CYStech电子股份有限公司
规格。编号： C384Q8
发行日期： 2007年6月13日
修订日期：
页页次： 1/8
N和P沟道增强型功率MOSFET
MTC4503Q8
描述
该MTC4503Q8包括在一个单一的SOP - 8中的N沟道和P沟道增强型MOSFET的
封装，提供设计师与快速切换，坚固耐用的设备设计的最佳结合点，低
导通电阻和成本效益。
该SOP -8封装普遍首选的所有商业工业表面贴装应用
和适合于低电压应用，如DC / DC转换器。
特点
简单的驱动要求
低导通电阻
开关速度快
无铅封装
应用
电源管理在笔记本电脑，便携式设备和电池供电的系统。
等效电路
MTC4503Q8
概要
SOP-8
G：门
S：源
D：漏
MTC4503Q8
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源击穿电压
栅源电压
连续漏电流@T
A
=25
°C
连续漏电流@T
A
=70
°C
漏电流脉冲
（注2 ）
总功耗
（注1 ）
线性降额因子
工作结温
储存温度
热阻，结到环境
（注1 ）
符号
BV
DSS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
Pd
Tj
TSTG
RTH ， JA
规格。编号： C384Q8
发行日期： 2007年6月13日
修订日期：
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（注1 ）
（注1 ）
范围
N沟道P沟道
30
-30
±20
±20
6.9
-6.3
5.5
-5.0
30
-30
2
0.016
-55~+150
-55~+150
62.5
单位
V
V
A
A
A
W
W /
°C
°C
°C
° C / W
注： 1.Surface安装在1平方英寸的FR - 4电路板的铜垫， 135
° C / W
安装在最小的铜垫时，
2.
脉冲宽度有限的最高结温
N沟道电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
符号
STATIC
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ ΔTJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
DSS
*R
DS （ ON）
分钟。
30
-
1.0
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.005
-
-
-
-
-
-
5.7
610
160
120
8
7
19
6
9
2
6
-
18
11
马克斯。
-
-
3.0
±100
1
25
28
42
-
970
-
-
-
-
-
-
15
-
-
1.2
-
-
单位
V
V /°C的
V
nA
μA
μA
mΩ
S
测试条件
V
GS
=0, I
D
=250μA
参考至25℃ ，我
D
=1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250μA
V
GS
=±20V, V
DS
=0
V
DS
=30V, V
GS
=0
V
DS
=24V, V
GS
= 0 ， TJ = 70℃
I
D
= 6A ，V
GS
=10V
I
D
= 4A ，V
GS
=4.5V
V
DS
= 10V ，我
D
=6A
*G
FS
动态
西塞
-
科斯
-
CRSS
-
*t
D（上）
-
*t
r
-
*t
D（关闭）
-
*t
f
-
* QG
-
* QGS
-
*的Qgd
-
源极 - 漏极二极管
*V
SD
-
* TRR
-
*的Qrr
-
MTC4503Q8
pF
V
DS
=25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 15V ，我
D
=1A,
V
GS
= 10V ，R
G
=3.3
Ω
, R
D
=15
Ω
ns
nC
V
DS
= 24V ，我
D
= 6A ，V
GS
=4.5V
V
ns
nC
V
GS
= 0V时，我
S
=6A
I
S
= 6A ，V
GS
= 0V的di / dt = 100A / μs的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 ％
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
符号
STATIC
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ ΔTJ
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
DSS
*R
DS （ ON）
分钟。
-30
-
-1.0
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-0.004
-
-
-
-
-
-
5.8
960
300
220
12
8
42
34
15
3
9
-
24
18
马克斯。
-
-
-3.0
±100
-1
-25
36
55
-
1540
-
-
-
-
-
-
24
-
-
-1.2
-
-
单位
V
V /°C的
V
nA
μA
μA
mΩ
S
规格。编号： C384Q8
发行日期： 2007年6月13日
修订日期：
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P沟道电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
测试条件
V
GS
=0, I
D
=-250μA
参考至25℃ ，我
D
=-1mA
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250μA
V
GS
=±20V, V
DS
=0
V
DS
=-30V, V
GS
=0
V
DS
=-24V, V
GS
= 0 ， TJ = 70℃
I
D
= -6A ，V
GS
=-10V
I
D
= -4A ，V
GS
=-4.5V
V
DS
= -10V ，我
D
=-6A
*G
FS
动态
西塞
-
科斯
-
CRSS
-
*t
D（上）
-
*t
r
-
*t
D（关闭）
-
*t
f
-
* QG
-
* QGS
-
*的Qgd
-
源极 - 漏极二极管
*V
SD
-
* TRR
-
*的Qrr
-
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
V
DS
=-25V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= -15V ，我
D
=-1A,
V
GS
= -10V ，R
G
=3.3
Ω
, R
D
=15
Ω
V
DS
= -24V ，我
D
= -6A ，V
GS
=-4.5V
V
GS
= 0V时，我
S
=-6A
I
S
= -6A ，V
GS
= 0V的di / dt = 100A / μs的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤300μs,
值班Cycle≤2 ％
MTC4503Q8
CYStek产品规格
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