MV1807J1
硅变容二极管
描述：
该
ASI MV1807J1
是一种扩散
外延变容二极管的设计
乘数的应用程序。
封装形式DO- 4
最大额定值
I
V
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
百毫安
80 V
21瓦@ T
C
= 25 C
-65℃至+ 150℃
-65℃到+175
6.0 C / W
O
O
O
O
阴极案例
特征
符号
V
B
C
T
R
S
F
OUT
P
OUT
F
IN
P
IN
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 6.0 V
T
C
= 25 C
O
无
测试条件
F = 1.0 MHz的
F = 50MHz的
最低
80
10.8
典型
最大
13.2
单位
V
pF
欧
兆赫
W
兆赫
W
0.25
1000
25.1
500
37.0
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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硅变容二极管
描述：
该
ASI MV1807J1
是一种扩散
外延变容二极管的设计
乘数的应用程序。
封装形式DO- 4
最大额定值
I
V
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
百毫安
80 V
21瓦@ T
C
= 25 C
-65℃至+ 150℃
-65℃到+175
6.0 C / W
O
O
O
O
阴极案例
特征
符号
V
B
C
T
R
S
F
OUT
P
OUT
F
IN
P
IN
I
R
= 10
A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 6.0 V
T
C
= 25 C
O
无
测试条件
F = 1.0 MHz的
F = 50MHz的
最低
80
10.8
典型
最大
13.2
单位
V
pF
欧
兆赫
W
兆赫
W
0.25
1000
25.1
500
37.0
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
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