CATV 18分贝功率倍增放大MC- 7862
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形
45.08 MAX
38.1±0.25
2.41最大
27.5 MAX
4.25
+ 0.25
- 0.35
特点
砷化镓有源器件
低失真
低噪声系数
（6.3 dB典型值在860兆赫）
低直流电流消耗
（ 355毫安典型值24 V）
高可靠性
（FIT = 125 ，在100 ℃下的散热片的温度，
可用的报告）
兼容业界包装
14.85 MAX
4.0±0.25
8.1最大
1
In
25.4±0.25
2.54±0.25
0.25±0.05
21.5 MAX
6-32 UNC 2B
V
DD
5
9
OUT
2 3 7 8
GND
在MC- 7862是GaAs混合集成电路设计
被用作输出设备在CATV应用高达860
MH
z
。本机具有18.5 dB的最小增益为860兆赫，
而且，因为它是在一个GaAs器件，它具有较低的失真和
更低的噪声系数。这些功率倍增提供这些per-
formance优点，用10 ％至20％以下的直流输入电源。
可靠性是有保证的NEC严格的质量和工艺
控制程序。设备组装和测试使用
全自动化的设备，以最大化在一致性
部分部件的性能。
12.9最大
4.19±0.13
0.45±0.05
1.86±0.25
描述
1 2 3
5
7 8 9
10.75
±0.25
2.54
±0.38
电气特性
(T
例
= 30
°C,
V
DD
= 24 V ，Z
S
= Z
I
= 75
)
符号
BW
G
A
S
Gf
S
11
收益
增益斜率
增益平坦度
输入回波损耗
产品型号
参数
频带
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
mA
dB
dB
18.0
17.0
16.0
14.5
18.0
17.0
16.0
14.5
30
-60
-65
-68
-68
-63
-66
355
5.6
6.3
-54
-59
-56
380
6.5
7.0
50兆赫
860兆赫
民
50
18.5
0
MC-7862
典型值
最大
860
20.0
2.0
1.0
F = 860 MHz的
50至860兆赫
50至860兆赫;峰谷
50至160兆赫
160至320兆赫
320至640兆赫
640至860兆赫
50至160兆赫
160至320兆赫
320至640兆赫
640至860兆赫
50至860兆赫
V
OUT
= 50 dBmV的750兆赫， 10分贝倾斜
V
OUT
= 44 dBmV的/ CH
V
OUT
= 50 dBmV的750兆赫， 10分贝倾斜
V
OUT
= 44 dBmV的/ CH
V
OUT
= 50 dBmV的750兆赫， 10分贝倾斜
V
OUT
= 44 dBmV的/ CH
条件
S
22
输出回波损耗
S
12
CTB
CSO
XMOD
I
DD
NF
反向隔离
复合三次差拍， 110通道
复合二阶， 110频道
交叉调制， 110频道
直流电流
噪声系数
美国加州东部实验室
MC-7862
绝对最大额定值
1
(T
例
= 30
°C)
符号
V
DD
V
I
T
OP
T
英镑
参数
电源电压
输入电压（单频）
工作温度
储存温度
单位
V
dBmV的
°C
°C
评级
30
65
-30到+100
-40至+100
注意：
1.操作超过这些参数可能导致任一
永久性损坏。
典型的散射参数
j50
j25
j100
90
120
60
150
j10
30
0
S
22
0
180
S
12
0
-j10
S
11
-150
-j25
-j50
-j100
-30
S
21
-120
-90
-60
S
21
MAG ：
3.0 / DIV 。 ， 15.00 FS
S
12
MAG ：
0.01 / DIV 。 ， 0.05 FS
V
DD
= 24 V
频率
（兆赫）
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
MAG
0.073
0.069
0.067
0.065
0.061
0.053
0.047
0.049
0.043
0.039
0.034
0.043
0.076
0.117
0.160
0.210
0.255
0.306
0.331
0.375
0.409
S
11
昂
-153.70
-155.90
-151.70
-149.40
-144.00
-131.50
-123.70
-109.40
-105.30
-96.47
-63.90
-22.72
-18.18
-21.01
-32.39
-43.85
-55.77
-71.98
-86.29
-98.07
-109.30
MAG
8.370
8.513
8.554
8.623
8.683
8.724
8.751
8.786
8.813
8.858
8.878
8.890
8.890
8.831
8.851
8.943
9.152
9.405
9.635
9.729
10.240
S
21
昂
-4.504
-31.110
-53.700
-74.760
-95.530
-116.300
-137.100
-157.100
-178.000
161.200
140.400
119.400
98.320
77.360
56.790
36.270
15.220
-6.480
-29.450
-51.340
-74.130
MAG
0.016
0.016
0.016
0.016
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.014
0.014
0.012
0.010
0.009
S
12
昂
-0.754
-23.830
-43.060
-61.530
-79.870
-98.270
-117.200
-135.800
-155.000
-173.800
168.200
151.000
135.000
119.500
104.700
91.170
77.890
63.070
47.360
36.940
25.510
MAG
0.102
0.086
0.073
0.065
0.064
0.063
0.065
0.066
0.055
0.041
0.026
0.038
0.079
0.121
0.166
0.209
0.244
0.273
0.291
0.319
0.321
S
22
昂
-176.30
-176.30
-167.60
-158.90
-146.40
-133.10
-130.30
-123.10
-124.80
-120.20
-87.00
-30.17
-29.17
-33.13
-46.74
-59.90
-75.92
-92.13
-104.70
-118.80
-132.60
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大） 网络连接： http://WWW.CEL.COM
4/98
数据可能会有更改，恕不另行通知
CATV 18分贝功率倍增放大MC- 7862
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形
45.08 MAX
38.1±0.25
2.41最大
27.5 MAX
4.25
+ 0.25
- 0.35
特点
砷化镓有源器件
低失真
低噪声系数
（6.3 dB典型值在860兆赫）
