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MT3S35T
东芝晶体管NPN硅外延平面型
MT3S35T
VCO OSCILLETOR阶段
超高频低噪声放大器的应用
单位：mm
特点
·
·
低噪声系数： NF = 1.4分贝（ @ F = 2GHz的）
高增益： | S21e | = 13.0分贝（ @ F = 2GHz的）
2
记号
3
Q2
1
2
TESM
JEDEC
―
―
2-1B1A
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
8
4.5
1.5
24
12
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEITA
东芝
重量： 0.0022克（典型值）。
1
2002-08-19
MT3S35T
微波特性
（ TA = 25°C ）
特征
跃迁频率
插入增益
符号
fT
|S21e|
2
(1)
|S21e|
2
(2)
NF(1)
NF(2)
测试条件
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安， F = 2GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安中，f = 1GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安， F = 2GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 2毫安中，f = 1GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 2毫安， F = 2GHz的
民
16
16
11
-
-
典型值。
20
18
13
1.1
1.4
最大
-
-
-
-
1.9
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
噪声系数
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
反向三极管电容
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
C
ob
C
re
测试条件
V
CB
= 8V ，我
E
=0
V
EB
= 1V ，我
C
=0
V
CE
= 3V ，我
C
=10mA
V
CB
= 1V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 1V ，我
E
= 0 ， F = 1MHz的（注1 ）
民
-
-
70
-
-
典型值。
-
-
-
0.46
0.21
最大
1
1
140
0.75
0.4
单位
A
A
-
pF
pF
注1 ：
Cre重组酶是由3端子法与电容电桥测量。
注意事项：
该器件对静电放电敏感。
请赚到足够的工具和设备接地，当你处理。
2
2002-08-19
MT3S35T
| S21e | -I
插入增益| S21e | （分贝）
VCE=3V
2V
15
1V
2
20
插入增益| S21e | （分贝）
15
| S21e | -I
VCE=3V
2V
2
2
2
10
1V
10
5
5
f=1GHz
Ta=25℃
1
10
集电极电流Ic （ mA）的
100
0
0
1
f=2GHz
Ta=25℃
10
集电极电流I C （毫安）
100
25
跃迁频率英尺（千兆赫）
FT- I C
反向传输电容Cre重组酶（PF ）
输出电容科夫（PF ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
CRE ，COB -V CB
IE=0
f=1MHz
Ta=25℃
COB
20
15
VCE=3V
2V
1V
10
5
0
1
f=2GHz
Ta=25℃
10
集电极电流I C （毫安）
100
CRE
1
10
集电极 - 基极电压VCB （ V）
4.0
3.5
噪声系数NF （ dB）的
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1
NF GA- I C
16
14
12
10
8
6
f=2GHz
VCE=3V
Ta=25℃
4
2
相关的增益嘎（分贝）
集电极耗散功率PC （MW ）
120
100
80
60
40
20
0
0
PC -Ta
Ga
NF
10
集电极电流I C （毫安）
0
100
25
50
75 100 125 150
环境温度Ta（ ℃ ）
175
3
2002-08-19
MT3S35T
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。无许可下的任何牌照以暗示或其他方式
知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
4
2002-08-19
MT3S35T
东芝晶体管NPN硅外延平面型
MT3S35T
VCO OSCILLETOR阶段
