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摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过MTB50N06EL / D

超前信息

TMOS E- FET 。

功率场效应晶体管

D2PAK对于表面贴装

逻辑电平TMOS （ L2TMOS

)

N沟道增强型硅栅

这些TMOS功率FET被设计用于高速，低损失

功率开关应用，如开关稳压器，变流

器，电磁阀和继电器驱动器。这种逻辑电平系列部分

指定给具有5伏的逻辑电平的栅 - 源电压下工作

和4伏。

硅栅的快速开关速度

低RDS（ON ） - 0.028

最大

更换外部齐纳瞬态抑制器 - 可吸收高

能在雪崩模式

特别设计的引线框的最大功率耗散

可在24毫米13英寸/ 800单位带&卷轴，加入T4

后缀型号

MTB50N06EL

摩托罗拉的首选设备

TMOS功率场效应晶体管

逻辑电平

50安培

60伏特

RDS （ ON）= 0.028 OHM

CASE 418B -02 ，风格2

D2PAK

最大额定值

（ TC = 25° C除非另有说明）

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）

栅源电压 - 连续

漏电流 - 连续

漏电流

- 连续@ 100℃

漏电流

- 单脉冲（ TP

≤

符号

VDSS

VDGR

VGS

IDM

价值

±15

142

125

1.0

2.5

- 55 150

400

1.0

62.5

260

单位

VDC

ADC

APK

瓦

W / ℃，

瓦

°C

° C / W

总功耗

减免上述25℃

总功率耗散@ TA = 25 ° C，安装有最低建议焊盘尺寸时，

工作和存储温度范围

单脉冲漏极 - 源极雪崩能量 - 开始TJ = 25°C

（ VDD = 25伏直流电， VGS = 5.0 V峰值， IL = 50 APK， L = 0.32 mH的， RG = 25

)

热阻 - 结到管壳

热阻

- 结到环境

热阻

- 结到环境，安装有建议的最小焊盘尺寸时，

最大的铅焊接温度的目的， 1/8“案件从10秒

TJ ， TSTG

EAS

θJC

θJA

°C

本文件包含的新产品信息。在此说明和信息，如有变更，恕不另行通知。

E- FET ，设计师和L2TMOS是摩托罗拉公司的商标TMOS是Motorola，Inc.的注册商标。

热复合是贝格斯公司的商标。

首选

设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。

REV 1

摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据

摩托罗拉公司1994年

MTB50N06EL

电气特性

（ TJ = 25° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏源击穿电压

（VGS = 0V ，ID = 250

μAdc ）

温度系数（正）

零栅极电压漏极电流

（ VDS = 60 V ， VGS = 0 ）

（ VDS = 60 V ， VGS = 0 ， TJ = 125°C ）

门体漏电流（ VGS =

±15

VDC ， VDS = 0 ）

基本特征（ 1 ）

栅极阈值电压

（VDS = VGS ，ID = 250

μAdc ）

温度系数（负）

静态漏源导通电阻

（ VGS = 5.0伏， ID = 25 ADC ）

（ VGS = 4.0伏， ID = 25 ADC ）

漏源电压（ VGS = 5.0 V直流）

（ID = 50 ADC）

（ID = 25的ADC ， TJ = 125°C ）

正向跨导（ VDS = 15 VDC ， ID = 25 ADC ）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性（ 2 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

栅极电荷

（ VDS = 48伏直流电， ID = 50的ADC ，

VGS = 5.0 V直流）

（ VDD = 25伏直流电， ID = 50的ADC ，

VGS = 5.0伏，

RG = 9.1

)

TD （上）

TD （关闭）

源极 - 漏极二极管的特性

在正向电压

（IS = 50 ADC ，V GS = 0）

（ IS = 50 ADC ， VGS = 0 ， TJ =

°C)

（IS = 50 ADC ，V GS = 0时，

DIS / DT = 100 A / μs）内

VSD

—

TRR

—

1.52

1.1

200

2.5

—

VDC

—

365

150

730

110

300

—

（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0 ，

F = 1.0兆赫）

西塞

科斯

CRSS

—

3100

1065

260

4340

1491

520

VGS （ TH）

1.0

—

RDS （ ON）

—

4.78

—

2.0

—

0.028

0.039

VDC

毫伏/°C的

欧姆

V（ BR ） DSS

—

IDSS

—

IGSS

—

100

NADC

—

VDC

毫伏/°C的

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

VDS （上）

—

政府飞行服务队

—

1.68

1.40

—

VDC

姆欧

反向恢复时间

内部封装电感

内部排水电感

（测量从接头到模具的中心）

—

3.5

7.5

—

内部源极电感

（测量从源铅0.1 “从包装到源焊盘）

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2%.

（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。

摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据

MTB50N06EL

包装尺寸

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

英寸

民

最大

0.340 0.380

0.380 0.405

0.160 0.190

0.020 0.035

0.045 0.055

0.100 BSC

0.080 0.110

0.018 0.025

0.090 0.110

0.575 0.625

0.045 0.055

MILLIMETERS

民

最大

8.64

9.65

9.65 10.29

4.06

4.83

0.51

0.89

1.14

1.40

2.54 BSC

2.03

2.79

0.46

0.64

2.29

2.79

14.60 15.88

1.14

1.40

方式2 ：

PIN 1 。

门

漏

来源

漏

暗淡

-T-

座位

飞机

3 PL

0.13 (0.005)

CASE 418B -02

问题B

摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据

MTB50N06EL

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其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，

并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的

应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并

不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件

旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障

摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类

意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害

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与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。

摩托罗拉

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美国：摩托罗拉文学分布; P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036 。

欧洲：摩托罗拉有限公司;欧洲文献中心; 88制革驱动， Blakelands ，米尔顿凯恩斯， MK14 5BP ，英国。

日本：日本摩托罗拉有限公司; 4-32-1 ，西五反田，品川区，东京141 ，日本。

亚太地区：摩托罗拉半导体H.K.有限公司;硅港中心2号大景街，大埔工业村，大埔，新界，香港。

摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据

MTB50N06EL/D

*MTB50N06EL/D*