MUR8100E ， MUR880E
MUR8100E是首选设备
SWITCHMODEt
电源整流器
超快“E '系列高反
节能能力
该MUR8100和MUR880E二极管被设计用于在使用中
开关电源，逆变器和续流二极管。
特点
http://onsemi.com
20兆焦耳雪崩能量保证
出色的防瞬态电压开关
感性负载电路
超快75纳秒恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125英寸
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为1000 V
无铅包可用*
超高速整流器
8.0 A， 800 V - 1000 V
1
4
3
4
TO220AC
CASE 221B
1
3
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
标记图
AY WWG
U8xxxE
KA
A
Y
WW
G
U8xxxE
KA
=
=
=
=
=
大会地点
YEAR
工作周
无铅封装
器件代码
XXX = 100或80
=二极管极性
订购信息
设备
MUR8100E
MUR8100EG
MUR880E
MUR880EG
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年2月 - 第3版
出版订单号：
MUR8100E/D
MUR8100E ， MUR880E
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
C
= 150 ℃）器件总
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 150°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
单位
V
800
1000
8.0
16
100
-65到+175
A
A
A
°C
MUR880E
MUR8100E
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
特征
最大热阻，结到外壳
符号
R
QJC
价值
2.0
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
C
= 100°C)
（额定直流电压，T
C
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
REC
= 0.25 A)
控制雪崩能量
（见测试电路如图6 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
符号
v
F
1.5
1.8
i
R
500
25
t
rr
100
75
W
AVAL
20
mJ
ns
mA
价值
单位
V
http://onsemi.com
2
MUR8100E ， MUR880E
100
70
50
30
20
IF ，正向电流（安培）
10,000
1000
IR ，反向电流（
m
A)
100
10
1.0
0.1
100°C
*所示的曲线是典型的电压的最高电压装置
*
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
*
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
175°C
150°C
10
7.0
5.0
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
T
J
= 175°C
100°C
25°C
T
J
= 25°C
0
200
400
600
800
1000
0.01
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F
，瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
I F （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
12
10
dc
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
T
J
= 175°C
方波
图4.电流降额，环境
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MUR8100E ， MUR880E
+V
DD
I
L
40
mH
COIL
BV
DUT
V
D
MERCURY
开关
S
1
I
D
I
D
I
L
DUT
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
图6.测试电路
图7电流 - 电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图6是用于演示控制雪崩
全新的“ E' '系列超高速整流器的能力。一
水银开关，使用电子开关来代替，以
模拟嘈杂的环境中，当开关被作为
开。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
CH1
CH2
500V
50mV
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
在图8中的示波器照片，示出了
MUR8100E在该试验电路导通的峰值电流
1安培在1300伏的击穿电压，并用
等式（2）由MUR8100E吸收的能量是
大约20毫焦耳。
尽管不推荐，设计此
条件下，新的“ E' '系列提供了额外的保护
对可以制作的那些不可预见的瞬态病毒
不明原因的随机故障在不友好的环境。
A
20ms
953 V
垂直
通道2 ：
I
L
0.5 AMPS / DIV 。
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
通道1 ：
V
DUT
500伏/格。
时基：
20
MS / DIV 。
1
CH1
收购事项
SAVEREF源
CH2
217 ： 33 HRS
堆
REF
REF
图8.电流电压波形
http://onsemi.com
4
MUR8100E ， MUR880E
MUR8100E是首选设备
SWITCHMODE
电源整流器
超快“E '系列高反
节能能力
http://onsemi.com
该MUR8100和MUR880E二极管被设计用于在使用中
开关电源，逆变器和续流二极管。
特点
超高速整流器
8.0 A， 800 V - 1000 V
1
4
3
4
20兆焦耳雪崩能量保证
出色的防瞬态电压开关
感性负载电路
超快75纳秒恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125英寸
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为1000 V
无铅包装是否可用
1
3
TO220AC
CASE 221B
机械特性
标记图
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
标记： U880E ， U8100E
U8x0E
U8x0E =器件代码
x
= 8或10个
订购信息
设备
MUR8100E
MUR8100EG
MUR880E
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第2版
