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MRF151
部件状态：已发布
射频功率场效应晶体管
150 W， 50 V， 175 MHz的N沟道MOSFET宽带
特点
在30兆赫， 50 V保证性能：
输出功率 - 150瓦
增益 - 18分贝（22 dB典型值）
效率= 40％
在175兆赫， 50 V典型性能：
输出功率 - 150瓦
增益= 13分贝
低热阻
耐用性测试，在额定输出功率
氮化物钝化模具提高可靠性
M / A- COM产品
符合RoHS
包装外形
说明与应用
专为宽带商业和军事
应用频率为175兆赫。高
这个功率，高增益和宽带性能
设备成为可能的固态发射机
FM广播或电视信道的频带。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MRF151
部件状态：已发布
射频功率场效应晶体管
150 W， 50 V， 175 MHz的N沟道MOSFET宽带
M / A- COM产品
符合RoHS
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北美
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正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
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射频功率场效应晶体管
150 W， 50 V， 175 MHz的N沟道MOSFET宽带
M / A- COM产品
符合RoHS
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
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射频功率场效应晶体管
150 W， 50 V， 175 MHz的N沟道MOSFET宽带
M / A- COM产品
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150 W， 50 V， 175 MHz的N沟道MOSFET宽带
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半导体技术资料
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由MRF151 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强型MOSFET
设计用于在频率宽带商业和军事应用
175兆赫。的高功率，高增益和该宽带性能
设备成为可能的固态发射机FM广播或电视频道
频带。
在30兆赫， 50 V保证性能：
输出功率 - 150瓦
增益 - 18分贝（22 dB典型值）
效率= 40％
在175兆赫， 50 V典型性能：
输出功率 - 150瓦
增益= 13分贝
低热阻
耐用性测试，在额定输出功率
氮化物钝化模具提高可靠性
D
MRF151
150 W， 50 V， 175 MHz的
N沟道
宽带
RF功率MOSFET
G
CASE 211-11 ，花柱2
S
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
DGO
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
125
125
±
40
16
300
1.71
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.6
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
第9版
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 100 mA时）
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 50 V, V
GS
= 0)
门体漏电流（Ⅴ
GS
= 20 V, V
DS
= 0)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
125
—
—
—
—
—
—
5.0
1.0
VDC
MADC
μAdc
基本特征
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 100 mA时）
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A)
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 5.0 A)
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
g
fs
1.0
1.0
5.0
3.0
3.0
7.0
5.0
5.0
—
VDC
VDC
姆欧
动态特性
输入电容（V
DS
= 50 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输出电容（V
DS
= 50 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容（V
DS
= 50 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
350
220
15
—
—
—
pF
pF
pF
功能测试
共源放大器功率增益， F = 30 ; 30.001兆赫
(V
DD
= 50 V，P
OUT
= 150 W（ PEP ） ，我
DQ
= 250 mA）的F = 175 MHz的
漏EF网络效率
(V
DD
= 50 V，P
OUT
= 150 W（ PEP ） ， F = 30 ; 30.001兆赫，
I
D
（ MAX）= 3.75 ）
互调失真（ 1 ）
(V
DD
= 50 V，P
OUT
= 150 W（ PEP ） ， F = 30 MHz时，
F2 = 30.001兆赫，我
DQ
= 250 mA）的
负载不匹配
(V
DD
= 50 V，P
OUT
= 150 W（ PEP ） ， F1 = 30 ; 30.001兆赫，
I
DQ
= 250毫安，电压驻波比30 ： 1 ，在所有相位角）
G
ps
η
18
—
40
22
13
45
—
—
—
dB
%
dB
IMD
(d3)
IMD
(d11)
ψ
在输出功率不降低
—
—
– 32
– 60
– 30
—
A类性能
互调失真（ 1 ）和功率增益
(V
DD
= 50 V，P
OUT
= 50 W（ PEP ） ， F1 = 30 MHz时，
F2 = 30.001兆赫，我
DQ
= 3.0 A)
G
PS
IMD
(d3)
IMD
(d9 – 13)
—
—
—
23
– 50
– 75
—
—
—
dB
注意：
1. MIL -STD -1311版本A ，测试方法2204B ，双音，参考每个音调。
BIAS +
0 – 12 V –
+
C8
T2
C4
L2
C9
+
–
C10
–
RF
产量
L1
C5
C6
C7
50 V
R1
RF
输入
T1
C1
R3
C2
D.U.T.
