MWS11-PHxx-CS
W- CMDA功率放大器
A
M I C R O 2 S ê M I
C 0 M·P一N Y
P
RELIMINARY
的MWS的W- CDMA是一种高
针对3V效率线性放大器
移动手持系统。该装置是
制成的
in
an
先进
的InGaP / GaAs异质双极
晶体管（ HBT ）射频IC晶圆厂的过程。它
被设计用作最后的射频
放大器在3V W-CDMA和
CDMA2000的扩频系统，
而在其它线性应用
1800MHz至2000MHz的频段。
有两个16引脚封装
版本此功率放大器。一
是采用3mm x 3mm芯片级封装
（CSP）与外部输入/输出匹配
另一种是内部的I / O匹配 -
编辑模块。
单3V电源
27dBm的线性输出功率
28分贝线性增益
40 ％的线性效率
70毫安空闲电流
W W W .
Microsemi的
.
COM
3V 1920年至1980年的W-CDMA
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
公司网站：
http://www.microsemi.com
手机
3V 1850-1910 CMDA2000
手机
扩频系统
其它线性无线
应用
16引脚无引线封装
顶部
底部
3mm
3mm
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
实际尺寸
T
J
(°C)
W-CDMA的
CDMA-2000
L
塑料
MLP
16-PIN
MWS11-PH41-CS
MWS11-PH43-CS
版权
2000
牧师0.2B ， 2000年11月7日
Microsemi的
微WaveSys
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
第1页
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W- CMDA功率放大器
A
M I C R O 2 S ê M I
C 0 M·P一N Y
P
RELIMINARY
电源电压（V
BAT
) ............................................................................................. 8.0V
DC
电源电压（P
OUT
<31 DBM） .............................. ................................ 5.0V
DC
模式电压（V
模式
)............................................................................................. 3.0V
DC
控制电压（V
PD
) .............................................................................................. 3.0V
DC
输入射频功率.......................................................................................................... 6dBm的
工作温度............................................... ........................ -30 ℃100 ℃，
存储温度................................................ .................................... 30℃ 150℃
注意：
超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压都是相对于
地面上。电流是积极进入，负出指定的终端。
W W W .
Microsemi的
.
COM
在RF
VCC1
VCC2
VCC
VB1
VB2
RF输入。外部串联电容是必需的DC块。按1：输入匹配可以提高到2 <
用串联电容器和并联电感。
电源的第一级和级间匹配。 V
CC
应通过终止与一个电感喂食
电容在电源侧。
电源为第二阶段和级间匹配。 V
CC
应通过终止与一个电感喂食
电容在电源侧。
供应偏置基准电路。
第一级的控制电压。该VB1引脚可以与其他阶段的控制电压被连接到一个单一的
通过外部电阻桥的参考电压。
第二个阶段的控制电压。该VB2引脚可以与其他阶段的控制电压被连接到一个单一的
通过外部电阻桥的参考电压。
RF输出和电源的最后阶段。这是第三阶段的无与伦比的集电极输出。直流
块需要下面的匹配元件。偏压可通过一个并联LC组提供
谐振在1920MHz的操作频率至1980兆赫。选择电感器具有非常重要的是
低直流电阻与一个1A的额定电流。可替代地，分流微带技术也适用与
提供非常低直流电阻。低频旁路所需的稳定性。有三个引脚
指定为RF OUT 。
这是一个电路级地线，隔绝从背面地面接触。
地面为第一阶段。这个理由应该从背面接地触头分离。
地面为第二阶段。这个理由应该从背面接地触头分离。
