飞思卡尔半导体公司
技术参数
MW4IC915N
启7 ， 5/2006
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MW4IC915NB / GNB宽带集成电路是专为GSM
和GSM EDGE基站应用。它采用飞思卡尔最新的高
电压（ 26 28伏特） LDMOS IC技术，并集成了多 - 舞台
结构。其宽带片上的设计使得它可以使用750至1000兆赫。
线性演出涵盖所有调制的蜂窝应用： GSM ，
GSM EDGE ， TDMA ，N - CDMA和W - CDMA 。
最终的应用
典型性能： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 60 mA时，我
DQ2
= 240毫安，
P
OUT
= 15瓦CW ，全频波段（ 860 - 960兆赫）
功率增益 - 30分贝
功率附加效率 - 44 ％
驱动器应用
典型的GSM / GSM EDGE性能： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 60毫安，
I
DQ2
= 240毫安， P
OUT
= 3瓦的魅力，全频波段（ 869 - 894 MHz的
和921 - 960兆赫）
功率增益 - 31分贝
功率附加效率 - 19 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 65 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 83 dBc的
EVM - 1.5 ％
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 921兆赫， 15瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞， >3欧姆输出）
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
在 - 片内电流镜克
m
FET参考自偏置的应用
(1)
集成ESD保护
200℃有能力塑料包装
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
V
RD2
V
RG2
V
DS1
RF
in
V
RD1
V
RG1
V
GS1
V
GS2
V
DS2
/ RF
OUT
MW4IC915NBR1
MW4IC915GNBR1
860 - 960兆赫， 15 W， 26 V
GSM / GSM EDGE ，N - CDMA
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
CASE 1329至1309年
TO - 272 WB - 16
塑料
MW4IC915NBR1
CASE 1329A - 03
TO - 272 WB - 16 GULL
塑料
MW4IC915GNBR1
GND
V
RD2
V
RG2
V
DS1
V
RD1
RF
in
V
RG1
V
GS1
V
GS2
NC
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
16
15
GND
NC
14
RF
OUT /
V
DS2
13
12
NC
GND
静态电流
温度补偿
（ TOP VIEW ）
注：背面裸露的标志是源
终端晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1987 / D，
静态电流控制的射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1987 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MW4IC915NBR1 MW4IC915GNBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
价值
- 0.5. +65
- 0.5. +15
- 65 +175
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
GSM应用
(P
OUT
= 15瓦CW）
GSM EDGE应用
(P
OUT
= 7.5瓦CW）
CDMA应用
(P
OUT
= 3.75 W CW）
第一阶段， 26伏直流电，我
DQ
= 60毫安
第二阶段， 26伏直流，我
DQ
= 240毫安
第一阶段， 26伏直流电，我
DQ
= 60毫安
第二阶段， 26伏直流，我
DQ
= 240毫安
第一阶段， 26伏直流电，我
DQ
= 60毫安
第二阶段， 26伏直流，我
DQ
= 240毫安
符号
R
θJC
7.3
1.7
7.3
1.8
7.4
1.9
价值
(1)
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
C2 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DS
= 26伏直流，我
DQ1
= 90 mA时，我
DQ2
= 240毫安， P
OUT
= 15瓦PEP ，
F1 = 869兆赫， F2 = 869.1 MHz和F1 = 960兆赫和f2 = 960.1兆赫，二 - 音
功率增益
功率附加效率
互调失真
输入回波损耗
G
ps
PAE
IMD
IRL
29
29
—
—
31
31
- 40
- 15
—
—
- 29
- 10
dB
%
dBc的
dB
1.参考AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
（续）
MW4IC915NBR1 MW4IC915GNBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
在整个温度范围静态电流精度
用1.8 kΩ的门饲料电阻（ - 1085 ℃）下
(1)
增益平坦度在40 MHz带宽@ P
OUT
= 3 W CW
从线性相位偏差在40 MHz带宽@ P
OUT
= 3 W CW
延迟@ P
OUT
= 3 W CW可提供输出匹配
部分 - 到 - 部分相位变化@ P
OUT
= 3 W CW
符号
ΔI
QT
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
民
—
—
—
—
—
典型值
±5
0.2
±0.6
2.5
±15
最大
—
—
—
—
—
单位
%
dB
°
ns
°
典型的表演
（飞思卡尔参考板）V
DS
= 26 V，I
DQ1
= 60 mA时，我
DQ2
= 240毫安， 869 MHz的MHz<Frequency>960
典型的GSM / EDGE GSM演出
（飞思卡尔参考板）V
DS
= 26 V，I
DQ1
= 60 mA时，我
DQ2
= 240毫安，
869 MHz<Frequency<960兆赫
输出功率， 1dB压缩点
功率增益@ P
OUT
= 15瓦CW
功率附加效率@ P
OUT
= 15瓦CW
输入回波损耗@ P
OUT
= 15瓦CW
误差矢量幅度@ P
OUT
= 3 W的魅力。含
0.6 ％ RMS EVM源
频谱再生，在400 kHz偏置@ P
OUT
= 3 W的魅力。
频谱再生，在600 kHz偏置@ P
OUT
= 3 W的魅力。
P1dB
G
ps
PAE
IRL
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
—
—
20
30
44
- 15
1.5
- 65
- 83
—
—
—
—
—
—
—
瓦
dB
%
dB
RMS ％
dBc的
dBc的
1.参考AN1977 / D，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1977 。
MW4IC915NBR1 MW4IC915GNBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
L1
V
DS1
+
RF
输入
C1
Z1
R1
+
C6
V
GS2
R2
+
C9
C8
C7
C5
C4
C2
C3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 NC
11
16
NC 15
+
C10 C11
C15
+
C14
V
DS2
14
Z2
Z3
C12
C13
Z4
M1
Z5
M2
Z6
M4
Z7
M3
Z8
C16
Z9
RF
产量
V
GS1
NC 13
静态电流
温度补偿
12
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
0.086″, 50
W
微带
0.133 “× 0.236”微带
0.435 “× 0.283 ”微带
0.171 “× 0.283 ”微带
0.429 “× 0.283 ”微带
Z6
Z7
Z8
Z9
PCB
0.157 “× 0.283 ”微带
0.429 “× 0.283 ”微带
0.394 “× 0.088 ”微带
0.181 “× 0.088 ”微带
Taconic的TLX8 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图3. MW4IC915NBR1 （ GNBR1 ）测试夹具示意图
表6. MW4IC915NBR1 （ GNBR1 ）测试夹具元件牌号和值
部分
C1, C6, C9, C14
C2, C5, C8, C11
C3, C4, C7, C10, C16
C12, C13
C15
L1
M1, M2, M3, M4
R1, R2
描述
22
MF，
35 V片式钽电容器
1000 pF的贴片电容
22 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
10
mF
片式钽电容器
12.5 nH的电感器
0.283 “ ， 90_斜接微带弯头
为10kΩ ， 1/4 W码电阻（ 1206 ）
产品型号
TAJE226M035R
100B102JCA500X
100B220JCA500X
100B100JCA500X
T491X226K035AS4394
生产厂家
AVX
ATC
ATC
ATC
基美
MW4IC915NBR1 MW4IC915GNBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C1
V
DS1
C2
C3
C10
L1
C12
C13
C11
MW4IC915MB
REV 0
V
DS2
C14
C15
C16
C5
C4
C7
C6
R1
V
GS1
C8
C9
V
GS2
R2
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图4. MW4IC915NBR1 （ GNBR1 ）测试夹具元件布局
MW4IC915NBR1 MW4IC915GNBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