R2
C3
C1 - 470 pF的云母浸
C2, C5, C6, C7, C8, C9 — 0.1
F
陶瓷贴片或
用的单片短信息
C3 - 200 pF的未包封云母或云母浸
短信息
C4 - 15 pF的未包封云母或云母浸
短信息
C10 — 10
F/100
V电解
L1 - VK200 / 4B铁氧体扼流圈或同等学历， 3.0
H
L2 - 铁氧体磁珠（S ） ， 2.0
H
R1, R2 — 51
/1.0
W碳
R3 — 3.3
/1.0
W碳（或2.0× 6.8
/1/2
在并行W）
T1 - 9 ： 1宽带变压器
T 2 - 1 ：9的宽带变压器
板材料 - 0.062 “玻璃纤维（ G10 ） ，
1盎司铜包钢， 2面，
e
r
= 5
图1. 30 MHz的测试电路
第9版
2
RFC2
+50 V
+
C10
BIAS
0 – 12 V
R1
C4
+
C5
R3
D.U.T.
L3
L2
L4
C11
C9
RF输出
C1
RF输入
L1
C6
C2
C3
R2
C7
C8
C 1 ，C 2， C 8 - 阿科463或等效
C3 - 25 pF的， Unelco
C4 — 0.1
F,
陶瓷的
C5 — 1.0
F,
15 WV钽
C6 - 15 pF的， Unelco J101
C7 - 25 pF的， Unelco J101
C9 - 阿科262或同等学历
C10 — 0.05
F,
陶瓷的
C11 — 15
F,
60 WV电解
D1 - 1N5347齐纳二极管
L1 - 3/4“ ， 18号AWG成发夹
L2 - 印刷线， 0.200 “× 0.500 ”
L3 - 1 “ ， ＃ 16 AWG成发夹
L4 - 2圈， ＃ 16 AWG ， 5/16 ID
RFC1 - 5.6
H,
呛
RFC2 - VK200-4B
R1 — 150
,
为1.0W碳
R2 - 10 kΩ的1/2 W碳
R3 — 120
,
1/2 W碳
板材料 - 0.062 “玻璃纤维（ G10 ） ，
1盎司铜包钢， 2面，
ε
r
= 5.0
图2. 175 MHz的测试电路
典型特征
1000
500
C，电容（pF ）
200
100
50
C
RSS
20
0
C
国际空间站
C
OSS
VGS ，漏源极电压（归）
1.04
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0.94
0.93
0.92
0.91
0.9
– 25
1
D
= 5 A
4A
2A
1A
250毫安
百毫安
25
50
75
T
C
，外壳温度（ ° C）
0
10
20
30
40
V
DS
，漏源极电压（伏）
50
0
100
图3.电容与
漏源电压
图4.栅源电压与
外壳温度
第9版
3
典型特征
100
F T ，单位增益频率（MHz）
2000
V
DS
= 30 V
I D ，漏极电流（ AMPS ）
V
DS
= 15 V
10
1000
T
C
= 25°C
1
2
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
200
0
0
2
4
8
12
6
10
14
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
16
18
20
图5.直流安全工作区
图6.公共源单位增益频率
与漏极电流
30
噘嘴，输出功率（瓦）
300
200
100
0
300
200
100
10
30
男，频率（MHz）
100
200
0
0
1
2
3
P
in
，输入功率（瓦）
V
DD
= 50 V
40 V
F = 30 MHz的
I
DQ
= 250毫安
4
5
0
5
10
15
V
DD
= 50 V
F = 175 MHz的
I
DQ
= 250毫安
20
25
25
GPS，功率增益（分贝）
20
15
V
DD
= 50 V
I
DQ
= 250毫安
P
OUT
= 150 W
2
5
10
5
图7.功率增益与频率
图8.输出功率与输入功率
25
IMD ，互调失真
d
3
35
45
55
V
DD
= 50 V ， F = 30 MHz时，分色= 1千赫
25
35
d
3
45
55
0
20
40
d
5
I
DQ
= 500毫安
180
200
d
5
I
DQ
= 250毫安
60
100 120 140 160
80
P
OUT
输出功率（瓦特PEP ）
图9. IMD与P
OUT
第9版
4
第9版
5
f
兆赫
240
230
220
210
200
190
180
170
160
150
140
130
120
100
110
90
80
70
60
50
40
30
0.970
0.971
0.969
0.967
0.967
0.964
0.962
0.960