接地连接。包装的背面应焊接到上侧接地垫是
连接到接地平面具有多个通孔。该垫应具有短的散热路径到接地平面。
RF OUT
GND
GND1
GND2
PKGGND
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
版权
2000
牧师0.2B ， 2000年11月7日
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微WaveSys
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第2页
MWS11-PHxx-CS
W- CMDA功率放大器
A
M I C R O 2 S ê M I
C 0 M·P一N Y
P
RELIMINARY
除非另有说明，以下规格适用于工作环境温度-35℃
≤
T
A
≤
85°C ，除非
另有说明。测试条件：输入测试条件这里]
参数
频带
标称线性输出功率
（ WCDMA调制）
线性增益
二次谐波
三次谐波
四倍频
总的线性效率
邻道功率
拒绝
@ 5 MHz的
@ 10MHz的
反向互调
@
符号
测试条件
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
-50 dBm至27 dBm的输出。电源V
CC
3.0以
5.0V ，T = -10℃至+ 75℃，负载电压驻波比= 1： 1至
5 ：1，所有相
水平输出：干扰为-25dBm @
1790兆赫，有用信号27 dBm的@ 1980年
兆赫
MWS11-PHxx-CS
民
典型值
最大
1920
27
25
29
27
-35
-40
-45
35
-45
-60
40
-40
-50
-33
-43
-35
-50
70
EVM和峰值码域误差参照
3GPP规范。 3G TS 25.101
式。至-132 dBm / Hz计
V
CC
= 3.0V ， -10 ℃的温度< < + 75°C WCDMA
调制
17.5
-79
-71
-66
25
< 2:1
5:1
10
3.4
27
1980
30
28
单位
兆赫
DBM
dB
dB
dB
dB
%
dBc的
dBc的
DBM
DBM
mA
%
DBM
DBM
DBM
W W W .
Microsemi的
.
COM
2
×
F
TX
F
INT
=
2110
兆赫
输出功率动态
静态电流@低功耗
调制精度（ EVM ）
在带内噪声功率
925-960兆赫@ 100 KHz的带宽
1805-1880 @ 100 KHz的带宽
2110至70年兆赫@ 3.84 MHz带宽
标称线性输出功率
输入VSWR
输出VSWR
泄漏电流（降低功耗）
电源电压
3.04
5.0
A
V
S
PECIFICATIONS
S
PECIFICATIONS
版权
2000
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Microsemi的
微WaveSys
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A
M I C R O 2 S ê M I
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P
RELIMINARY
W W W .
Microsemi的
.
COM
图1
– E
估值委员会的W- CDMA功率放大器
V
REF
2.8V
C15
10-50mF
T1
W = 10MIL
L=40mil
R2
640欧姆
C16
100 pF的
C8
100pF
C17
100pF
C9
100pF
C12
0.1F
C13
10-50mF
V
CC
3.5V
C10
100pF
R1
295欧姆
VB2
VC C2
VB1
VC
T2
W = 20mil
L=825mil
W = 48mil
L=50mil
RF UT
W = 48mil
L=163mil
C6
2.2pF
C7
2.2pF
50 OHM
LINE
在RF
50 OHM
LINE
C16
1.8pF
W = 48mil
L=150mil
W = 48mil W 1 = 10MIL
L =为5mil W 2 = 48mil
C3
L=20mil
2.7pF
男女S11-
PH 41 （C S）
A
PPLICATION
A
PPLICATION
图2
– E
估值委员会的W- CDMA原理
版权
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的MWS的W- CDMA是一种高
针对3V效率线性放大器
移动手持系统。该装置是
制成的
in
an
先进
的InGaP / GaAs异质双极
晶体管（ HBT ）射频IC晶圆厂的过程。它
被设计用作最后的射频
放大器在3V W-CDMA和
CDMA2000的扩频系统，
而在其它线性应用
1800MHz至2000MHz的频段。
有两个16引脚封装
版本此功率放大器。一
是采用3mm x 3mm芯片级封装
（CSP）与外部输入/输出匹配
另一种是内部的I / O匹配 -
编辑模块。
单3V电源
27dBm的线性输出功率
28分贝线性增益
40 ％的线性效率
70毫安空闲电流
W W W .
Microsemi的
.
