MUN5311DW1T1系列
首选设备
双偏置电阻
晶体管
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在MUN5311DW1T1系列，
两个互补的BRT装置被收容在SOT -363包
这是理想的低功率表面贴装应用中板
空间是十分宝贵的。
特点
(3)
R
1
Q
1
R
2
(4)
http://onsemi.com
(2)
R
2
Q
2
R
1
(5)
(6)
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
无铅包可用
6
1
SOT363
CASE 419B
风格1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
标记图
6
XX M
G
G
1
xx
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或位置可
这取决于制造地点而有所不同。
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
热阻
结到铅
结温和存储温度
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2）
1.5 （注1）
2.0 （注2）
670 （注1 ）
490 （注2）
最大
250 （注1 ）
385 （注2）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2）
493 （注1 ）
325 （注2）
188 （注1 ）
208 （注2）
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
qJA
订购和器件标识
信息
查看详细的订购，运输和特殊标记
本数据表第2页中的表的信息。
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
2005年12月，
启示录11
1
出版订单号：
MUN5311DW1T1/D
MUN5311DW1T1系列
订购，运输，设备标识和电阻值
设备
MUN5311DW1T1
MUN5311DW1T1G
MUN5312DW1T1
MUN5312DW1T1G
MUN5313DW1T1
MUN5313DW1T1G
MUN5314DW1T1
MUN5314DW1T1G
MUN5315DW1T1
MUN5315DW1T1G
MUN5316DW1T1
MUN5316DW1T1G
MUN5330DW1T1
MUN5330DW1T1G
MUN5331DW1T1
MUN5331DW1T1G
MUN5332DW1T1
MUN5332DW1T1G
MUN5333DW1T1
MUN5333DW1T1G
MUN5334DW1T1
MUN5334DW1T1G
MUN5335DW1T1
MUN5335DW1T1G
包
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
SOT363
（无铅）
记号
11
R1 （ K）
10
R2 （ K）
10
航运
12
22
22
13
47
47
14
10
47
15
10
∞
16
4.7
∞
3000 /磁带&卷轴
30
1.0
1.0
31
2.2
2.2
32
4.7
4.7
33
4.7
47
34
22
47
35
2.2
47
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MUN5311DW1T1系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（ PNP ）略） （续）
特征
基本特征
（注4 ）
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
MUN5311DW1T1
MUN5312DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5315DW1T1
MUN5316DW1T1
MUN5330DW1T1
MUN5331DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
MUN5335DW1T1
MUN5313DW1T1
MUN5311DW1T1
MUN5312DW1T1
MUN5313DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
MUN5335DW1T1
MUN5330DW1T1
MUN5315DW1T1
MUN5316DW1T1
MUN5331DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5311DW1T1
MUN5312DW1T1
MUN5313DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5315DW1T1
MUN5316DW1T1
MUN5330DW1T1
MUN5331DW1T1
MUN5332DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
MUN5335DW1T1
V
OL
VDC
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
4.9
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
VDC
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
k
W
符号
民
典型值
最大
单位
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
V
OH
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V ，R
L
= 1.0千瓦）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
R1
电阻率MUN5311DW1T1 / MUN5312DW1T1 / MUN5313DW1T1
MUN5314DW1T1
MUN5315DW1T1/MUN5316DW1T1
MUN5330DW1T1/MUN5331DW1T1/MUN5332DW1T1
MUN5333DW1T1
MUN5334DW1T1
MUN5335DW1T1
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
R1/R2
http://onsemi.com
4
MUN5311DW1T1G系列
双偏置电阻
晶体管
首选设备
NPN和PNP硅表面贴装
晶体管与单片偏置
电阻网络
偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管
单片偏置网络包括两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管
设计来取代单一的设备及其外部电阻偏置
网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。在
MUN5311DW1T1G系列，两种互补的BRT设备
安置在SOT -363封装，非常适用于低功耗表面
安装应用中的电路板空间非常珍贵。
特点
(3)
http://onsemi.com
(2)
R
1
Q
1
R
2
(4)
R
2
Q
2
R
1
(5)
(6)
(1)
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
6
1
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（PNP）中省略）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
1
符号
P
D
最大
187 （注1 ）
256 （注2）
1.5 （注1）
2.0 （注2）
670 （注1 ）
490 （注2）
最大
250 （注1 ）
385 （注2）
2.0 （注1 ）
3.0 （注2）
493 （注1 ）
325 （注2）
188 （注1 ）
208 （注2）
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
SOT363
CASE 419B
风格1
标记图
6
XX M
G
G
热特性
特征
（一路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
特征
（两个路口加热）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
热阻
结到铅
结温和存储温度
xx
=器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或位置可
这取决于制造地点而有所不同。
R
qJA
符号
P
D
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
订购和器件标识
信息
查看详细的订购，运输和特殊标记
本数据表第2页中的表的信息。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR-4 @最低垫
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年10月
启示录12
1
出版订单号：
MUN5311DW1T1/D
MUN5311DW1T1G系列
订购，运输，设备标识和电阻值
设备
MUN5311DW1T1G
MUN5312DW1T1G
MUN5313DW1T1G
MUN5314DW1T1G
MUN5315DW1T1G
MUN5316DW1T1G
MUN5330DW1T1G
MUN5331DW1T1G
MUN5332DW1T1G
MUN5333DW1T1G
MUN5334DW1T1G
MUN5335DW1T1G
包
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
SOT363
（无铅）
记号
11
12
13
14
15
16
30
31
32
33
34
35
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
3000 /磁带&卷轴
1.0
2.2
4.7
47
47
47
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MUN5311DW1T1G系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，常见的Q
1
和Q
2
,
减号Q
1
（ PNP ）略） （续）
特征
基本特征
（注4 ）
输入电阻
MUN5311DW1T1G
MUN5312DW1T1G
MUN5313DW1T1G
MUN5314DW1T1G
MUN5315DW1T1G
MUN5316DW1T1G
MUN5330DW1T1G
MUN5331DW1T1G
MUN5332DW1T1G
MUN5333DW1T1G
MUN5334DW1T1G
MUN5335DW1T1G
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
k
W
符号
民
典型值
最大
单位
电阻率MUN5311DW1T1G / MUN5312DW1T1G / MUN5313DW1T1G
MUN5314DW1T1G
MUN5315DW1T1G/MUN5316DW1T1G
MUN5330DW1T1G/MUN5331DW1T1G/MUN5332DW1T1G
MUN5333DW1T1G
MUN5334DW1T1G
MUN5335DW1T1G
4.脉冲测试：脉冲宽度< 300
女士，
占空比< 2.0 ％
R1/R2
所有MUN5311DW1T1G系列设备
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
R
qJA
= 490 ° C / W
0
50
100
T
A
，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