超高频低噪声放大器的应用
单位：mm
特点
·
·
低噪声系数： NF = 1.4分贝（ @ F = 2GHz的）
高增益： | S21e | = 13.0分贝（ @ F = 2GHz的）
2
记号
3
Q2
1
2
TESM
JEDEC
―
―
2-1B1A
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
8
4.5
1.5
24
12
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEITA
东芝
重量： 0.0022克（典型值）。
1
2002-08-19
MT3S35T
微波特性
（ TA = 25°C ）
特征
跃迁频率
插入增益
符号
fT
|S21e|
2
(1)
|S21e|
2
(2)
NF(1)
NF(2)
测试条件
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安， F = 2GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安中，f = 1GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安， F = 2GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 2毫安中，f = 1GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 2毫安， F = 2GHz的
民
16
16
11
-
-
典型值。
20
18
13
1.1
1.4
最大
-
-
-
-
1.9
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
噪声系数
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
反向三极管电容
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
C
ob
C
re
测试条件
V
CB
= 8V ，我
E
=0
V
EB
= 1V ，我
C
=0
V
CE
= 3V ，我
C
=10mA
V
CB
= 1V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 1V ，我
E
= 0 ， F = 1MHz的（注1 ）
民
-
-
70
-
-
典型值。
-
-
-
0.46
0.21
最大
1
1
140
0.75
0.4
单位
A
A
-
pF
pF
注1 ：
Cre重组酶是由3端子法与电容电桥测量。
注意事项：
该器件对静电放电敏感。
请赚到足够的工具和设备接地，当你处理。
2
2002-08-19
MT3S35T
| S21e | -I
插入增益| S21e | （分贝）
VCE=3V
2V
15
1V
2
20
插入增益| S21e | （分贝）
15
| S21e | -I
VCE=3V
2V
2
2
2
10
1V
10
5
5
f=1GHz
Ta=25℃
1
10
集电极电流Ic （ mA）的
100
0
0
1
f=2GHz
Ta=25℃
10
集电极电流I C （毫安）
100
25
跃迁频率英尺（千兆赫）
FT- I C
反向传输电容Cre重组酶（PF ）
输出电容科夫（PF ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
CRE ，COB -V CB
IE=0
f=1MHz
Ta=25℃
COB
20
15
VCE=3V
2V
1V
10
5
0
1
f=2GHz
Ta=25℃
10
集电极电流I C （毫安）
100
CRE
1
10
集电极 - 基极电压VCB （ V）
4.0
3.5
噪声系数NF （ dB）的
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1
NF GA- I C
16
14
12
10
8
6
f=2GHz
VCE=3V
Ta=25℃
4
2
相关的增益嘎（分贝）
集电极耗散功率PC （MW ）
120
100
80
60
40
20
0
0
PC -Ta
Ga
NF
10
集电极电流I C （毫安）
0
100
25
50
75 100 125 150
环境温度Ta（ ℃ ）
175
3
2002-08-19
MT3S35T
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。无许可下的任何牌照以暗示或其他方式
知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
4
2002-08-19
MT3S35T
东芝晶体管NPN硅外延平面型
MT3S35T
VCO OSCILLETOR阶段
超高频低噪声放大器的应用
单位：mm
特点
·
·
低噪声系数： NF = 1.4分贝（ @ F = 2GHz的）
高增益： | S21e | = 13.0分贝（ @ F = 2GHz的）
2
记号