COM
3V 1920年至1980年的W-CDMA
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
公司网站：
http://www.microsemi.com
手机
3V 1850-1910 CMDA2000
手机
扩频系统
其它线性无线
应用
16引脚无引线封装
顶部
底部
3mm
3mm
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
实际尺寸
T
J
(°C)
W-CDMA的
CDMA-2000
L
塑料
MLP
16-PIN
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W- CMDA功率放大器
A
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P
RELIMINARY
电源电压（V
BAT
) ............................................................................................. 8.0V
DC
电源电压（P
OUT
<31 DBM） .............................. ................................ 5.0V
DC
模式电压（V
模式
)............................................................................................. 3.0V
DC
控制电压（V
PD
) .............................................................................................. 3.0V
DC
输入射频功率.......................................................................................................... 6dBm的
工作温度............................................... ........................ -30 ℃100 ℃，
存储温度................................................ .................................... 30℃ 150℃
注意：
超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压都是相对于
地面上。电流是积极进入，负出指定的终端。
W W W .
Microsemi的
.
COM
在RF
VCC1
VCC2
VCC
VB1
VB2
RF输入。外部串联电容是必需的DC块。按1：输入匹配可以提高到2 <
用串联电容器和并联电感。
电源的第一级和级间匹配。 V
CC
应通过终止与一个电感喂食
电容在电源侧。
电源为第二阶段和级间匹配。 V
CC
应通过终止与一个电感喂食
电容在电源侧。
供应偏置基准电路。
第一级的控制电压。该VB1引脚可以与其他阶段的控制电压被连接到一个单一的
通过外部电阻桥的参考电压。
第二个阶段的控制电压。该VB2引脚可以与其他阶段的控制电压被连接到一个单一的
通过外部电阻桥的参考电压。
RF输出和电源的最后阶段。这是第三阶段的无与伦比的集电极输出。直流
块需要下面的匹配元件。偏压可通过一个并联LC组提供
谐振在1920MHz的操作频率至1980兆赫。选择电感器具有非常重要的是
低直流电阻与一个1A的额定电流。可替代地，分流微带技术也适用与
提供非常低直流电阻。低频旁路所需的稳定性。有三个引脚
指定为RF OUT 。
这是一个电路级地线，隔绝从背面地面接触。
地面为第一阶段。这个理由应该从背面接地触头分离。
地面为第二阶段。这个理由应该从背面接地触头分离。
接地连接。包装的背面应焊接到上侧接地垫是
连接到接地平面具有多个通孔。该垫应具有短的散热路径到接地平面。
RF OUT
GND
GND1
GND2
PKGGND
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
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A
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C 0 M·P一N Y
P
RELIMINARY
除非另有说明，以下规格适用于工作环境温度-35℃
≤
T
A
≤
85°C ，除非
另有说明。测试条件：输入测试条件这里]
参数
频带
标称线性输出功率
（ WCDMA调制）
线性增益
二次谐波
三次谐波
四倍频
总的线性效率
邻道功率
拒绝
@ 5 MHz的
@ 10MHz的
反向互调
@
符号
测试条件
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
-50 dBm至27 dBm的输出。电源V
CC
3.0以
5.0V ，T = -10℃至+ 75℃，负载电压驻波比= 1： 1至
5 ：1，所有相
水平输出：干扰为-25dBm @
1790兆赫，有用信号27 dBm的@ 1980年
兆赫
MWS11-PHxx-CS
民
典型值
最大
1920
27
25
29
27
-35
-40
-45
35
-45
-60
40
-40
-50
-33
-43
-35
-50
70
EVM和峰值码域误差参照
3GPP规范。 3G TS 25.101
式。至-132 dBm / Hz计
V
CC
= 3.0V ， -10 ℃的温度< < + 75°C WCDMA
调制
17.5
-79
-71
-66
25
< 2:1
5:1
10
3.4
27
1980
30
28
单位
兆赫
DBM
dB
dB
dB
dB
%
dBc的
dBc的
DBM
DBM
mA
%
DBM
DBM
DBM
W W W .
Microsemi的
.
