硅调谐二极管
这些设备中流行的塑料设计PACK-
年龄FM收音机高volumerequirements和电视调谐和
AFC ,通用变频器的控制andtuning applications.They亲
在更换机械调谐的韦迪固态可靠性
的方法。在表面贴装封装也可高达33pF的。
高Q值
控制和统一调谐比
标准电容容差
—10%
完整的典型的设计曲线
MMBV2101LT1
MMBV2103LT1
MMBV2105LT1
MMBV2107LT1
MMBV2108LT1
MMBV2109LT1
6.8-100p
30伏特
可变电压
容二极管
3
阴极
1
阳极
3
1
2
例
318-08 ,风格8
SOT- 23 ( TO- 236AB )
最大额定值(每个二极管)
等级
反向电压
正向电流
器件耗散@T
A
= 25°C
减免上述25℃
结温
存储温度范围
符号
V
R
I
F
P
D
M·V 2 1 X X MMBV21XXLT1单位
30
200
280
2.8
+150
-55到+150
225
1.8
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
T
J
T
英镑
器件标识
MMBV2101LT1=M4G
MMBV2103LT1=4H
MMBV2105LT1=4U
MMBV2107LT1=4W
MMBV2108LT1=4X
MMBV2109LT1=4J
符号
V
( BR )R
I
R
T
CC
民
30
—
—
典型值
—
—
280
最大
—
0.1
—
单位
VDC
μAdc
PPM /°C的
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
=1.0Adc)
反向电压漏电流
(V
R
=25Vdc,T
A
=25°C)
二极管电容温度系数
(V
R
=4.0Vdc,f=1.0MHz)
I6–1/3
MMBV2101LT1 MMBV2103LT1 MMBV2105LT1
MMBV2107LT1 MMBV2108LT1 MMBV2109LT1
C
设备
V
R
T
,二极管电容
= 4.0伏, F = 1.0 MHz的
pF
民
喃
6.8
10
12
15
22
27
33
47
100
最大
7.5
11
13.2
16.5
24.2
29.7
36.3
51.7
110
6.1
9.0
10.8
13.5
19.8
24.3
29.7
42.3
90
Q,优异的图
V
= 4.0伏,
F = 50MHz的
R
T
R
,调谐比
C
2
/C
30
F = 1.0 MHz的
民
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.6
典型值
2.7
2.9
2.9
2.9
2.9
3.0
3.0
3.0
3.0
最大
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.3
典型值
450
400
400
400
350
300
200
150
100
MMBV2101LT1/MV2101
MMBV2103LT1
MV2104
MMBV2105LT1/MV2105
MMBV2107LT1
MMBV2108LT1/MV2108
MMBV2109LT1/MV2109
MV2111
MV2115
MMBV2101LT1 , MMBV2103LT1 , MMBV2105LT1 , MMBV2107LT1通MMBV2109LT1 ,
可以在本体提供。
使用的设备名称和订货时任这些设备的批量删除“T1”的后缀。
参数测试方法
4.T
CC
,二极管电容温度
系数T
CC
通过比较保证
T
at
~
V
R
=4.0Vdc,f=1.0MHz,T
A
= – 65
°C
与CT在V
R
=4.0Vdc,
f=1.0MHz,T
A
= + 85
°C
在以下等式中,其中
定义TC
C
:
C
T
(+85
°C
) – C
T
(–65
°C
)
10
6
.
TC
C
=
85+65
C
T
(25
°C
)
1. C
T
,二极管电容
(C
T
= C
C
+ C
J
). C
T
的测量是在1.0兆赫使用
CA- pacitance桥( Boonton的电子模型
75A或同等学历) 。
2. T
R
,调谐比
T
R
是C的比
T
在2.0伏直流电测量除以
C
T
在30伏直流电测量。
3. Q,品质因数
Q被通过取一个的G和C的读数计算
在指定的频率广告mittance桥梁和
substitut -荷兰国际集团在下面的等式:
Q=
2πfC
G
( Booton电子型号33As8或同等学历)。用
导线长度
1/16”.
