MA9264
MA9264
辐射硬8192x8位的静态RAM
取代1999年6月版， DS3692-6.0
2000 DS3692-7.0一月
在MA9264 64K静态RAM配置为8192x8位，
采用CMOS - SOS高性能，辐射硬制造，
1.5μm的技术。
本设计采用了6晶体管单元，并具有完全静态操作
没有时钟或定时选通需要。地址输入缓冲器被取消
当片选在HIGH状态。
参见应用笔记“的丹尼克斯半导体概述
辐射硬1.5μm的CMOS / SOS SRAM范围“ 。
操作模式
读
写
输出禁用
待机
CS
L
L
L
H
X
CE
H
H
H
X
L
OE WE
L
X
H
X
X
H
L
H
X
X
I / O
D OUT
d。在
高Z
高Z
X
ISB2
ISB1
动力
特点
s
1.5μm的CMOS - SOS技术
s
闭锁免费
s
快速存取时间为70ns的典型
s
总剂量10
6
Rad公司（SI ）
s
瞬时翻转>10
11
Rad公司（SI ） /秒
s
SEU 4.3 ×10
-11
错误/ bitday
s
单5V电源
s
三态输出
s
低待机电流100μA典型
s
-55 ° C至+ 125°C操作
s
所有输入和输出完全TTL或CMOS
兼容
s
全静态操作
图1 ：真值表
A12
A9
A8
A4
A3
A6
A5
A7
A
D
D
R
E
S
S
B
U
F
F
E
R
R
O
W
D
E
C
O
D
E
R
CS
CE
WE
OE
A10
A0
A1
A2
A11
图2 ：框图
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MA9264
信号定义
A0-12
地址输入引脚，在选择一个特定的8位字
存储器阵列。
D0-7
双向数据引脚，在读作为数据输出
操作并在写操作期间的数据输入。
CS
芯片选择，其中，在低电平，激活的读或写
操作。当在一个较高的水平上默认的SRAM到
prechargencondition并保持在一个高的数据输出驱动器
阻抗状态。
WE
写使能在低的水平上时允许写入和保存
数据输出驱动器置于高阻抗状态。当以高
电平，它使得读。
OE
输出使能在较高的水平，当保存的数据输出
司机在高阻抗状态。当处于低电平，数据
输出驱动器的状态被定义
CS ， WE
和CE认证。如果这个信号是
没有用它必须连接到VSS。
CE
芯片使能在较高的水平，当允许正常操作。
当处于低电平则默认对SRAM到一个预充电
条件，禁止输入电路的所有输入引脚，并持有
的数据输出驱动器置于高阻抗状态。如果该信号
不使用它必须连接到VDD。
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MA9264
特性和额定值
符号
V
CC
V
I
T
A
T
S
参数
电源电压
输入电压
工作温度
储存温度
分钟。
-0.5
-0.3
-55
-65
马克斯。
7.0
V
DD
+0.3
125
150
单位
V
V
°C
°C
强调以上这些，可能会造成永久性的
损坏设备。这是一个值仅为
该器件在这些condltions functlonal操作
或者在任何其它条件超出上述指示的
本规范的操作部分，是不是暗示
暴露在绝对maxlmum极限条件下，
扩展perlods可能会影响器件的可靠性。
图3 ：绝对最大额定值
注意到对于表4和表5：
特性适用于预辐射在T
A
= -55 ° C至+ 125°C与V
DD
= 5V
±10%
并张贴10万拉德（ Si）的总剂量
辐射在T
A
= 25 ℃， V
DD
= 5V
±10%
（特性在更高的辐射水平应要求提供） 。 A组
编组1 ，2，3 。
符号
V
DD
V
lH
V
lL
V
OH1
V
OH2
V
OL
I
LI
I
LO
I
SB1
参数
电源电压
逻辑“1”输入电压
逻辑“0”输入电压
逻辑“1”输出电压
逻辑“1”输出电压
逻辑“0”输出电压
输入漏电流
输出漏电流
选择的静态电流（ CMOS ）
条件
-
-
-
I
OH1
= -2mA
I
OH2
= -1mA
I
OL
= 4毫安
V
IN
= V
DD
或V
SS
所有的输入
芯片禁用，V
OUT
= V
DD
或V
SS
所有输入= V
DD
-0.2V
除了
CS
= V
SS
+0.2V
f
RC
= 1MHz时，所有输入
开关，V
IH
= V
DD
-0.2V
CS
= V
DD
-0.2V
CE = V
SS
+0.2V
（ TTL）的
（ CMOS）的
（ TTL）的
（ CMOS）的
（可选）
分钟。
4.5
V
DD
/2
0.8 V
DD
V
SS
V
SS
2.4
V
DD
-0.5
-
-
-
-
典型值。
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
马克斯。
5.5
V
DD
V
DD
0.8
0.2 V
DD
-
-
0.4
±10
±10
10
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
I
DD
动态工作电流
（ CMOS）的
待机电源电流
-
6
18
mA
I
SB2
-
0.1
10
mA
图4 ：电气特性
符号
V
DR
I
DDR
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
条件
CS
= V
博士
CE = V
SS
CS
= V
DR
, V
DR
= 2.0V
CE = V
SS
（可选）
分钟。
2.0
-
典型值。
-
0.05
马克斯。
-
4
单位
V
mA
图5 ：数据保持特性
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MA9264
AC特性
试验对表5和表6的条件：
1.输入脉冲= V
SS
到3.0V （TTL）和V
SS
到4.0V （CMOS） 。
2.时间测量的参考电平= 1.5V 。
3.输入上升和下降时间
≤5ns.