COM
2
×
F
TX
F
INT
=
2110
兆赫
输出功率动态
静态电流@低功耗
调制精度（ EVM ）
在带内噪声功率
925-960兆赫@ 100 KHz的带宽
1805-1880 @ 100 KHz的带宽
2110至70年兆赫@ 3.84 MHz带宽
标称线性输出功率
输入VSWR
输出VSWR
泄漏电流（降低功耗）
电源电压
3.04
5.0
A
V
S
PECIFICATIONS
S
PECIFICATIONS
版权
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Microsemi的
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COM
图1
– E
估值委员会的W- CDMA功率放大器
V
REF
2.8V
C15
10-50mF
T1
W = 10MIL
L=40mil
R2
640欧姆
C16
100 pF的
C8
100pF
C17
100pF
C9
100pF
C12
0.1F
C13
10-50mF
V
CC
3.5V
C10
100pF
R1
295欧姆
VB2
VC C2
VB1
VC
T2
W = 20mil
L=825mil
W = 48mil
L=50mil
RF UT
W = 48mil
L=163mil
C6
2.2pF
C7
2.2pF
50 OHM
LINE
在RF
50 OHM
LINE
C16
1.8pF
W = 48mil
L=150mil
W = 48mil W 1 = 10MIL
L =为5mil W 2 = 48mil
C3
L=20mil
2.7pF
男女S11-
PH 41 （C S）
A
PPLICATION
A
PPLICATION
图2
– E
估值委员会的W- CDMA原理
版权
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MWS11-PHxx-CS
W- CMDA功率放大器
A
M I C R O 2 S ê M I
C 0 M·P一N Y
P
RELIMINARY
的MWS的W- CDMA是一种高
针对3V效率线性放大器
移动手持系统。该装置是
制成的
in
an
先进
的InGaP / GaAs异质双极
晶体管（ HBT ）射频IC晶圆厂的过程。它
被设计用作最后的射频
放大器在3V W-CDMA和
CDMA2000的扩频系统，
而在其它线性应用
1800MHz至2000MHz的频段。
有两个16引脚封装
版本此功率放大器。一
是采用3mm x 3mm芯片级封装
（CSP）与外部输入/输出匹配
另一种是内部的I / O匹配 -
编辑模块。
单3V电源
27dBm的线性输出功率
28分贝线性增益
40 ％的线性效率
70毫安空闲电流
W W W .
Microsemi的
.
COM
3V 1920年至1980年的W-CDMA
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
公司网站：
http://www.microsemi.com
手机
3V 1850-1910 CMDA2000
手机
扩频系统
其它线性无线
应用
16引脚无引线封装
顶部
底部
3mm
3mm
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
实际尺寸
T
J
(°C)
W-CDMA的
CDMA-2000
L
塑料
MLP
16-PIN
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版权
2000
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Microsemi的
微WaveSys
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第1页
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W- CMDA功率放大器
A
M I C R O 2 S ê M I
C 0 M·P一N Y
P
RELIMINARY
电源电压（V
BAT
) ............................................................................................. 8.0V
DC
电源电压（P
OUT
<31 DBM） .............................. ................................ 5.0V
DC
模式电压（V
模式
)............................................................................................. 3.0V
DC
控制电压（V
PD
) .............................................................................................. 3.0V
DC
输入射频功率.......................................................................................................... 6dBm的
工作温度............................................... ........................ -30 ℃100 ℃，
存储温度................................................ .................................... 30℃ 150℃
注意：
超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压都是相对于
地面上。电流是积极进入，负出指定的终端。
W W W .
Microsemi的
.