低直流电流消耗
（ 355毫安典型值24 V）
高可靠性
（FIT = 125 ，在100 ℃下的散热片的温度，
可用的报告）
兼容业界包装
14.85 MAX
4.0±0.25
8.1最大
1
In
25.4±0.25
2.54±0.25
0.25±0.05
21.5 MAX
6-32 UNC 2B
V
DD
5
9
OUT
2 3 7 8
GND
在MC- 7862是GaAs混合集成电路设计
被用作输出设备在CATV应用高达860
MH
z
。本机具有18.5 dB的最小增益为860兆赫，
而且，因为它是在一个GaAs器件，它具有较低的失真和
更低的噪声系数。这些功率倍增提供这些per-
formance优点，用10 ％至20％以下的直流输入电源。
可靠性是有保证的NEC严格的质量和工艺
控制程序。设备组装和测试使用
全自动化的设备，以最大化在一致性
部分部件的性能。
12.9最大
4.19±0.13
0.45±0.05
1.86±0.25
描述
1 2 3
5
7 8 9
10.75
±0.25
2.54
±0.38
电气特性
(T
例
= 30
°C,
V
DD
= 24 V ，Z
S
= Z
I
= 75
)
符号
BW
G
A
S
Gf
S
11
收益
增益斜率
增益平坦度
输入回波损耗
产品型号
参数
频带
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
mA
dB
dB
18.0
17.0
16.0
14.5
18.0
17.0
16.0
14.5
30
-60
-65
-68
-68
-63
-66
355
5.6
6.3
-54
-59
-56
380
6.5
7.0
50兆赫
860兆赫
民
50
18.5
0
MC-7862
典型值
最大
860
20.0
2.0
1.0
F = 860 MHz的
50至860兆赫
50至860兆赫;峰谷
50至160兆赫
160至320兆赫
320至640兆赫
640至860兆赫
50至160兆赫
160至320兆赫
320至640兆赫
640至860兆赫
50至860兆赫
V
OUT
= 50 dBmV的750兆赫， 10分贝倾斜
V
OUT
= 44 dBmV的/ CH
V
OUT
= 50 dBmV的750兆赫， 10分贝倾斜
V
OUT
= 44 dBmV的/ CH
V
OUT
= 50 dBmV的750兆赫， 10分贝倾斜
V
OUT
= 44 dBmV的/ CH
条件
S
22
输出回波损耗
S
12
CTB
CSO
XMOD
I
DD
NF
反向隔离
复合三次差拍， 110通道
复合二阶， 110频道
交叉调制， 110频道
直流电流
噪声系数
美国加州东部实验室
MC-7862
绝对最大额定值
1
(T
例
= 30
°C)
符号
V
DD
V
I
T
OP
T
英镑
参数
电源电压
输入电压（单频）
工作温度
储存温度
单位
V
dBmV的
°C
°C
评级
30
65
-30到+100
-40至+100
注意：
1.操作超过这些参数可能导致任一
永久性损坏。
典型的散射参数
j50
j25
j100
90
120
60
150
j10
30
0
S
22
0
180
S
12
0
-j10
S
11
-150
-j25
-j50
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-30
S
21
-120
-90
-60
S
21
MAG ：
3.0 / DIV 。 ， 15.00 FS
S
12
MAG ：
0.01 / DIV 。 ， 0.05 FS
V
DD
= 24 V
频率
（兆赫）
50
100
150
200
250
300
350
400
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500
550
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
MAG
0.073
0.069
0.067
0.065
0.061
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0.043
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0.034
0.043
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0.117
0.160
0.210
0.255
0.306
0.331
0.375
0.409
S
11
昂
-153.70
-155.90
-151.70
-149.40
-144.00
-131.50
-123.70
-109.40
-105.30
-96.47
-63.90
-22.72
-18.18
-21.01
-32.39
-43.85
-55.77
-71.98
-86.29
-98.07
-109.30
MAG
8.370
8.513
8.554
8.623
8.683
8.724
8.751
8.786
8.813
8.858
8.878
8.890
8.890
8.831
8.851
8.943
9.152
9.405
9.635
9.729
10.240
S
21
昂
-4.504
-31.110
-53.700
-74.760
-95.530
-116.300
-137.100
-157.100
-178.000
161.200
140.400
119.400
98.320
77.360
56.790
36.270
15.220
-6.480
-29.450
-51.340
-74.130
MAG
0.016
0.016
0.016
0.016
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.015
0.014
0.014
0.012
0.010
0.009
S
12
昂
-0.754
-23.830
-43.060
-61.530
-79.870
-98.270
-117.200
-135.800
-155.000
-173.800
168.200
151.000
135.000
119.500
104.700
91.170
77.890
63.070
47.360
36.940
25.510
MAG
0.102
0.086
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0.063
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0.291
0.319
0.321
S
22
昂
-176.30
-176.30
-167.60
-158.90
-146.40
-133.10
-130.30
-123.10
-124.80
-120.20
-87.00
-30.17
-29.17
-33.13
-46.74
-59.90
-75.92
-92.13
-104.70
-118.80
-132.60
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大） 网络连接： http://WWW.CEL.COM
4/98
数据可能会有更改，恕不另行通知
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