出版订单号：
MUR8100E/D
MUR8100E ， MUR880E
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
MUR880E
MUR8100E
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
C
= 150°C)
设备总
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波，
20千赫，T
C
= 150°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
价值
单位
V
800
1000
8.0
A
I
FM
16
A
I
FSM
T
J
, T
英镑
100
-65到+175
A
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
特征
最大热阻，结到外壳
符号
R
QJC
价值
2.0
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
C
= 100°C)
（额定直流电压，T
C
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
REC
= 0.25 A)
控制雪崩能量
（见测试电路如图6 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
符号
v
F
1.5
1.8
i
R
500
25
t
rr
100
75
W
AVAL
20
mJ
ns
mA
价值
单位
V
http://onsemi.com
2
MUR8100E ， MUR880E
100
70
50
30
20
IF ，正向电流（安培）
10,000
1000
IR ，反向电流（
m
A)
100
10
1.0
0.1
100°C
*所示的曲线是典型的电压的最高电压装置
*
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
*
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
175°C
150°C
10
7.0
5.0
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
T
J
= 175°C
100°C
25°C
T
J
= 25°C
0
200
400
600
800
1000
0.01
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F
，瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
I F （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
12
10
dc
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
T
J
= 175°C
方波
图4.电流降额，环境
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MUR8100E ， MUR880E
+V
DD
I
L
40
mH
COIL
BV
DUT
V
D
MERCURY
开关
S
1
I
D
I
D
I
L
DUT
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
图6.测试电路
图7电流 - 电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图6是用于演示控制雪崩
全新的“ E' '系列超高速整流器的能力。一
水银开关，使用电子开关来代替，以
模拟嘈杂的环境中，当开关被作为
开。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
CH1
CH2
500V
50mV
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
在图8中的示波器照片，示出了
MUR8100E在该试验电路导通的峰值电流
1安培在1300伏的击穿电压，并用
等式（2）由MUR8100E吸收的能量是
大约20毫焦耳。
尽管不推荐，设计此
条件下，新的“ E' '系列提供了额外的保护
对可以制作的那些不可预见的瞬态病毒
不明原因的随机故障在不友好的环境。
A
20ms
953 V
垂直
通道2 ：
I
L
0.5 AMPS / DIV 。
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
通道1 ：
V
DUT
500伏/格。
时基：
20
MS / DIV 。
1
CH1
收购事项
SAVEREF源
CH2
217 ： 33 HRS
堆
REF
REF
图8.电流电压波形
http://onsemi.com
4
MUR8100E ， MUR880E
MUR8100E是首选设备
SWITCHMODE
电源整流器
超快“E '系列高反
节能能力
http://onsemi.com
该MUR8100和MUR880E二极管被设计用于在使用中
开关电源，逆变器和续流二极管。
特点
超高速整流器
8.0 A， 800 V - 1000 V
1
4
3
4
20兆焦耳雪崩能量保证
出色的防瞬态电压开关
感性负载电路
超快75纳秒恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125英寸
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为1000 V
无铅包装是否可用
1
3
TO220AC
CASE 221B
机械特性
标记图
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
标记： U880E ， U8100E
U8x0E
U8x0E =器件代码
x
= 8或10个
订购信息
设备
MUR8100E
MUR8100EG
MUR880E
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
*有关我们的无铅策略的更多信息
和焊接的详细信息，请下载
安森美半导体焊接与安装
技术参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年3月 - 第2版
出版订单号：
MUR8100E/D
MUR8100E ， MUR880E
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
MUR880E
MUR8100E
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
C
= 150°C)
设备总
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波，
20千赫，T
C
= 150°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
价值
单位
V
800
1000
8.0
A
I
FM
16
A
I
FSM
T
J
, T
英镑
100
-65到+175
A