I6–2/3
MMBV2101LT1 MMBV2103LT1 MMBV2105LT1
MMBV2107LT1 MMBV2108LT1 MMBV2109LT1
典型器件特性
1000
C
T
,二极管电容(PF )
500
MV2115
200
100
50
T
A
= 25°C
F = 1.0 MHz的
MMBV2109LT1/MV2109
MMBV2105LT1/MV2105
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
MMBV2101LT1/MV2101
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
30
V
R
,反向电压(伏)
图1.二极管电容与反向电压
归一化二极管电容
1.040
100
50
I
R
,反向电流( NA)
1.030
1.020
1.010
1.000
0.990
0.980
0.970
0.960
–75
V
R
= 2.0Vdc
20
10
5.0
2.0
1.0
.50
.20
T
A
= 125°C
V
R
= 4.0Vdc
V
R
= 30V直流
归一化到C
T
在T
A
= 25°C
V
R
= (曲线)
–50
–25
0
+25
+50
+75
+100
+125
T
A
= 75°C
T
A
= 25°C
.10
.05
.02
.01
0
5.0
10
15
20
25
30
T
J
,结温( ° C)
V
R
,反向电压(伏)
图2.归二极管电容
VERSUS结温
图3.反向电流与
反向偏置电压
5000
3000
2000
5000
MMBV2101LT1/MV2101
MMBV2109LT1/MV2109
3000
2000
Q,优异的图
MV2115
100
50
30
20
10
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
Q,优异的图
1000
500
300
200
1000
500
300
200
MMBV2101LT1/MV2101
100
MV2115
50
30
20
10
10
20
30
50
70
100
200
300
T
A
= 25°C
F = 50MHz的
T
A
= 25°C
V
R
= 4.0伏
MMBV2109LT1/MV2109
V
R
,反向电压(伏)
男,频率(MHz)
图4图优异的抗
反向电压
图5.图优异的抗
频率
I6–3/3
乐山无线电公司, LTD 。
硅调谐二极管
这些器件的设计中流行的塑料包装
FM收音机的高volumerequirements和电视调谐和亚冠,一般
变频调速andtuning applications.They提供固态可靠性
在更换机械调谐方法。在表面还可以
贴装封装可达33pF的。
高Q值
控制和统一调谐比
标准电容容差
—10%
完整的典型的设计曲线
MMBV2101LT1
MMBV2103LT1
MMBV2105LT1
MMBV2107LT1
MMBV2108LT1
MMBV2109LT1
MV2101 MV2104
MV2106 MV2108
MV2109 MV2111
MV2115
6.8-100p
30伏特
可变电压
容二极管
3
3
阴极
1
阳极
1
2
CASE 318-08 ,风格8
SOT- 23 ( TO- 236AB )
最大额定值(每个二极管)
等级
反向电压
正向电流
正向功率耗散@T
A
= 25°C
减免上述25℃
符号
V
R
I
F
P
D
M·V 2 1 X X MMBV21XXLT1单位
30
VDC
200
MADC
280
2.8
+150
-55到+150
225
1.8
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
结温
存储温度范围
T
J
T
英镑
器件标识
MMBV2101LT1=M4G
MMBV2103LT1=4H
MMBV2105LT1=4U
特征
反向击穿电压
(I
R
=1.0Adc)
反向电压漏电流
(V
R
=25Vdc,T
A
=25°C)
二极管电容温度系数
(V
R
=4.0Vdc,f=1.0MHz)
MMBV2107LT1=4W
MMBV2108LT1=4X
MMBV2109LT1=4J
符号
V
( BR )R
I
R
TC
C
民
30
—
—
典型值
—
—
280
最大
—
0.1
—
单位
VDC
μAdc
PPM /°C的
电气特性(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
MMBV2101 MMBV2109 -1/3
MV2101~MV2115
乐山无线电公司, LTD 。
MMBV2101LT1 MMBV2103LT1 MMBV2105LT1
MMBV2107LT1 MMBV2108LT1 MMBV2109LT1
MV2101 MV2104 MV2105 MV2108 MV2109
MV2111 MV2115
C
设备
V
R
T
,二极管电容
= 4.0伏, F = 1.0 MHz的
pF
民
6.1
9.0