0.957
0.954
0.950
0.946
0.942
0.936
0.932
0.925
0.918
0.912
0.902
0.895
0.886
0.877
|S
11
|
S
11
表1.常见源S参数（V
DS
= 50 V，I
D
= 2 A)
–180
–180
–179
–179
–178
–178
–177
–177
–177
–176
–176
–175
–175
–174
177
178
178
178
179
179
179
180
φ
图10.系列等效阻抗
7.5
10.10
|S
21
|
15
0.57
0.60
0.67
0.71
0.75
0.84
0.90
1.01
1.13
1.23
1.39
1.55
1.77
2.06
2.34
2.69
3.19
3.86
4.73
5.76
7.47
30
15
100
30
7.5
4
150
4
S
21
Z
in
2
100
150
Z
OL
*
2
F = 175 MHz的
12
12
14
16
18
19
20
22
24
27
30
32
35
37
40
45
48
52
58
63
69
77
F = 175 MHz的
φ
注：门分流25欧姆。
Z
OL
* =最佳负载阻抗的共轭
Z
OL
* =
入该装置的输出工作在
Z
OL
* =
给定的输出功率，电压和频率。
V
DD
= 50 V
I
DQ
= 250毫安
P
OUT
= 150 W
Z
o
= 10
0.037
0.038
0.035
0.032
0.030
0.028
0.026
0.024
0.023
0.021
0.019
0.017
0.015
0.014
0.013
0.010
0.009
0.009
0.008
0.009
0.008
0.011
|S
12
|
S
12
80
81
82
80
79
80
82
82
79
78
77
77
76
72
67
62
54
46
39
33
24
19
φ
0.950
0.950
0.949
0.937
0.922
0.929
0.931
0.904
0.909
0.884
0.874
0.875
0.865
0.850
0.808
0.802
0.784
0.764
0.756
0.715
0.707
0.911
|S
22
|
S
22
–180
–179
–178
–176
–177
–176
–175
–174
–172
–173
–175
–173
–171
–171
–172
–171
–171
–172
–169
179
179
180
φ
摩托罗拉
半导体技术资料
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由MRF151 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强型MOSFET
设计用于在频率宽带商业和军事应用
175兆赫。的高功率，高增益和该宽带性能
设备成为可能的固态发射机FM广播或电视频道
频带。
在30兆赫， 50 V保证性能：
输出功率 - 150瓦
增益 - 18分贝（22 dB典型值）
效率= 40％
在175兆赫， 50 V典型性能：
输出功率 - 150瓦
增益= 13分贝
低热阻
耐用性测试，在额定输出功率
氮化物钝化模具提高可靠性
D
MRF151
150 W， 50 V， 175 MHz的
N沟道
宽带
RF功率MOSFET
G
S
CASE 211-11 ，花柱2
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VDSS
VDGO
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
价值
125
125
±
40
16
300
1.71
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.6
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
转8
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉1997年公司
MRF151
1
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压（ VGS = 0 ， n = 100 mA时）
零栅极电压漏极电流（ VDS = 50V， VGS = 0 ）
门体漏电流（ VGS = 20V时， VDS = 0）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
125
—
—
—
—
—
—
5.0
1.0
VDC
MADC
μAdc
基本特征