3
Q2
1
2
TESM
JEDEC
―
―
2-1B1A
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
8
4.5
1.5
24
12
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEITA
东芝
重量： 0.0022克（典型值）。
1
2002-08-19
MT3S35T
微波特性
（ TA = 25°C ）
特征
跃迁频率
插入增益
符号
fT
|S21e|
2
(1)
|S21e|
2
(2)
NF(1)
NF(2)
测试条件
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安， F = 2GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安中，f = 1GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安， F = 2GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 2毫安中，f = 1GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 2毫安， F = 2GHz的
民
16
16
11
-
-
典型值。
20
18
13
1.1
1.4
最大
-
-
-
-
1.9
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
噪声系数
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
反向三极管电容
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
C
ob
C
re
测试条件
V
CB
= 8V ，我
E
=0
V
EB
= 1V ，我
C
=0
V
CE
= 3V ，我
C
=10mA
V
CB
= 1V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 1V ，我
E
= 0 ， F = 1MHz的（注1 ）
民
-
-
70
-
-
典型值。
-
-
-
0.46
0.21
最大
1
1
140
0.75
0.4
单位
A
A
-
pF
pF
注1 ：
Cre重组酶是由3端子法与电容电桥测量。
注意事项：
该器件对静电放电敏感。
请赚到足够的工具和设备接地，当你处理。
2
2002-08-19
MT3S35T
| S21e | -I
插入增益| S21e | （分贝）
VCE=3V
2V
15
1V
2
20
插入增益| S21e | （分贝）
15
| S21e | -I
VCE=3V
2V
2
2
2
10
1V
10
5
5
f=1GHz
Ta=25℃
1
10
集电极电流Ic （ mA）的
100
0
0
1
f=2GHz
Ta=25℃
10
集电极电流I C （毫安）
100
25
跃迁频率英尺（千兆赫）
FT- I C
反向传输电容Cre重组酶（PF ）
输出电容科夫（PF ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
CRE ，COB -V CB
IE=0
f=1MHz
Ta=25℃
COB
20
15
VCE=3V
2V
1V
10
5
0
1
f=2GHz
Ta=25℃
10
集电极电流I C （毫安）
100
CRE
1
10
集电极 - 基极电压VCB （ V）
4.0
3.5
噪声系数NF （ dB）的
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1
NF GA- I C
16
14
12
10
8
6
f=2GHz
VCE=3V
Ta=25℃
4
2
相关的增益嘎（分贝）
集电极耗散功率PC （MW ）
120
100
80
60
40
20
0
0
PC -Ta
Ga
NF
10
集电极电流I C （毫安）
0
100
25
50
75 100 125 150
环境温度Ta（ ℃ ）
175
3
2002-08-19
MT3S35T
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。无许可下的任何牌照以暗示或其他方式
知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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2002-08-19
CMOS ST- BUS系列
MT8986
多速率数字开关
特点
256× 256或512 ×256的开关配置
8位或4位的信道切换能力
保证了宽带帧的完整性
频道
ST -BUS / GCI的自动identi网络阳离子
接口
接收数据速率高达串行数据流
8.192 Mb / s的
从2.048 Mb / s的速率转换至4.096或
8.192 Mb / s的，反之亦然
可编程的框架上输入偏移
