三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54534P/FP
带钳位二极管和频闪6 -UNIT 320毫安晶体管阵列
描述
M54534P和M54534FP六个电路晶体管阵列。
该电路是由NPN晶体管。无论是semicon-
导体集成电路进行高电流驱动的
极低的输入电流供应。
引脚配置（顶视图）
选通输入STB → 1
IN1 → 2
IN2 → 3
IN3 → 4
输入
IN4 → 5
IN5 → 6
IN6 → 7
GND
8
16
V
CC
15
→O1
14
→O2
13
→O3
12
→O4
11
→O5
10
→O6
9
COM公共
产量
特点
q
媒体击穿电压（ BV
首席执行官
≥
20V)
q
高电流驱动（IC （最大值） = 320毫安）
q
钳位二极管
q
宽广的输入电压范围（V
I
= -25 + 20V ）
q
工作温度范围宽（大= -20 + 75 ° C）
q
与选通输入
16P4(P)
概要16P2N -A （ FP ）
电路原理图（每个电路）
应用
继电器和打印机，显示的数字驱动器的驱动器元素
ments （ LED和灯） 。
1.6k
输入
20k
2k
GND
机顶盒
选通输入
这六个电路共用机顶盒， COM ，V
CC
， GND 。
由虚线所示的二极管是寄生二极管，切莫
可以使用。
单位：
产量
380
V
CC
COM
功能
该M54534P和M54534FP各有六个巡回consist-
荷兰国际集团的NPN型晶体管。每路输入都有一个二极管和1.6kΩ
esistor串联。各输入端被连接，并且每个输出
连接秒杀杀手钳位二极管，每个发射器
晶体管连接到GND （引脚8） ，选通输入所配置
连接至（引脚1） ，钳位二极管连接的COM引脚（引脚
9 ）和V
CC
被连接到共同的销16 。
集电极电流是320毫安最大。集电极 - 发射极
电源电压为20V最大。
M54534FP被封闭在模制的小扁平封装，烯
abling节省空间的设计。
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
首席执行官
I
C
V
I
V
机顶盒（STB ）
I
F
V
R
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
电源电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
输入电压
选通输入电压
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
条件
输出，H
电流每路输出，L
评级
10
–0.5 ~ +20
320
–25 ~ +20
–0.5~ +20
320
单位
V
V
mA
V
V
mA
V
W
°C
°C
Aug.1999
钳位二极管的正向电流
钳位二极管的反向电压
功耗
工作温度
储存温度
TA安装在船上的时候= 25° C，
20
1.47/1.00
–20 ~ +75
–55 ~ +125
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54534P/FP
带钳位二极管和频闪6 -UNIT 320毫安晶体管阵列
多功能表
IN
L
H
L
H
机顶盒
L
L
H
H
OUT
H
H
H
L
推荐工作条件
符号
V
CC
V
O
电源电压
输出电压
集电极电流
每通道
“H”输入电压
“L”输入电压
“H”输入电压（选通输入）
“L”输入电压（选通输入）
参数
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
民
3
0
范围
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
8
20
300
单位
V
V
I
C
V
CC
= 6.5V ，占空比
P：不大于25 ％
FP ：不超过15％的
V
CC
= 6.5V ，占空比
P：不大于65％
FP：不大于35 ％
0
0
3.2
0
2.4
0
mA
150
18
0.7
18
0.2
V
V
V
V
V
IH
V
IL
V
IH（ STB）
V
白细胞介素（ STB ）
电气特性
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （SAT）
I
I
I
IR
I
I（ STB）
I
R（ STB）
V
F
I
R
I
CC
h
FE
参数
（除非另有说明，钽= -20 75
°
C)
测试条件
V
CC
= 8V, V
I
= 3.2V, V
I（ STB）
= 0.2V ，我
首席执行官
= 100A
V
I
= 3.2V
V
CC
= 6.5V ，我
C
= 250毫安
集电极 - 发射极饱和电压V
I（ STB）
= 2.4V
V
CC
= 3V ，我
C
= 120毫安
输入电流
输入反向电流
选通输入电流
选通输入反向电流
钳位二极管的正向电压
钳位二极管的反向电流
电源电流
直流放大系数
V
CC
= 8V, V
I
= 3.2V, V
I（ STB）
= 2.4V
V
CC
= 8V, V
I
= –25V
V
CC
= 8V, V
I
= 3.2V （所有输入） ，V
I（ STB）
= 0.2V
V
CC
= 8V, V
I
= 0V, V
I（ STB）
= 20V
I
F
= 320毫安
V
R
= 20V
V
CC
= 8V, V
I
= 3.2V （所有输入） ，V
I（ STB）
= 2.4V
V
CE
= 4V, V
CC
= 6.5V ，我
C
= 300毫安， TA = 25 ℃，
V
I（ STB）
= 2.4V
集电极 - 发射极击穿电压
民
20
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1000
范围
典型值
+
—
0.3
0.15
0.5
—
–7.9
—
1.4
—
120
3000