4.输出负载1TTL门和CL = 60pF 。
5.过渡处测量
±500mV
从稳定状态。
6.这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
注意到对于表6和表7：
特性适用于预辐射在T
A
= -55 ° C至+ 125°C与V
DD
= 5V ±10％ ，并张贴10万拉德（ Si）的总剂量辐射
在T
A
= 25 ℃， V
DD
= 5V
±10%.
A组子群9 ， 10 ， 11 。
符号
T
AVAVR
T
AVQV
T
EHQV
T
SLQV
T
EHQX
(5,6)
T
SLQX
(5,6)
T
ELQZ
(5,6)
T
SHQZ
(5,6)
T
AXQX
T
GLQV
T
GLQX
(5,6)
T
GHQZ
(5,6)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片使能存取时间
芯片选择到输出中低Z
芯片使能在低Z输出
芯片取消选择到输出中高Z
芯片禁用高Z输出
从地址变更输出保持
输出启用访问时间
输出使能到输出中低Z
输出使能到输出中高Z
MAX9264X70
最小最大
70
-
-
-
15
15
0
0
30
-
15
0
-
65
70
70
-
-
20
20
-
25
-
20
MAX9264X95
最小最大
95
-
-
-
15
15
0
0
40
-
15
0
-
90
95
95
-
-
20
20
-
30
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图6 ：读周期AC电气特性
符号
T
AVAVW
T
EHWH
T
SLWH
T
AVWH
T
AVWL
T
WLWH
T
WHAV
T
WLQZ
(5,6)
T
DVWH
T
WHDX
T
WHQX
(5,6)
参数
写周期Tlme
芯片的选择要写入的结束
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
Wnte到输出中高Z
数据写入时间重叠
从写入数据保持
输出端主动写
MAX9264X70
最小最大
55
50
50
50
0
40
0
0
25
0
0
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
20
MAX9264X95
最小最大
60
60
60
55
0
45
0
0
30
0
0
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图7 ：写周期AC电气特性
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MA9264
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
l
= 0V
V
I / O
= 0V
分钟。
-
-
典型值。
3
5
马克斯。
5
7
单位
pF
pF
注：t
A
= 25℃和f = 1MHz的。通过鉴定或分析得到的数据;不是常规测量。
图8 ：电容
符号
F
T
参数
基本功能
条件
V
DD
= 4.5V - 5.5V ，频率为1MHz =
V
IL
= V
SS
, V
IH
= V
DD
, V
OL
≤
1.5V, V
OH
≥
1.5V
TEMP = -55 ° C至+ 125°C ， GPS模式集
A组亚组7 ， 8A，8B
图9 ：功能
小组
1
2
3
7
8A
8B
9
10
11
德网络nition
在+ 25°C表4和表5规定的静态特性
在+ 125°C的表4和表5规定的静态特性
在-55°C表4和表5规定的静态特性
在+ 25°C表9中指定的功能特性
在+ 125°C表9中指定的功能特性
在-55°C表9规定的功能特性
开关在表6和表7规定的特性，在+ 25°C
开关在表6和表7规定的特性在+ 125°C
开关在表6和表7规定的特性，在-55°C
图10 ：子群的定义
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