栅极阈值电压（ VDS = 10V ， ID = 100 mA时）
漏源电压（ VGS = 10V ， ID = 10A）
正向跨导（ VDS = 10V ， ID = 5.0 A）
VGS （ TH）
VDS （上）
政府飞行服务队
1.0
1.0
5.0
3.0
3.0
7.0
5.0
5.0
—
VDC
VDC
姆欧
动态特性
输入电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
输出电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
350
220
15
—
—
—
pF
pF
pF
功能测试
共源放大器功率增益， F = 30 ; 30.001兆赫
（ VDD = 50V，噘= 150 W（ PEP ） ， IDQ = 250 mA）的F = 175 MHz的
漏EF网络效率
（ VDD = 50V，噘= 150 W（ PEP ） ， F = 30 ; 30.001兆赫，
ID （ MAX）= 3.75 ）
互调失真（ 1 ）
（ VDD = 50V，噘= 150 W（ PEP ） ， F = 30 MHz时，
F2 = 30.001兆赫， IDQ = 250 mA）的
负载不匹配
（ VDD = 50V，噘= 150 W（ PEP ） ， F1 = 30 ; 30.001兆赫，
IDQ = 250毫安，电压驻波比30 ： 1 ，在所有相位角）
全球定位系统
η
18
—
40
22
13
45
—
—
—
dB
%
dB
IMD(d3)
IMD(d11)
ψ
在输出功率不降低
—
—
– 32
– 60
– 30
—
A类性能
互调失真（ 1 ）和功率增益
（ VDD = 50V，噘= 50 W（ PEP ） ， F1 = 30 MHz时，
F2 = 30.001兆赫， IDQ = 3.0 A）
全球定位系统
IMD(d3)
IMD （ D9 - 13 ）
—
—
—
23
– 50
– 75
—
—
—
dB
注意：
1. MIL -STD -1311版本A ，测试方法2204B ，双音，参考每个音调。
BIAS +
0 – 12 V –
+
C8
T2
C4
L2
C9
+
–
C10
–
RF
产量
L1
C5
C6
C7
50 V
R1
RF
输入
T1
C1
R3
C2
D.U.T.
R2
C3
C1 - 470 pF的云母浸
C2, C5, C6, C7, C8, C9 — 0.1
F
陶瓷贴片或
用的单片短信息
C3 - 200 pF的未包封云母或云母浸
短信息
C4 - 15 pF的未包封云母或云母浸
短信息
C10 — 10
F/100
V电解
L1 - VK200 / 4B铁氧体扼流圈或同等学历， 3.0
H
L2 - 铁氧体磁珠（S ） ， 2.0
H
R1, R2 — 51
/1.0
W碳
R3 — 3.3
/1.0
W碳（或2.0× 6.8
/1/2
在并行W）
T1 - 9 ： 1宽带变压器
T 2 - 1 ：9的宽带变压器
板材料 - 0.062 “玻璃纤维（ G10 ） ，
1盎司铜包钢， 2面，
e
r = 5
图1. 30 MHz的测试电路
MRF151
2
摩托罗拉RF设备数据
RFC2
+50 V
+
C10
BIAS
0 – 12 V
R1
C4
+
C5
R3
D.U.T.
L3
L2
L4
C11
C9
RF输出
C1
RF输入
L1
C6
C2
C3
R2
C7
C8
C 1 ，C 2， C 8 - 阿科463或等效
C3 - 25 pF的， Unelco
C4 — 0.1
F,
陶瓷的
C5 — 1.0
F,
15 WV钽
C6 - 15 pF的， Unelco J101
C7 - 25 pF的， Unelco J101
C9 - 阿科262或同等学历
C10 — 0.05
F,
陶瓷的
C11 — 15
F,
60 WV电解
D1 - 1N5347齐纳二极管
L1 - 3/4“ ， 18号AWG成发夹
L2 - 印刷线， 0.200 “× 0.500 ”
L3 - 1 “ ， ＃ 16 AWG成发夹
L4 - 2圈， ＃ 16 AWG ， 5/16 ID
RFC1 - 5.6
H,
呛
RFC2 - VK200-4B
R1 — 150
,
为1.0W碳
R2 - 10 kΩ的1/2 W碳
R3 — 120
,
1/2 W碳
板材料 - 0.062 “玻璃纤维（ G10 ） ，
1盎司铜包钢， 2面，
ε
r = 5.0
图2. 175 MHz的测试电路
典型特征
1000
500
C，电容（pF ）
200
100
50
CRSS
20
0
西塞
科斯
VGS ，漏源极电压（归）
1.04
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0.94
