
SCLK
SI
P / N ： PM1239
3
REV 。 1.7 ，八月15 ， 2008
MX25L2005
框图
地址
发电机
X解码器
存储阵列
页面缓存
数据
注册
y解码器
SRAM
卜FF器
SENSE
扩音器
HV
发电机
SI
CS ＃
模式
逻辑
状态
机
产量
卜FF器
SO
SCLK
时钟发生器
P / N ： PM1239
4
REV 。 1.7 ，八月15 ， 2008
MX25L2005
数据保护
该MX25L2005的目的是提供保护，防止意外删除或编程引起的杂散系统
电平信号，可能电源转换过程中存在。上电时，设备会自动复位状态机
在读取模式。另外，其控制寄存器结构，变更的存储内容仅发生后
圆满完成了特定的命令序列。该器件还集成了多项功能以防止
无意的写周期从VCC上电和掉电或系统产生的噪音。
上电复位和tPUW ：避免因系统电源突然过渡电源开关，上电复位和
tPUW （内部定时器），可保护闪存。
有效的命令长度检查：该命令长度将被检查是否是在字节基础，完成字节
边界。
写使能（ WREN ）指令： WREN命令需要设置写使能先于其他锁存器位（ WEL ）
命令来更改数据。 WEL位将返回下面的情况下重置阶段：
- 上电
- 写禁止（ WRDI ）命令完成
- 写状态寄存器（ WRSR ）命令完成
- 页编程（ PP ）指令完成
- 扇区擦除（ SE ）命令完成
- 块擦除（ BE ）命令完成
- 芯片擦除（ CE ）命令完成
软件保护模式（ SPM ） ：通过使用BP0 ， BP1位设置对Flash的数据更改受保护的部分。
硬件保护模式（ HPM ） ：通过WP ＃变低，保障BP0 ， BP1位，从数据的变化SRWD位。
深度掉电模式：通过进入深度掉电模式下，闪存设备也受到保护写入所有
除了从深度掉电模式指令（ RDP ）发布命令和读取电子签名指令
（ RES ） 。
P / N ： PM1239
5
REV 。 1.7 ，八月15 ， 2008
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