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
特征
最大热阻，结到外壳
符号
R
QJC
价值
2.0
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
C
= 100°C)
（额定直流电压，T
C
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
REC
= 0.25 A)
控制雪崩能量
（见测试电路如图6 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
符号
v
F
1.5
1.8
i
R
500
25
t
rr
100
75
W
AVAL
20
mJ
ns
mA
价值
单位
V
http://onsemi.com
2
MUR8100E ， MUR880E
100
70
50
30
20
IF ，正向电流（安培）
10,000
1000
IR ，反向电流（
m
A)
100
10
1.0
0.1
100°C
*所示的曲线是典型的电压的最高电压装置
*
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
*
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
175°C
150°C
10
7.0
5.0
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
T
J
= 175°C
100°C
25°C
T
J
= 25°C
0
200
400
600
800
1000
0.01
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F
，瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
I F （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
12
10
dc
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
T
J
= 175°C
方波
图4.电流降额，环境
图5.功耗
http://onsemi.com
3
MUR8100E ， MUR880E
+V
DD
I
L
40
mH
COIL
BV
DUT
V
D
MERCURY
开关
S
1
I
D
I
D
I
L
DUT
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
图6.测试电路
图7电流 - 电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图6是用于演示控制雪崩
全新的“ E' '系列超高速整流器的能力。一
水银开关，使用电子开关来代替，以
模拟嘈杂的环境中，当开关被作为
开。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
CH1
CH2
500V
50mV
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
在图8中的示波器照片，示出了
MUR8100E在该试验电路导通的峰值电流
1安培在1300伏的击穿电压，并用
等式（2）由MUR8100E吸收的能量是
大约20毫焦耳。
尽管不推荐，设计此
条件下，新的“ E' '系列提供了额外的保护
对可以制作的那些不可预见的瞬态病毒
不明原因的随机故障在不友好的环境。
A
20ms
953 V
垂直
通道2 ：
I
L
0.5 AMPS / DIV 。
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
通道1 ：
V
DUT
500伏/格。
时基：
20
MS / DIV 。
1
CH1
收购事项
SAVEREF源
CH2
217 ： 33 HRS
堆
REF
REF
图8.电流电压波形
http://onsemi.com
4
MUR8100E ， RURP8100
数据表
2000年1月
网络文件编号
2780.4
8A ， 1000V超快二极管
该MUR8100E和RUR8100是超快二极管
(t
rr
< 75ns ）具有软恢复特性。它们具有
低正向电压降和为平面的，氮化硅
钝化，离子注入，外延建设。
这些设备旨在用作能量转向/
钳位二极管和整流器器的各种开关电源
电源和其它电源开关应用。其低
存储电荷和超快恢复与软恢复
特点在很多最大限度地减少振荡和电噪声
功率开关电路，从而减少了功率损耗
开关晶体管。
以前发育类型TA09617 。
特点
超快软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <75ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1000V
额定雪崩能量
平面施工
应用
开关电源
电源开关电路
通用
订购信息
产品型号
MUR8100E
RURP8100
包
TO-220AC
TO-220AC
BRAND
MUR8100
RURP8100
包装
JEDEC TO- 220AC
阳极
阴极
阴极
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
K
A
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
MUR8100E
RURP8100
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
o
C
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F（ AV ）
(T
C
= 155
o
C)
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FRM
（方波为20kHz ）
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
（半波1期60赫兹）
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
雪崩能量（参见图10和图11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
英镑
, T
J
1000
1000
1000
8
16
100
75
20
-55至175
1
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
版权
Intersil公司2000
MUR8100E ， RURP8100
电气连接特定的阳离子
符号
V
F
I
F
= 8A
I
F
= 8A ，T
C
= 150
o
C
I
R
V
R
= 1000V
V
R
= 1000V ，T
C
= 150
o
C
t
rr
I
F
= 1A
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
t
a
t
b
Q
RR
C
J
R
θJC
释义
V
F
=瞬时正向电压（ PW = 300μS ， D = 2 ％） 。
I
R
=瞬时反向电流。
t
rr
=日易迪反向恢复时间
F
/ DT = 100A / μs的（见图9 ） ，求和的t
a
+ t
b
.