10.8
13.5
19.8
24.3
29.7
42.3
90
喃
6.8
10
12
15
22
27
33
47
100
最大
7.5
11
13.2
16.5
24.2
29.7
36.3
51.7
110
Q,优异的图
V
R
= 4.0伏,
F = 50MHz的
典型值
450
400
400
400
350
300
200
150
100
T
R
,调谐比
C
2
/C
30
F = 1.0 MHz的
民
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.6
典型值
2.7
2.9
2.9
2.9
2.9
3.0
3.0
3.0
3.0
最大
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.2
3.3
MMBV2101LT1/MV2101
MMBV2103LT1
MV2104
MMBV2105LT1/MV2105
MMBV2107LT1
MMBV2108LT1/MV2108
MMBV2109LT1/MV2109
MV2111
MV2115
MMBV2101LT1 , MMBV2103LT1 , MMBV2105LT1 , MMBV2107LT1通MMBV2109LT1 ,
可以在本体提供。
使用的设备名称和订货时任这些设备的批量删除“T1”的后缀。
参数测试方法
4.T
C
,二极管电容温度
系数
TC
C
通过比较保证
T
在V
R
=4.0Vdc,f=1.0MHz,
T
A
= – 65
°C
用C
T
在V
R
=4.0Vdc,f=1.0MHz,T
A
= +85
°C
在
下面的等式,其中定义的TC
C
:
C
T
(+85
°C
) – C
T
(–65
°C
)
10
6
.
TC
C
=
85+65
C
T
(25
°C
)
精度受限的C测量
T
to±0.1pF.
1. C
T
,二极管电容
(C
T
= C
C
+ C
J
). C
T
的测量是在1.0兆赫使用
CA- pacitance桥( Boonton的电子模型
75A或同等学历) 。
2. T
R
,调谐比
T
R
是C的比
T
在2.0伏直流电测量除以
C
T
在30伏直流电测量。
3. Q,品质因数
Q被通过取一个的G和C的读数计算
在指定的频率广告mittance桥梁和
substitut -荷兰国际集团在下面的等式:
Q=
2πfC
G
( Booton电子型号33As8或同等学历)。用
引线长度1/ 16“ 。
~
MMBV2101 MMBV2109 -2/3
MV2101~MV2115
乐山无线电公司, LTD 。
MMBV2101LT1 MMBV2103LT1 MMBV2105LT1
MMBV2107LT1 MMBV2108LT1 MMBV2109LT1
MV2101 MV2104 MV2105 MV2108 MV2109
MV2111 MV2115
典型器件特性
1000
500
(C T) ,二极管电容(PF )
MV2115
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
30
MMBV2109LT1/MV2109
MMBV2105LT1/MV2105
MMBV2101LT1/MV2101
V
R
,反向电压(伏)
图1.二极管电容与反向电压
1.040
归一化二极管电容
I R ,反向电流( NA)
1.030
1.020
1.010
1.000
0.990
0.980
0.970
0.960
-75
-50
归一化到C
T
在T
A
= 25°C
V
R
= (曲线)
-25
0
+25
+50
+75
T
J
,结温( ° C)
+100
+125
V
R
= 4.0伏
V
R
= 30 V直流
V
R
= 2.0伏
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0
5.0
10
15
20
25
30
T
A
= 75°C
T
A
= 125°C
T
A
= 25°C
V
R
,反向电压(伏)
图2.归二极管电容与
结温
5000
3000
2000
Q,优异的图
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
1.0
2.0
10
3.0
5.0
7.0
V
R
,反向电压(伏)
T
A
= 25°C
F = 50MHz的
20
30
MMBV2101LT1/MV2101
MMBV2109LT1/MV2109
Q,优异的图
5000
3000
2000
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
10
图3.反向电流与反向偏置
电压
MMBV2101LT1/MV2101
MV2115
MV2115
T
A
= 25°C
V
R
= 4.0伏
20
MMBV2109LT1/MV2109
100
30
50
70
男,频率(MHz)
200
250
图4.图奖金与反向电压的
图5.图奖金与频率
MMBV2101 MMBV2109 -3/3
MV2101~MV2115