每通道三态控制
每通道消息模式
兼容英特尔/摩托罗拉控制接口
处理器
低功耗
问题3
1995年5月
订购信息
MT8986AC
40引脚陶瓷DIP
MT8986AE
40引脚塑料DIP
MT8986AP
44引脚PLCC
MT8986AL
44引脚QFP
-40 ° C至+ 85°C
描述
在多速率数字交换机（ MRDX ）是
敏迪的MT8980D数字的升级版
开关（DX） 。它的引脚与MT8980D兼容
并保留它的所有功能。该装置是
旨在提供同步连接（非
粘连）长达256为64kb / s信道或阻断
对于高达512为64kb / s信道的连接。该
连接到MT8986串行输入和输出可以
每帧具有32至128为64kb / s信道的数据
率从2048至8192 kb / s的。该
MT8986提供了每通道之间的选择
可变区和恒定的吞吐量延迟允许
语音和分组数据信道被切换
而不会破坏数据序列的完整性。
此外， MT8986 ，可用于切换
32 KB的ADPCM应用/ s的信道。该
MT8986是理想的中等规模的混合声音，
数据转换/处理应用。
V
DD
V
SS
ODE
应用
中等大小的数字交换矩阵
Hyperchannel开关（例如， ISDN H0 ）
MVIP
接口功能
串行总线控制和监视
集中式语音处理系统
语音/数据多路复用器
32 kbit / s的信道切换
*
*
*
*
*
*
STi0
STi1
STi2
STi3
STi4
STi5
STi6
STi7
STi8
STi9
STi10
STi11
STi12
STi13
STi14
STi15
串行
to
并行
变流器
定时
单位
多个数据缓冲区
内存
产量
MUX
并行
to
串行
变流器
连接
内存
STo0
STo1
STo2
STo3
STo4
STo5
STo6
STo7
STo8 *
STo9 *
内部寄存器
微处理器
接口
只有* 44针
CLK FR AS / IM
ALE *
DS CS
RD
R / W A0 / DTA AD7 /
AD0
WR A7
集体安全条约组织
图1 - 功能框图
2-63
MT8986
AS / ALE
STi2
STi1
STi0
DTA
集体安全条约组织
ODE
STo0
STo1
STo2
STi4/STo8
AS / ALE
STi2
STi1
STi0
DTA
集体安全条约组织
ODE
STo0
STo1
STo2
STi4/STo8
STo3
STo4
STo5
STo6/A6
STo7/A7
VSS
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
STi3
STi4
STi5
STi6/A6
STi7/A7
VDD
FR
CLK
STi8/A0
STi9/A1
STi10/A2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
STo3
STo4
STo5
STo6/A6
STo7/A7
VSS
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
DTA
STi0
STi1
STi2
STi3
STi4
STi5
STi6/A6
STi7/A7
VDD
FR
CLK
A0
A1
A2
A3
A4
A5
DS / RD
R / W \\ WR
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40引脚DIP
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
集体安全条约组织
ODE
STo0
STo1
STo2
STo3
STo4
STo5
STo6/A6
STo7/A7
VSS
AD0
AD1
AD2
AD3
AD4
AD5
AD6
AD7
CS
STi3
STi4
STi5
STi6/A6
STi7/A7
VDD
FR
CLK
STi8/A0
STi9/A1
STi10/A2
IM
STi11/A3
STi12/A4
STi3/A5
DS / RD
R / W / WR
CS
AD7
AD6
AD5
STi15/STo9
44引脚PLCC
图2 - 引脚连接
引脚说明
针＃
40
DIP
44
PLCC
44
QFP
名字
DTA
描述
数据确认
（开漏输出） 。此低电平有效输出指示
该数据总线传输完成。一个10kΩ的上拉电阻，需要在此
输出。
ST-总线输入0到5
（输入） 。串行数据输入流。这些数据流可以
有2.048 ， 4.096和8.192兆位/秒， 32 ， 64或128通道的数据传输速率，
分别。
1
2
40
2-7
2-5
7-9
41-43
1-3
STi0-5
2-64
IM
STi11/A3
STi12/A4
STi3/A5
DS / RD
R / W / WR
CS
AD7
AD6
AD5
STi15/STo9
44引脚QFP
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
6 5 4 3 2 1 44 43 42 41 40
7
39
8
38
9
37
10
36
11
35
12
