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MTP2P50E

功率MOSFET

2安培， 500伏

P沟道TO- 220

这种高电压MOSFET采用了先进的终端方案

以提供增强的电压阻断能力，而不会降低

性能随着时间的推移。此外，这种功率MOSFET的设计

在雪崩和减刑模式下承受较高的能量。

能量高效的设计也提供了漏极 - 源极二极管用

快速恢复时间。专为高电压，高速开关

应用在电源，转换器和PWM电机控制，

这些器件特别适用以及为桥电路中

二极管的速度和换向安全工作区域是关键，

提供对突发电压瞬变额外的安全裕度。

特点

http://onsemi.com

2安培， 500伏特

DS （ ON）

= 6

P- CHANNEL

强大的高压端子

较高的雪崩能量

源极到漏极二极管的恢复时间等同于离散

快恢复二极管

二极管电桥电路的特点是使用

DSS

和V

DS （ ON）

指定高温

这是一个Pb - Free设备*

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

= 1.0毫瓦）

栅源电压

连续

不重复（T

≤

10毫秒）

漏电流

连续

漏电流

连续@ 100℃

漏电流

单脉冲（T

≤

女士）

总功耗

减免上述25℃

工作和存储温度范围

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能源

起始物为

= 25°C

= 100伏，V

= 10 VDC ，

= 4.0 APK ， L = 10 mH的，R

= 25

热阻

结到外壳

结到环境

最大无铅焊接温度的

目的， 1/8“案件从10秒

符号

DSS

DGR

GSM

价值

500

2.0

1.6

6.0

0.6

150

单位

VDC

VPK

ADC

APK

W / ℃，

°C

标记图

和引脚分配

漏

TO220AB

CASE 221A

风格5

MTP

2P50EG

AYWW

, T

英镑

门

漏

来源

MTP2P50E =器件代码

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

QJC

qJA

1.67

62.5

260

° C / W

订购信息

°C

设备

MTP2P50EG

包

TO220AB

（无铅）

航运

50单位/铁

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年5月

启示录6

出版订单号：

MTP2P50E/D

MTP2P50E

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏源击穿电压

= 0伏，我

= 250

MADC ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

= 500伏，V

= 0伏）

= 500伏，V

= 0伏，T

= 125°C)

门体漏电流（Ⅴ

20伏直流电，V

= 0)

基本特征

（注1 ）

栅极阈值电压

= V

, I

= 250

MADC ）

温度系数（负）

静态漏源导通电阻（V

= 10 VDC ，我

= 1.0 ADC）

漏源电压（V

= 10 VDC ）

= 2.0 ADC）

= 1.0 ADC ，T

= 125°C)

正向跨导（V

= 15 VDC ，我

= 1.0 ADC）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性

（注2 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷（参见图8）

= 400 VDC ，我

= 2.0 ADC ，

= 10 VDC ）

= 250 VDC ，我

= 2.0 ADC ，

= 10伏，R

= 9.1

D（上）

D（关闭）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压（注1 ）

= 2.0 ADC ，V

= 0伏）

= 2.0 ADC ，V

= 0伏，T

= 125°C)

2.3

1.85

223

161

1.92

3.5

VDC

3.7

7.9

9.9

= 25伏，V

= 0伏，

F = 1.0兆赫）

国际空间站

OSS

RSS

845

100

1183

140

GS （ TH）

2.0

0.5

3.0

4.0

4.5

9.5

4.0

6.0

14.4

12.6

VDC

毫伏/°C的

VDC

（ BR ） DSS

500

564

100

VDC

毫伏/°C的

MADC

符号

民

典型值

最大

单位

DSS

GSS

NADC

DS （ ON）

姆欧

反向恢复时间

（参见图14）

= 2.0 ADC ，V

= 0伏，

/ DT = 100 A / MS）

反向恢复电荷存储

内部封装电感

内部排水电感

（从接触被测螺纹的标签，模具中心）

（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）

内部源极电感

（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

女士，

占空比

≤

2%.