COM
在RF
VCC1
VCC2
VCC
VB1
VB2
RF输入。外部串联电容是必需的DC块。按1：输入匹配可以提高到2 <
用串联电容器和并联电感。
电源的第一级和级间匹配。 V
CC
应通过终止与一个电感喂食
电容在电源侧。
电源为第二阶段和级间匹配。 V
CC
应通过终止与一个电感喂食
电容在电源侧。
供应偏置基准电路。
第一级的控制电压。该VB1引脚可以与其他阶段的控制电压被连接到一个单一的
通过外部电阻桥的参考电压。
第二个阶段的控制电压。该VB2引脚可以与其他阶段的控制电压被连接到一个单一的
通过外部电阻桥的参考电压。
RF输出和电源的最后阶段。这是第三阶段的无与伦比的集电极输出。直流
块需要下面的匹配元件。偏压可通过一个并联LC组提供
谐振在1920MHz的操作频率至1980兆赫。选择电感器具有非常重要的是
低直流电阻与一个1A的额定电流。可替代地，分流微带技术也适用与
提供非常低直流电阻。低频旁路所需的稳定性。有三个引脚
指定为RF OUT 。
这是一个电路级地线，隔绝从背面地面接触。
地面为第一阶段。这个理由应该从背面接地触头分离。
地面为第二阶段。这个理由应该从背面接地触头分离。
接地连接。包装的背面应焊接到上侧接地垫是
连接到接地平面具有多个通孔。该垫应具有短的散热路径到接地平面。
RF OUT
GND
GND1
GND2
PKGGND
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
版权
2000
牧师0.2B ， 2000年11月7日
Microsemi的
微WaveSys
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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MWS11-PHxx-CS
W- CMDA功率放大器
A
M I C R O 2 S ê M I
C 0 M·P一N Y
P
RELIMINARY
除非另有说明，以下规格适用于工作环境温度-35℃
≤
T
A
≤
85°C ，除非
另有说明。测试条件：输入测试条件这里]
参数
频带
标称线性输出功率
（ WCDMA调制）
线性增益
二次谐波
三次谐波
四倍频
总的线性效率
邻道功率
拒绝
@ 5 MHz的
@ 10MHz的
反向互调
@
符号
测试条件
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
T为25 ° C，V
CC
= 3.4V时为27dBm输出功率
由3GPP定义的RMS功率
-50 dBm至27 dBm的输出。电源V
CC
3.0以
5.0V ，T = -10℃至+ 75℃，负载电压驻波比= 1： 1至
5 ：1，所有相
水平输出：干扰为-25dBm @
1790兆赫，有用信号27 dBm的@ 1980年
兆赫
MWS11-PHxx-CS
民
典型值
最大
1920
27
25
29
27
-35
-40
-45
35
-45
-60
40
-40
-50
-33
-43
-35
-50
70
EVM和峰值码域误差参照
3GPP规范。 3G TS 25.101
式。至-132 dBm / Hz计
V
CC
= 3.0V ， -10 ℃的温度< < + 75°C WCDMA
调制
17.5
-79
-71
-66
25
< 2:1
5:1
10
3.4
27
1980
30
28
单位
兆赫
DBM
dB
dB
dB
dB
%
dBc的
dBc的
DBM
DBM
mA
%
DBM
DBM
DBM
W W W .
Microsemi的
.
COM
2
×
F
TX
F
INT
=
2110
兆赫
输出功率动态
静态电流@低功耗
调制精度（ EVM ）
在带内噪声功率
925-960兆赫@ 100 KHz的带宽
1805-1880 @ 100 KHz的带宽
2110至70年兆赫@ 3.84 MHz带宽
标称线性输出功率
输入VSWR
输出VSWR
泄漏电流（降低功耗）
电源电压
3.04
5.0
A
V
S
PECIFICATIONS
S
PECIFICATIONS
版权
2000
牧师0.2B ， 2000年11月7日
Microsemi的
微WaveSys
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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MWS11-PHxx-CS
W- CMDA功率放大器
A
M I C R O 2 S ê M I
C 0 M·P一N Y
P
RELIMINARY
W W W .
Microsemi的
.
COM
图1
– E
估值委员会的W- CDMA功率放大器
V
REF
2.8V
C15
10-50mF
T1
W = 10MIL
L=40mil
R2
640欧姆
C16
100 pF的
C8
100pF
C17
100pF
C9
100pF
C12
0.1F
C13
10-50mF
V
CC
3.5V
C10
100pF
R1
295欧姆
VB2
VC C2
VB1
VC
T2
W = 20mil
L=825mil
W = 48mil
L=50mil
RF UT
W = 48mil
L=163mil
C6
2.2pF
C7
2.2pF
50 OHM
LINE
在RF
50 OHM
LINE
C16
1.8pF
W = 48mil
L=150mil
W = 48mil W 1 = 10MIL
L =为5mil W 2 = 48mil
C3
L=20mil
2.7pF
男女S11-
PH 41 （C S）
A
PPLICATION
A
PPLICATION
图2
– E
估值委员会的W- CDMA原理
版权
2000
牧师0.2B ， 2000年11月7日
Microsemi的
微WaveSys
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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