34
13
33
14
32
15
31
16
30
29
17
18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28
MT8986
引脚说明（续）
针＃
40
DIP
44
PLCC
44
QFP
名字
描述
8
10
4
STi6 / A6 ST -BUS输入6 / Addr.6输入
（输入） 。该引脚的功能由以下因素决定
开关配置中启用。如果非复用的CPU总线被用于沿
以8.192或4.096 Mb / s的更高的输入速度，该引脚提供A6地址
输入功能。为2.048和4.096 Mb / s的（ 8×4 ）应用程序，或当多路
CPU总线（仅44引脚）时，该引脚呈STi6功能。请参阅控制
寄存器位描述和表1，表2 ， 6 & 7的更多细节。
请注意，对于其中两个A6和STi6输入所需的应用程序
同时（例如，在4.096 Mb / s的速率或8× 4开关配置
之间2.048Mb / s转换到4.196或8.192 Mb / s的），奥迪A6的输入应该是
连接到引脚STo6 / A6 。
STi7 / A7 ST -BUS输入7 / Addr.7输入
（输入） ：此引脚的功能由以下因素决定
开关配置中启用。如果非复用的CPU总线被用于沿
以8.192 Mb / s的更高的输入速度，该引脚提供了A7地址输入
功能。
为2.048和4.096 Mb / s的（ 8×4 ）应用程序或复用时， CPU总线
（仅44引脚）被选中时，该引脚呈STi7功能。请参阅控制寄存器
位描述和表1，表2 ， 6 & 7的更多细节。
请注意，对于其中两个A7和STi7输入所需的应用程序
同时（例如， 2.048至8.192 Mb / s的速率转换）的A7输入应
连接到引脚STo7 / A7 。
V
DD
FR
+5伏电源。
帧脉冲
（输入） 。这个输入接受并自动识别框架
同步信号，根据ST- BUS和GCI接口格式
特定连接的阳离子。
时钟
（输入） 。串行时钟输入/移出数据的串行数据流。
根据IMS所选择的串行接口速度（接口模式选择）
注册，在这个引脚上的时钟可以是4.096或8.192兆赫。
9
11
5
10
11
12
13
6
7
12
14
8
CLK
13-15 15-17
9-11
A0-2 /地址0-2 /输入流8-10
（输入） 。当非多CPU总线是
STi8-10
选择这些线路提供的A0 -A2地址线MT8986内部
寄存器。当选择16×8切换配置（ 44只脚） ，然后
这些引脚是ST- BUS串行输入8至10日在2.048 Mb / s的接收数据。
A3-5 /地址3-5 /输入流11-13
（输入） 。当非多CPU总线是
STi11-13
选择这些线路提供A3 -A5的地址线为MT8986内部
寄存器。当选择16×8切换配置（ 44只脚） ，然后
这些引脚是ST- BUS串行输入11至13日2.048 Mb / s的接收数据。
DS / RD数据选通/读取
（输入） 。当非复用CPU总线或摩托罗拉
复用总线（仅44引脚）被选中，此输入DS 。这种积极的高投入
与CS相结合的作品，使读取和写入操作。
对于Intel /国家复用总线（仅44引脚） ，此输入RD 。这个低电平有效
输入配置数据总线（ AD0 - AD7 ）为输出。
R / W \\ WR读/写\\写
（输入） 。如果非复用和摩托罗拉的复
公交车（仅44引脚） ，该输入是R / W 。此输入控制数据的方向
公交线路（ AD0 - AD7 ）在微处理器访问。
随着英特尔/国家复时间（仅44引脚） ，此输入WR 。这种积极
低信号配置数据总线（ AD0 - AD7 ）作为输入。
CS
AD7-
AD0
芯片选择
（输入） 。低电平输入使微处理器读或写
控制寄存器或内部存储器。
数据总线
（双向） ：这些引脚提供微处理器访问
内部控制寄存器，存储器的连接高低和数据存储器。
在复用总线模式（ 44引脚）这些引脚还提供了输入地址的
内部地址锁存器电路。
地面上。
16-18 19-21 13-15
19
22
16
20
23
17
21
24
18
22-29 25-27 19-21
29-33 23-27
30
34
28
V
SS
2-65
MT8986
引脚说明（续）
针＃
40
DIP
44
PLCC
44
QFP
名字
描述
31
35
29
STo7 / A7 ST -BUS输出7 / 7的地址输入
（三态输出/输入） 。的功能
该引脚被使能开关配置决定。如果非复
CPU总线一起使用8.192 Mb / s的速率的数据传输速率，该引脚用于
提供A7的地址输入功能。对于2.048 Mb / s的应用程序，或当
多路CPU总线（仅44引脚）时，该引脚呈STo7功能。
见表1 ， 2 ， 6 & 7的更多细节。
请注意，对于其中A7的输入和STo7输出所需的应用程序
同时（例如， 8.192至2.048 Mb / s的速率转换） ，在A7输入应
连接到引脚STi7 / A7 。
32
36
30
STo6 / A6 ST -BUS输出6 / 6的地址输入
（三态输出/输入） 。的功能
该引脚被使能开关配置决定。如果非复
CPU总线被一起使用8.192或4.096 Mb / s的高数据速率应用，
