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文档编号
TT4-EA-14177
修订版。
2
产品标准
MOS FET
MTM231232LBF
MTM231232LBF
硅P沟道MOSFET
切换
MTM76123在SMini3型封装
特点
低漏源导通状态电阻： RDS （ ON） （典型值） 。为40μm
（ VGS = -4 V）
低驱动电压： 2.5 V驱动器
无卤/符合RoHS标准
（欧盟RoHS / UL - 94 V - 0 / MSL ： Level 1标准）
单位：mm
2.0
0.3
3
0.15
1
2
1.25
2.1
0.9
(0.65)
(0.65)
1.3
标记符号：
BL
包装
浮雕式（热压密封） ： 3 000个/卷（标准）
1.门
2.源
3.排水
绝对最大额定值大= 25
C
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流（脉冲）
*1
总功耗
*2
通道温度
存储温度范围
符号
VDS
VGS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
等级
-20
10
-3
-16
500
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
mW
C
C
松下
JEITA
CODE
SMini3-G1-B
SC-70
SOT-323
内部连接
3
Ｄ
注* 1脉冲宽度
10
s,
占空比
1 %
* 2在40 mm测量在陶瓷基板
38 mm
0.1 mm.
绝对最大额定值PD无散热片应进行150毫瓦。
Ｇ
1
Ｓ
2
引脚名称
1.门
2.源
3.排水
第1页6
成立时间： 2012-04-21
修订
: 2013-03-07
文档编号
TT4-EA-14177
修订版。
2
产品标准
MOS FET
MTM231232LBF
电气特性TA = 25
C
3
C
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
*1
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
*2
上升时间
*2
打开-O FF延迟时间
*2
下降时间
*2
*1
符号
VDSS
IDSS
IGSS
VTH
条件
民
-20
典型值
最大
-1
10
-1.3
55
70
单位
V
A
A
V
m
S
ID = -1毫安， VGS = 0 V
VDS = -20 V， VGS = 0 V
VGS =
8
V， VDS = 0V
ID = -1毫安， VDS = -10 V
RDS(on)1
ID = -1时， VGS = -4 V
RDS(on)2
ID = -0.5 A， VGS = -2.5 V
| YFS |
ID = -1时， VDS = -10 V ， F = 1千赫
西塞
VDS = -10 V ， VGS = 0 V
科斯
F = 1 MHz的
CRSS
TD （上） VDD = -10 V ， VGS = 0 -4 V
ID = -1
tr
TD （关闭） VDD = -10 V ， VGS = -4至0 V
ID = -1
tf
-0.4
-0.85
40
45
1 000
120
120
25
25
120
70
3.5
pF
ns
ns
注：测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
* 1脉冲测试：脉冲宽度
300
s,
占空比
2 %
* 2测量电路开机延迟时间/上升时间/关断延迟时间/下降时间
第2 6
成立时间： 2012-04-21
修订
: 2013-03-07
文档编号
TT4-EA-14177
修订版。
2
产品标准
MOS FET
MTM231232LBF
* 2测量电路开机延迟时间/上升时间/关断延迟时间/下降时间
VDD = -10 V
ID = -1
RL = 10
0V
-4 V
PW = 10
s
特区
1 %
10 %
90 %
90 %
10 %
第3页6
成立时间： 2012-04-21
修订
: 2013-03-07
文档编号
TT4-EA-14177
修订版。
2
产品标准
MOS FET
MTM231232LBF
技术资料（参考）
ID - VDS
-3
-2.5
-4 V
-0.01
-0.008
-0.006
-0.004
-0.002
0
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-0.6
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
25
C
-30
C
ID - VGS
漏极电流ID （ A）
-2
-2 V
-1.5
-1.5 V
-1
-0.5
0
VGS = -1 V
漏源电压VDS （ V）
漏极电流ID （ A）
-2.5 V
TA = 85
C
栅极 - 源极电压VGS （V）的
VDS - VGS
漏源导通电阻
RDS （ ON） （ MΩ ）
-0.5
100
RDS （ ON） - ID
漏源电压VDS （ V）
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
-0.5 A
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
VGS = -2.5 V
-4 V
-1 A
ID = -2 A
10
-0.1
-1
栅极 - 源极电压VGS （V）的
漏极电流ID （ A）
电容 - VDS
10000
-10
动态输入/输出特性
栅极 - 源极电压VGS （V）的
电容C （PF ）
-8
VDD = -10 V
-6
-4
-2
0
1000
西塞
100
科斯
CRSS
10
-0.1
-1
-10
-100
0
5
10
15
20
25
30
漏源电压VDS （ V）
总栅极电荷Qg （ NC）
第4 6
成立时间： 2012-04-21
修订
: 2013-03-07
文档编号
TT4-EA-14177
修订版。
2
产品标准
MOS FET
MTM231232LBF
技术资料（参考）
VTH - TA
栅源阈值电压Vth （ V）
RDS （ ON） - TA
漏源导通电阻
RDS （ ON） （ MΩ ）
70
60
50
40
-4 V
30
20
10
0
VGS = -2.5 V
-1
-0.5
0
-50
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
温度Ta （ ° C）
温度Ta （ ° C）
钯 - TA
0.8
总功耗PD （W ）
0.6
测量在陶瓷基板
为英寸（40毫米
38 mm
0.1 mm)
0.4
非散热器
0.2
0
0
50
100
150
温度Ta （ ° C）
RTH - TSW
1000
-100
安全工作区
IDP = -16
热阻Rth （ ° C / W）
漏极电流ID （ A）
-10
-1
-0.1
-0.01
-0.001
-0.01
1毫秒
10毫秒
在这一领域
通过RDS限制（上）
TA = 25
C,
玻璃环氧树脂板（ 25.4
25.4
0.8 mm)
涂有铜箔，它具有
300毫米以上
2
.
100毫秒
1s
DC
100
10
0.1
1
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
脉冲宽度TSW （S ）
漏源电压VDS （ V）
分页： 5 6
成立时间： 2012-04-21
修订
: 2013-03-07
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