0.93
0.92
0.91
0.9
– 25
1D = 5 A
4A
2A
1A
250毫安
百毫安
25
50
75
TC ，外壳温度（ ° C）
0
10
20
30
40
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
50
0
100
图3.电容与
漏源电压
图4.栅源电压与
外壳温度
摩托罗拉RF设备数据
MRF151
3
典型特征
100
F T ，单位增益频率（MHz）
2000
VDS = 30 V
I D ，漏极电流（ AMPS ）
VDS = 15 V
1000
10
TC = 25°C
1
2
20
VDS ，漏极至源极电压（伏）
200
0
0
2
4
6
10
14
8
12
ID ，漏极电流（ AMPS ）
16
18
20
图5.直流安全工作区
图6.公共源单位增益频率
与漏极电流
30
噘嘴，输出功率（瓦）
300
200
100
0
300
200
100
10
30
男，频率（MHz）
100
200
0
0
1
2
3
引脚，输入功率（瓦）
VDD = 50 V
40 V
F = 30 MHz的
IDQ = 250毫安
4
5
0
5
10
15
VDD = 50 V
F = 175 MHz的
IDQ = 250毫安
20
25
25
GPS，功率增益（分贝）
20
15
VDD = 50 V
IDQ = 250毫安
噘嘴= 150瓦
2
5
10
5
图7.功率增益与频率
图8.输出功率与输入功率
25
IMD ，互调失真
d3
35
45
55
VDD = 50 V ， F = 30 MHz时，分色= 1千赫
25
35
d3
45
55
0
20
40
d5
IDQ = 500毫安
180
200
d5
IDQ = 250毫安
80
60
100 120 140 160
噘嘴，输出功率（瓦特PEP ）
图9. IMD与噘
MRF151
4
摩托罗拉RF设备数据
150
100
寻
F = 175 MHz的
30
15
15
150
30
7.5
100
ZOL *
F = 175 MHz的
ZO = 10
VDD = 50 V
IDQ = 250毫安
噘嘴= 150瓦
ZOL * =共轭的最佳负载阻抗的
ZOL * =
入该装置的输出工作在
ZOL * =
给定的输出功率，电压和频率。
注：门分流25欧姆。
7.5
4
2
4
2
图10.系列等效阻抗
RF功率MOSFET的注意事项
MOSFET电容
的MOSFET的结果在电容器的物理结构
端子之间。金属阳极栅结构DE-
从栅极到漏极（ Cgd的） ，和栅极termines电容器
到源极（C GS） 。期间所形成的PN结
的MOSFET的结果中的结电容的制造
从漏极到源极（CDS） 。
这些电容的特点是输入（ CISS） ，输出
把（科斯）和反向数据传输（的Crss ）电容
床单。的端子间电容之间的关系
可用距离以及在数据表上给出如下所示。该
西塞可以通过两种方式来指定：
1.漏短接至源和正电压在门口。
排在2方面正电压源和零
伏在栅极。在后一种情况下的数字低。
然而，无论是方法表示实际operat-
荷兰国际集团在RF应用的条件。
在给定的漏电流小信号电流单位增益频率
租金水平。这相当于fT的双极晶体管。
由于该试验是在一个快扫描速度，加热进行
该装置不会发生。因此，在正常使用中，高
温度可能会降低这些特点在一定EX-
帐篷里。
排水特性
值得一FET的一个数字是，在它的静态阻力
全条件。该导通电阻， VDS （上） ，发生在
的输出特性的线性区域，并指定非
明镜特定测试条件为栅极 - 源极电压和漏极
电流。对于MOSFET的VDS （上）具有正温度
系数，构成一个重要的设计考虑因素
在高温下，因为它有助于电力
该设备内的功耗。
GATE特性
MOSFET的栅极是多晶硅材料，并且是
由氧化物层从源电隔离。该
输入电阻非常高 - 109欧姆的量级 -
导致的几nA的漏电流。
栅极控制是通过施加正电压来实现
稍微过量的栅极 - 源极阈值电压，
VGS （ TH） 。
栅极电压额定值
- 不要超过栅极电压
投资评级。超过额定VGS可能会导致永久性的
损坏在栅极区域中的氧化物层。
门终止
- 该装置的门基本上是
电容。电路的离开门开路或悬空
应避免荷兰国际集团。这些条件可导致开启
在装置由于在输入电压累积
电容由于漏电流或皮卡。
漏
CGD
门
CDS
CGS
西塞= Cgd的=的Cgs
COSS = Cgd的=硫化镉
CRSS = Cgd的
来源
线性度和增益特性
除了在典型的IMD和功率增益数据压力
ented ，图6中可以给设计者的额外信息
在此设备的能力。该图表示的
摩托罗拉RF设备数据
MRF151
5
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