t
a
=时达到峰值反向电流的dI
F
/ DT = 100A / μs的（见图9 ） 。
t
b
=从高峰时间我
RM
到的余投影零交叉
RM
基于从峰值I的直线
RM
经过我25 ％
RM
（参见图9） 。
Q
RR
=反向恢复电荷。
C
J
=结电容。
R
θJC
=热阻结到外壳。
PW =脉冲宽度。
D =占空比。
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
V
R
= 10V ，我
F
= 0A
T
C
= 25
o
C，除非另有规定ED 。
测试条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
50
30
500
30
-
最大
1.8
1.5
100
500
85
100
-
-
-
-
2.0
单位
V
V
A
A
ns
ns
ns
ns
nC
pF
o
C / W
典型性能曲线
40
I
R
，反向电流（ μA ）
200
175
o
C
I
F
，正向电流（ A）
175
o
C
10
10
100
o
C
1
0.1
25
o
C
100
o
C
1
0.5
0
0.5
1
25
o
C
0.01
0.001
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
V
F
，正向电压（ V）
V
R
，反向电压（V）的
图1.正向电流与正向电压
图2.反向电流与反向电压
2
MUR8100E ， RURP8100
测试电路和波形
V
GE
振幅和
R
G
控制的dI
F
/ DT
t
1
t
2
控制I
F
L
DUT
R
G
V
GE
t
1
t
2
当前
SENSE
+
V
DD
0
I
F
dI
F
dt
ta
TRR
tb
IGBT
-
0.25 I
RM
I
RM
图8.吨
rr
测试电路
I = 1A
L = 40mH
< 0.1Ω
E
AVL
= 1 / 2LI
2
[V
R（ AVL ）
/(V
R（ AVL ）
- V
DD
)]
Q
1
= IGBT （ BV
CES
> DUT V
R（ AVL ）
)
L
当前
SENSE
Q
1
V
DD
DUT
R
+
V
DD
I V
图9吨
rr
波形和定义
V
AVL
I
L
I
L
-
t
0
t
1
t
2
t
图10.雪崩能量测试电路
图11.雪崩电流和电压
波形
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
www.intersil.com
4
MUR8100E ， RURP8100
数据表
2002年12月
8A ， 1000V超快二极管
该MUR8100E和RUR8100是超快二极管
(t
rr
< 75ns ）具有软恢复特性。它们具有
低正向电压降和为平面的，氮化硅
钝化，离子注入，外延建设。
这些设备旨在用作能量转向/
钳位二极管和整流器器的各种开关电源
电源和其它电源开关应用。其低
存储电荷和超快恢复与软恢复
特点在很多最大限度地减少振荡和电噪声
功率开关电路，从而减少了功率损耗
开关晶体管。
以前发育类型TA09617 。
特点
超快软恢复。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 <75ns
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.175
o
C
反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1000V
额定雪崩能量
平面施工
应用
开关电源
电源开关电路
通用
订购信息
产品型号
MUR8100E
RURP8100
包
TO-220AC
TO-220AC
BRAND
MU8100
RURP8100
包装
JEDEC TO- 220AC
阳极
阴极
阴极
（法兰）
注：订货时，使用整个零件编号。
符号
K
A
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
MUR8100E
RURP8100
单位
V
V
V
A
A
A
W
mJ
o
C
反向重复峰值电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RRM
工作峰值反向电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
RWM
DC阻断电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
R
平均整流器编着的正向电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
F（ AV ）
(T
C
= 155
o
C)
重复峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FRM
（方波为20kHz ）
非重复性峰值浪涌电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
FSM
（半波1期60赫兹）
最大功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .P
D
雪崩能量（参见图10和图11 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AVL
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
英镑
, T
J
1000
1000
1000
8
16
100
75
20
-55至175
2002仙童半导体公司
MUR8100E ， RURP8100牧师B1
MUR8100E ， RURP8100
电气规格
符号
V
F
I
F
= 8A
I
F
= 8A ，T
C
= 150
o
C
I
R
V
R
= 1000V
V
R
= 1000V ，T
C
= 150
o
C
t
rr
I
F
= 1A
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
t
a
t
b
Q
RR
C
J
R
θJC
释义
V
F
=瞬时正向电压（ PW = 300μS ， D = 2 ％） 。
I
R
=瞬时反向电流。
t
rr
=日易迪反向恢复时间
F
/ DT = 100A / μs的（见图9 ） ，求和的t
a
+ t
b
.