该引脚提供A6地址输入功能。对于2.048 Mb / s的应用程序或
当多路CPU总线（ 44只脚）时，该引脚呈STo6
功能。见表1 ， 2 ， 6 & 7的更多细节。
请注意，对于其中两个A6的输入和STo6输出所需的应用程序
同时（例如， 4.096至2.048 Mb / s的8.192或2.048 Mb / s的速率转换
应用程序） ，奥迪A6输入应连接到引脚STi6 / A6 。
STo5-0 ST- BUS输出5比0
（三态输出） 。串行数据输出流。
32 ， 64和128个通道的数据速率，这些串行数据流可以由
2.048 ， 4.096和8.192 Mbit / s的分别。
ODE
输出驱动器启用
（输入） 。这是在输出使能输入为STo0到
STo9串行输出。如果输入为低电平STo0-9是高阻抗。如果此输入为
高每个信道仍然可以投入高阻抗由每信道使用
控制位在连接存储器高。
控制ST- BUS输出
（输出） 。这是一个包含256 2.048 Mb / s的输出
每帧的比特。每一位的水平是由连接的集体安全条约组织位决定
内存高的位置。
33-38 37-39 31-33
41-43 35-37
39
44
38
40
1
39
集体安全条约组织
-
6
AS / ALE地址选通或锁存使能
（输入） 。这仅输入，如果是使用复用
公交车通过IM输入引脚选择（仅44引脚） 。
此信号的下降沿用于采样的地址到地址
闩锁电路。万一非复用总线，这输入不是必需的，应
悬空。
IM
CPU接口模式
（输入） 。如果高，这种输入配置MT8986在
复用微处理器总线模式。如果输入引脚未连接或
接地， MT8986假定非复用的CPU接口。
ST- BUS输入15 / ST -BUS输出9
（输入/三态输出） 。此引脚仅
如果选择了多路CPU总线使用。如果16输入×8路输出开关
配置在SCB位（ IMS寄存器）启用后，此引脚为输入
接收串行ST-总线流15以2.048 Mbit / s的数据速率。
如果流对选择功能被启用（见开关配置
部分） ，该引脚为ST- BUS流9输出。
当非复用总线结构时，该引脚应悬空。
ST- BUS输入14 / ST- BUS输出8
（输入/三态输出） 。此引脚仅
如果选择了多路CPU总线使用。如果16输入×8路输出开关
配置在SCB位（ IMS寄存器）启用后，此引脚为输入端，
以2.048 Mbit / s的数据速率接收到的串行ST-总线流14 。
如果流对选择功能被启用（见开关配置
部分） ，该引脚为ST- BUS流8输出。
当非复用总线结构时，该引脚应悬空。
-
18
-
28
STi15/
STo9
-
40
STi14/
STo8
2-66
MT8986
设备概述
同的语音，视频和数据服务的整合
在同一网络中，出现了越来越多
对于系统，确保为N×的数据需求
64 kbit / s的速率维持而序列的完整性
通过时隙交换被运送
电路。这项规定要求时隙
其执行与交换交换设备
不断的吞吐延迟宽带数据
同时保证最小延迟的应用
语音信道。
该MT8986设备符合上述要求
并允许基于MT8980D现有系统
可以很容易地升级，以保持数据的完整性
当宽带数据传送。该装置是
设计成开关32 ， 64或的N× 64 kbit / s的数据。该
MT8986可以提供用于数据帧的完整性
应用程序和最小吞吐量开关
拖延对每个通道进行语音应用。
的MT8986设备的串行数据流可以
工作在2.048 ， 4.096和8.192兆位/秒，并
设置在125微秒其中含有32，64宽的帧
和128个信道，分别。另外，一个内置的
频率转换电路允许用户
互连各种背板速度就像2.048或
4.096或8.192兆同时保持控制/ s的
在每个通道的基础吞吐量延时功能。
通过使用敏迪消息模式功能，
微处理器可以访问输入和输出时间
在每个通道的基础上的插槽来控制外部
电路或其他ST -BUS设备。该MT8986
自动识别帧的极性
同步输入信号，并配置它的串行
端口是兼容两者ST-总线和GCI
格式。
在44引脚封装，两种不同的微处理器
总线接口可以通过输入选择
模式引脚（ IM ） ：非复用和复用。
这些接口提供兼容英特尔/
全国复用和复用的摩托罗拉/非
多路公交车。在44引脚上， MT8986提供了一个
16 ×8开关的配置，以形成一个512 ×256的
道阻塞矩阵。还有，柔性流线对
选择操作允许的软件选择
其中一对输入和输出流的可
连接到内部128 ×128矩阵。看
开关的详细配置部分。
MT8986接收器在不同的TDM串行数据
率和不同数量的串行数据流。
数据和连接的回忆
对于所有的数据传输速率，接收到的串行数据
变换由串行到并行格式到并行
转换器和顺序存储在数据
内存。根据所选择的操作
在IMS （接口模式选择）编程
寄存器，数据存储器最多可以有512个字节
在使用中。顺序寻址数据
存储器是由一个内部计数器，它是进行
由输入8kHz的帧脉冲（ FR ）标志复位
将输入的串行数据的帧边界
流。
数据是在串行数据流的输出可能会
有两个来源：数据存储器或存储连接。
在连接存储器，它被分裂成位置
HIGH和LOW零件，都与特定的关联
ST- BUS输出流。当信道是由于