最大
—
0.85
0.5
1.4
–20
–20
20
2.4
100
200
—
单位
V
V
mA
A
mA
A
V
A
mA
—
+
：典型值是25℃，环境温度（Ta ）下进行测定。但不保证这些值是根据获得的任何
条件。
开关特性
（除非另有说明， TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的（注1 ）
测试条件
民
—
—
范围
典型值
22
1200
最大
—
—
单位
ns
ns
Aug.1999
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54534P/FP
带钳位二极管和频闪6 -UNIT 320毫安晶体管阵列
注1：测试电路
输入
V
CC
测量设备
开放
PG
机顶盒
50
C
L
产量
产量
50%
50%
时序图
V
O
50%
50%
R
L
输入
吨
花花公子
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF =为6ns ，Z
O
= 50
V
P
= 3.2V
P-P
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 40, V
O
= 10V, V
CC
= V
机顶盒
= 6.5V
（ 3 ）静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
典型特征
输出饱和电压
集电极电流特性
400
热降额因子特征
2.0
功耗PD （W ）
1.5
M54534P
集电极电流Ic （ mA）的
300
1.0
M54534FP
200
V
I
= 3.2V
V
CC
= 3V
V
机顶盒
= 2.4V
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
0.5
100
0
0
25
50
75
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
环境温度Ta （C ）
占空比集电极特性
(M54534P)
400
400
输出饱和电压V
CE
（ SAT ） （V ）
占空比集电极特性
(M54534P)
集电极电流Ic （ mA）的
300
集电极电流Ic （ mA）的
1~3
4
5
200
6
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 25° C，V
CC
= 6.5V
1,2
300
3
200
4
100
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 75 ° C，V
CC
= 6.5V
5
6
100
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
Aug.1999
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54534P/FP
带钳位二极管和频闪6 -UNIT 320毫安晶体管阵列
占空比集电极特性
(M54534FP)
400
400
占空比集电极特性
(M54534FP)
集电极电流Ic （ mA）的
集电极电流Ic （ mA）的
1,2
300
3
200
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 25° C，V
CC
= 6.5V
300
1
2
4
5
6
200
3
100
集电极电流值
表示当前的每电路。
重复频率
≥
10Hz
在圈内的值表示
的同时操作的电路的值。
TA = 75 ° C，V
CC
= 6.5V
100
4
5
6
100
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
占空比（ ％ ）
直流放大系数
集电极电流特性
10
4
直流放大因子H
FE
7
5
占空比（ ％ ）
接地发射传输特性
400
V
CC
= 6.5V, V
I（ STB）
= 2.4V
V
CE
= 4V
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
集电极电流Ic （ mA）的
3
300
10
3
7
5
3
V
CC
= 6.5V, V
I（ STB）
= 2.4V
V
CE
= 4V
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
200
100
10
2 1
10
3
5 7
10
2
3
5 7
10
3
0
0
1
2
3
4
集电极电流Ic （ mA）的
输入电压V
I
(V)
输入特性
10
V
CC
= 8V
V
机顶盒
= 2.4V
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
电源电流特性（普通）
200
V
机顶盒
= 2.4V
V
I
= 3.2V
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
供应电流I
CC
（MA ）
8
输入电流I
I
（MA ）
150
6
100
4
2
50
0
0
5
10
15
20
0
0
2
4
6
8
10
输入电压V
I
(V)
电源电压V
CC
(V)
Aug.1999
三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54534P/FP
带钳位二极管和频闪6 -UNIT 320毫安晶体管阵列
钳位二极管特性
400
正向偏置电流I
F
（MA ）
300
TA = 75℃
TA = 25°C
TA = -20℃
200
100
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
正向偏置电压V
F
(V)
Aug.1999
QQ：2881677436 复制