t
a
=时达到峰值反向电流的dI
F
/ DT = 100A / μs的（见图9 ） 。
t
b
=从高峰时间我
RM
到的余投影零交叉
RM
基于从峰值I的直线
RM
经过我25 ％
RM
（参见图9） 。
Q
RR
=反向恢复电荷。
C
J
=结电容。
R
θJC
=热阻结到外壳。
PW =脉冲宽度。
D =占空比。
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
I
F
= 8A ，二
F
/ DT = 200A / μs的
V
R
= 10V ，我
F
= 0A
T
C
= 25
o
C，除非另有规定ED 。
测试条件
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
50
30
500
30
-
最大
1.8
1.5
100
500
85
100
-
-
-
-
2.0
单位
V
V
A
A
ns
ns
ns
ns
nC
pF
o
C / W
典型性能曲线
40
I
R
，反向电流（ μA ）
200
175
o
C
I
F
，正向电流（ A）
175
o
C
10
10
100
o
C
1
0.1
25
o
C
100
o
C
1
0.5
0
0.5
1
25
o
C
0.01
0.001
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
V
F
，正向电压（ V）
V
R
，反向电压（V）的
图1.正向电流与正向电压
图2.反向电流与反向电压
2002仙童半导体公司
MUR8100E ， RURP8100牧师B1
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
CoolFET
FASTr
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK
GTO
2
TM
ê CMOS
HiSeC
EnSigna
TM
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
牧师I1
MUR8100E ， MUR880E
电源整流器
超快“E '系列高反
节能能力
http://kersemi.com
该MUR8100和MUR880E二极管被设计用于在使用中
开关电源，逆变器和续流二极管。
特点
超高速整流器
8.0 A， 800 V - 1000 V
1
4
3
4
20兆焦耳雪崩能量保证
出色的防瞬态电压开关
感性负载电路
超快75纳秒恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125英寸
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为1000 V
无铅包装是否可用
1
3
TO220AC
CASE 221B
机械特性
标记图
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
标记： U880E ， U8100E
U8x0E
U8x0E =器件代码
x
= 8或10个
订购信息
设备
MUR8100E
MUR8100EG
MUR880E
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
航运
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
1
MUR8100E/D
MUR8100E ， MUR880E
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
MUR880E
MUR8100E
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
C
= 150°C)
设备总
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波，
20千赫，T
C
= 150°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
价值
单位
V
800
1000
8.0
A
I
FM
16
A
I
FSM
T
J
, T
英镑
100
-65到+175
A
°C
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
特征
最大热阻，结到外壳
符号
R
QJC
价值
2.0
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
C
= 100°C)
（额定直流电压，T
C
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
REC
= 0.25 A)
控制雪崩能量
（见测试电路如图6 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度= 300
女士，
占空比
≤
2.0%.