上一个ST-总线输出被发送，对于该数据
信道既可以从一个ST-总线切换
输入如连接模式，也可以是从
连接内存不足在消息模式。数据
往在串行输出的特定频道
流从数据存储器或连接阅读
内存不足以前的通道时隙中。
这允许足够的时间进行存储器访问和
并行到串行转换。
连接和消息模式
在连接模式中，输入的地址
对于所有输出通道的源数据被存储在
连回忆高（ CMH ）和低（ CML ） 。该
CML和CMH被映射，使得每个位置
对应于输出的输出信道
流。在CMH的源地址的比特数
和CML被利用而变化，根据该
切换到IMS寄存器选择配置。
有关使用的源地址数据的细节
（ CAB和SAB位） ，见CMH和CML位descrip-
化（图5 & 6）。一旦源地址位
由CPU编程的内容
在所选择的地址数据存储器传送
到并行 - 串行转换器。通过具有
输出通道通过指定源通道
在连接存储器，用户可以路由相同
输入通道到几个输出通道，使
在交换机内的广播设施。
在消息模式中的CPU的数据写入到
连接存储对应于低的位置
输出链路和信道号。的内容
连接存储器低位被直接传送到
并行 - 串行转换一个信道之前，它是对
2-67
功能说明
该MT8986设备的功能框图
在图1中示出根据不同的应用，所述
MT3S35T
东芝晶体管NPN硅外延平面型
MT3S35T
VCO OSCILLETOR阶段
超高频低噪声放大器的应用
单位：mm
特点
·
·
低噪声系数： NF = 1.4分贝（ @ F = 2GHz的）
高增益： | S21e | = 13.0分贝（ @ F = 2GHz的）
2
记号
3
Q2
1
2
TESM
JEDEC
―
―
2-1B1A
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
8
4.5
1.5
24
12
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEITA
东芝
重量： 0.0022克（典型值）。
1
2002-08-19
MT3S35T
微波特性
（ TA = 25°C ）
特征
跃迁频率
插入增益
符号
fT
|S21e|
2
(1)
|S21e|
2
(2)
NF(1)
NF(2)
测试条件
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安， F = 2GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安中，f = 1GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安， F = 2GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 2毫安中，f = 1GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 2毫安， F = 2GHz的
民
16
16
11
-
-
典型值。
20
18
13
1.1
1.4
最大
-
-
-
-
1.9
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
噪声系数
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
反向三极管电容
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
C
ob
C
re
测试条件
V
CB
= 8V ，我
E
=0
V
EB
= 1V ，我
C
=0
V
CE
= 3V ，我
C
=10mA
V
CB
= 1V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 1V ，我
E
= 0 ， F = 1MHz的（注1 ）
民
-
-
70
-
-
典型值。
-
-
-
0.46
0.21
最大
1
1
140
0.75
0.4
单位
A
A
-
pF
pF
注1 ：
Cre重组酶是由3端子法与电容电桥测量。
注意事项：
该器件对静电放电敏感。
请赚到足够的工具和设备接地，当你处理。
2
2002-08-19
MT3S35T
| S21e | -I
插入增益| S21e | （分贝）
VCE=3V
2V
15
1V
2
20
插入增益| S21e | （分贝）
15
| S21e | -I
VCE=3V
2V
2
2
2
10
1V
10
5
5
f=1GHz
Ta=25℃
1
10
集电极电流Ic （ mA）的
100
0
0
1
f=2GHz
Ta=25℃
10
集电极电流I C （毫安）
100
25
跃迁频率英尺（千兆赫）
FT- I C
反向传输电容Cre重组酶（PF ）
输出电容科夫（PF ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
CRE ，COB -V CB
IE=0
f=1MHz
Ta=25℃
COB
20
15
VCE=3V
2V
1V
10
5
0
1
f=2GHz
Ta=25℃
10
集电极电流I C （毫安）
100
CRE
1
10