2.开关特性是独立的工作结温。

3.5

4.5

7.5

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MTP2P50E

典型电气特性

3.5

I D ，漏极电流（ AMPS ）

2.5

1.5

0.5

2.5

3.5

4.5

5.5

6.5

，漏极至源极电压（伏）

，栅极至源极电压（伏）

= 25°C

= 10 V

I D ，漏极电流（ AMPS ）

3.5

2.5

1.5

0.5

= - 55°C

25°C

≥

10 V

100°C

图1.区域特征

R DS （ ON），漏极至源极电阻（欧姆）

图2.传输特性

= 10 V

= 100°C

5.75

5.5

5.25

4.75

15 V

4.5

4.25

0.5

1.5

2.5

，漏极电流（ AMPS ）

3.5

= 10 V

= 25°C

25°C

- 55°C

0.5

2.5

1.5

，漏极电流（ AMPS ）

3.5

图3.导通电阻与漏电流

和温度

图4.导通电阻与漏电流

与栅极电压

RDS （ ON），漏极 - 源极电阻

（归一化）

= 10 V

= 1 A

1.5

1000

= 0 V

= 125°C

我DSS ，漏电（ NA）

100

100°C

25°C

0.5

- 50

- 25

100

125

150

100

150

200

250

300

350

400

450

500

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（伏）

图5.导通电阻变化与

温度

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图6.漏极 - 源极漏

电流与电压

MTP2P50E

功率MOSFET开关

交换行为是最容易建模和预测

由认识到功率MOSFET是充电

控制。各种开关间隔的长度（申）

由如何快速FET输入电容可确定

从发电机通过电流进行充电。

已发布的电容数据是难以用于

计算的上升和下降，因为漏 - 栅电容

变化很大随施加电压。因此，门

电荷数据被使用。在大多数情况下，令人满意的估计

平均输入电流（I

G（ AV ）

）可以由一个作

驱动电路，使得基本的分析

T = Q / I

G（ AV ）

在上升和下降时间间隔切换时，

阻性负载，V

实际上保持恒定的水平

被誉为高原电压，V

SGP

。因此，上升和下降

时间可近似由下：

= Q

个R

/(V

普遍优惠制

)

= Q

个R

普遍优惠制

哪里

=栅极驱动电压，其中从0变到V

=栅极驱动电阻

和Q

和V

普遍优惠制

从栅极电荷曲线读取。

在导通和关断延迟时间，栅极电流是

不是恒定的。最简单的计算使用合适的

在一个标准方程用于从所述电容值曲线

电压的变化的RC网络。该方程为：

D（上）

= R

国际空间站

在[V

/(V

普遍优惠制

)]

D（关闭）

= R

国际空间站

在（V

普遍优惠制

)

1800

1600

1400

C，电容（pF ）

1200

1000

800

600

400

200

RSS

OSS

100

，漏极至源极电压（伏）

1000

RSS

国际空间站

= 0 V

国际空间站

C，电容（pF ）

100

OSS

= 0 V

= 25°C

的电容（C

国际空间站

）从电容曲线上读出在

对应于关断状态的条件时的电压

计算牛逼

D（上）

和读出在对应于一个电压

导通状态时，计算吨

D（关闭）

在高开关速度，寄生电路元件

复杂的分析。 MOSFET的电感

源引，内包装，在电路布线

这是通用的漏极和栅极的电流路径，

产生一个电压，在这减小了栅极驱动器的源

电流。该电压由Ldi上/ dt的测定，但由于di / dt的

是漏极电流的函数，在数学溶液

复杂的。 MOSFET的输出电容也

复杂的数学。最后， MOSFET的

有限的内部栅极电阻，有效地增加了

所述驱动源的电阻，但内阻

难以测量，因此，没有被指定。

电阻开关时间变化与门

电阻（图9）显示了如何典型开关

性能由寄生电路元件的影响。如果

寄生效应不存在时，曲线的斜率将

保持统一的值，而不管开关速度。

用于获得所述数据的电路被构造以最小化

在漏极和栅极电路环路共同电感和

被认为是很容易达到的板装

组件。大多数电力电子负载是感性的;该

图中的数据是使用电阻性负载，其

近似的最佳冷落感性负载。动力

的MOSFET可以安全运行成一个感性负载;

然而，不压井作业减少了开关损耗。

1000

= 0 V

= 25°C

国际空间站

RSS

栅极 - 源极或漏极至源极电压（伏）

图7a 。电容变化

图7b 。高压电容

变异

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MTP2P50E

VGS ，栅极至源极电压（伏）

= 2 A

= 25°C

150

100

200

250

300

1000

= 250 V

= 2 A

= 10 V

= 25°C

T， TIME （ NS ）

VDS ，漏极至源极电压（伏）

100

D（关闭）

D（上）

100

，总费用（ NC）

，栅极电阻（欧姆）

图8.栅极至源极和漏极 - 源

电压与总充电

图9.电阻开关时间

变化与栅极电阻

漏极至源极二极管特性

= 0 V

= 25°C

I S ，源电流（安培）

1.6

1.2

0.8

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

1.8

2.2

2.4

，源极到漏极电压（伏）

图10.二极管的正向电压与电流

安全工作区

正向偏置安全工作区曲线定义

同时最大漏极 - 源极电压和漏极

目前，一个晶体管可以处理安全时，它是向前

失之偏颇。曲线是基于最大峰值结

温度和壳体温度（T

） 25℃ 。高峰

重复脉冲功率极限通过使用所确定的

在与程序结合使用的热响应数据

在AN569 ， “瞬态热阻，一般讨论

数据和它的使用。 “

关断状态，导通状态可能会之间的切换

遍历所有负载线提供的既不是额定峰值电流

），也不额定电压（V

DSS

）的上限和

过渡时间（t

）不超过10

女士。

此外，该总

功率平均一个完整的开关周期不得

超过（T

J（下最大）

)/(R

QJC

指定的E- FET功率MOSFET可以安全使用

与松开感性负载的开关电路。为

可靠的操作，所存储的能量从电路电感

耗散在晶体管，而在雪崩必须小于

超过额定界限和调节操作条件

从这些规定不同。虽然行业惯例是

以速度在能源方面，雪崩能量能力不

一个常数。能量等级降低非线性地与

峰值电流的增加，雪崩和峰值结

温度。

虽然许多E-场效应管能承受的压力

漏极至源极雪崩的电流达额定脉冲

电流（I

），能量等级在额定指定

连续电流（I

），按照产业

自定义。能量等级必须降低温度

如显示在所附的图中（图12）。最大

能在低于额定连续电流我

可以安全地

假定为等于指定的值。

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