符号
v
F
1.5
1.8
i
R
500
25
t
rr
100
75
W
AVAL
20
mJ
ns
mA
价值
单位
V
http://kersemi.com
2
MUR8100E ， MUR880E
100
70
50
30
20
IF ，正向电流（安培）
10,000
1000
IR ，反向电流（
m
A)
100
10
1.0
0.1
100°C
*所示的曲线是典型的电压的最高电压装置
*
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
*
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
175°C
150°C
10
7.0
5.0
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
T
J
= 175°C
100°C
25°C
T
J
= 25°C
0
200
400
600
800
1000
0.01
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F
，瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
I F （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
12
10
dc
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
T
J
= 175°C
方波
图4.电流降额，环境
图5.功耗
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3
MUR8100E ， MUR880E
+V
DD
I
L
40
mH
COIL
BV
DUT
V
D
MERCURY
开关
S
1
I
D
I
D
I
L
DUT
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
图6.测试电路
图7电流 - 电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图6是用于演示控制雪崩
全新的“ E' '系列超高速整流器的能力。一
水银开关，使用电子开关来代替，以
模拟嘈杂的环境中，当开关被作为
开。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
CH1
CH2
500V
50mV
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
在图8中的示波器照片，示出了
MUR8100E在该试验电路导通的峰值电流
1安培在1300伏的击穿电压，并用
等式（2）由MUR8100E吸收的能量是
大约20毫焦耳。
尽管不推荐，设计此
条件下，新的“ E' '系列提供了额外的保护
对可以制作的那些不可预见的瞬态病毒
不明原因的随机故障在不友好的环境。
A
20ms
953 V
垂直
通道2 ：
I
L
0.5 AMPS / DIV 。
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
通道1 ：
V
DUT
500伏/格。
时基：
20
MS / DIV 。
1
CH1
收购事项
SAVEREF源
CH2
217 ： 33 HRS
堆
REF
REF
图8.电流电压波形
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4
MUR8100E ， MUR880E
电源整流器
超快“E '系列高反
节能能力
该MUR8100和MUR880E二极管被设计用于在使用中
开关电源，逆变器和续流二极管。
特点
http://kersemi.com
20兆焦耳雪崩能量保证
出色的防瞬态电压开关
感性负载电路
超快75纳秒恢复时间
175 ° C工作结温
流行的TO- 220封装
环氧符合UL 94 V - 0 @ 0.125英寸
低正向电压
低漏电流
高温玻璃钝化结
反向电压为1000 V
无铅包可用*
超高速整流器
8.0 A， 800 V - 1000 V
1
4
3
4
TO220AC
CASE 221B
1
3
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量： 1.9克（约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
无铅焊接温度的目的：
260 ° C最大。为10秒
标记图
AY WWG
U8xxxE
KA
A
Y
WW
G
U8xxxE
KA
=
=
=
=
=
大会地点
YEAR
工作周
无铅封装
器件代码
XXX = 100或80
=二极管极性
1
MUR8100E/D
MUR8100E ， MUR880E
最大额定值
等级
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流
（额定V
R
, T
C
= 150 ℃）器件总
重复峰值正向电流
（额定V
R
，方波， 20千赫，T
C
= 150°C)
非重复性峰值浪涌电流
（浪涌应用在额定负载条件下半波，单相， 60赫兹）
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FM
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
单位
V
800
1000
8.0
16
100
-65到+175
A
A
A
°C
MUR880E
MUR8100E
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。施加到器件的最大额定值是个人的应力极限
值（不正常的操作条件），并同时无效。如果超出这些限制，设备功能操作不暗示，
可能会出现破坏和可靠性可能会受到影响。
热特性
特征
最大热阻，结到外壳
符号
R
QJC
价值
2.0
单位
° C / W
电气特性
特征
最大正向电压（注1 ）
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 150°C)
(i
F
= 8.0 A，T
C
= 25°C)
最大瞬时反向电流（注1 ）
（额定直流电压，T
C
= 100°C)
（额定直流电压，T
C
= 25°C)
最大反向恢复时间
(I
F
= 1.0 A， di / dt的= 50 A / MS）
(I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
REC
= 0.25 A)
控制雪崩能量
（见测试电路如图6 ）
符号
v
F
1.5
1.8
i
R
500
25
t
rr
100
75
W
AVAL
20
mJ
ns
mA
价值
单位
V
http://kersemi.com
2
MUR8100E ， MUR880E
100
70
50
30
20
IF ，正向电流（安培）
10,000
1000
IR ，反向电流（
m
A)
100
10
1.0
0.1
100°C
*所示的曲线是典型的电压的最高电压装置
*
分组。典型的反向电流低电压的选择可以是
*
从这些相同的曲线估计，如果V
R
被充分地低于额定V
R
.
175°C
150°C
10
7.0
5.0
3.0
2.0
IF （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
T
J
= 175°C
100°C
25°C
T
J
= 25°C
0
200
400
600
800
1000
0.01
V
R
，反向电压（伏）
图2.典型的反向电流*
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
140
150
160
170
180
T
C
，外壳温度（ ° C）
方波
dc
为V
R
应用的
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
v
F
，瞬时电压（伏）
图1.典型正向电压
图3.电流降额，案例
PF （ AV ） ，平均功耗（瓦）
I F （ AV ） ，平均正向电流（ AMPS ）
10
9.0
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
A
，环境温度（ ° C）
方波
dc
方波
dc
R
qJA
= 16 ° C / W
R
qJA
= 60 ° C / W
（无散热片）
14
12
10
dc
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
I
F（ AV ）
，平均正向电流（安培）
T
J
= 175°C
方波
图4.电流降额，环境
图5.功耗
http://kersemi.com
3
MUR8100E ， MUR880E
+V
DD
I
L
40
mH
COIL
BV
DUT
V
D
MERCURY
开关
S
1
I
D
I
D
I
L
DUT
V
DD
t
0
t
1
t
2
t
图6.测试电路
图7电流 - 电压波形
在所示的非夹紧电感式开关电路
图6是用于演示控制雪崩
全新的“ E' '系列超高速整流器的能力。一
水银开关，使用电子开关来代替，以
模拟嘈杂的环境中，当开关被作为
开。
当S
1
在t关闭
0
在电感器我当前
L
坡道
线性上升;并且能量被存储在线圈。在t
1
开关
被打开和被测二极管两端的电压开始
迅速崛起，由于di / dt的影响，当这种感应电压
到达二极管的击穿电压时，它被钳位在
BV
DUT
和二极管开始导通的满负荷电流
现在开始通过二极管线性地衰减，并且
变为零在t
2
.
通过当求解环路方程在点在时间S
1
打开;并计算其被转移到能量
二极管可以示出被传输的总能量是
等于存储在电感中的能量加上一定量
从V能量
DD
而二极管在电源
公式（ 1 ） ：
BV
2
DUT
W
[
1李LPK
AVAL
2
BV
–V
DUT DD
CH1
CH2
500V
50mV
故障（从T
1
给T
2
）减去因任何损失有限
组件电阻。假设成分的电阻
元件的总小公式（1）近似
能量转移到二极管。它可以从这个可见
方程，如果在V
DD
相比电压低
击穿电压的装置的，能量的量
贡献的击穿过程中供给小并且
总能量可以被认为是几乎相等的能量
的时间期间存储在线圈当S
1
是封闭的，
等式（2） 。
在图8中的示波器照片，示出了
MUR8100E在该试验电路导通的峰值电流
1安培在1300伏的击穿电压，并用
等式（2）由MUR8100E吸收的能量是
大约20毫焦耳。
尽管不推荐，设计此
条件下，新的“ E' '系列提供了额外的保护
对可以制作的那些不可预见的瞬态病毒
不明原因的随机故障在不友好的环境。
A
20ms
953 V
垂直
通道2 ：
I
L
0.5 AMPS / DIV 。
方程（2）：
2
W
[
1李LPK
AVAL
2
通道1 ：
V
DUT
500伏/格。
时基：
20
MS / DIV 。
1
CH1
收购事项
SAVEREF源
CH2
217 ： 33 HRS
堆
REF
REF
图8.电流电压波形
http://kersemi.com
4
QQ：2880707522 复制