集电极 - 基极电压VCB （ V）
4.0
3.5
噪声系数NF （ dB）的
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1
NF GA- I C
16
14
12
10
8
6
f=2GHz
VCE=3V
Ta=25℃
4
2
相关的增益嘎（分贝）
集电极耗散功率PC （MW ）
120
100
80
60
40
20
0
0
PC -Ta
Ga
NF
10
集电极电流I C （毫安）
0
100
25
50
75 100 125 150
环境温度Ta（ ℃ ）
175
3
2002-08-19
MT3S35T
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。无许可下的任何牌照以暗示或其他方式
知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
4
2002-08-19
MT3S35T
东芝晶体管NPN硅外延平面型
MT3S35T
VCO OSCILLETOR阶段
超高频低噪声放大器的应用
单位：mm
特点
·
·
低噪声系数： NF = 1.4分贝（ @ F = 2GHz的）
高增益： | S21e | = 13.0分贝（ @ F = 2GHz的）
2
记号
3
Q2
1
2
TESM
JEDEC
―
―
2-1B1A
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
8
4.5
1.5
24
12
100
150
55~150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEITA
东芝
重量： 0.0022克（典型值）。
1
2002-08-19
MT3S35T
微波特性
（ TA = 25°C ）
特征
跃迁频率
插入增益
符号
fT
|S21e|
2
(1)
|S21e|
2
(2)
NF(1)
NF(2)
测试条件
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安， F = 2GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安中，f = 1GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 10毫安， F = 2GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 2毫安中，f = 1GHz的
V
CE
= 3V ，我
C
= 2毫安， F = 2GHz的
民
16
16
11
-
-
典型值。
20
18
13
1.1
1.4
最大
-
-
-
-
1.9
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
噪声系数
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
反向三极管电容
符号
I
CBO
I
EBO
的hFE
C
ob
C
re
测试条件
V
CB
= 8V ，我
E
=0
V
EB
= 1V ，我
C
=0
V
CE
= 3V ，我
C
=10mA
V
CB
= 1V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 1V ，我
E
= 0 ， F = 1MHz的（注1 ）
民
-
-
70
-
-
典型值。
-
-
-
0.46
0.21
最大
1
1
140
0.75
0.4
单位
A
A
-
pF
pF
注1 ：
Cre重组酶是由3端子法与电容电桥测量。
注意事项：
该器件对静电放电敏感。
请赚到足够的工具和设备接地，当你处理。
2
2002-08-19
MT3S35T
| S21e | -I
插入增益| S21e | （分贝）
VCE=3V
2V
15
1V
2
20
插入增益| S21e | （分贝）
15
| S21e | -I
VCE=3V
2V
2
2
2
10
1V
10
5
5
f=1GHz
Ta=25℃
1
10
集电极电流Ic （ mA）的
100
0
0
1
f=2GHz
Ta=25℃
10
集电极电流I C （毫安）
100
25
跃迁频率英尺（千兆赫）
FT- I C
反向传输电容Cre重组酶（PF ）
输出电容科夫（PF ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.1
CRE ，COB -V CB
IE=0
f=1MHz
Ta=25℃
COB
20
15
VCE=3V
2V
1V
10
5
0
1
f=2GHz
Ta=25℃
10
集电极电流I C （毫安）
100
CRE
1
10
集电极 - 基极电压VCB （ V）
4.0
3.5
噪声系数NF （ dB）的
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
1
NF GA- I C
16
14
12
10
8
6
f=2GHz
VCE=3V
Ta=25℃
4
2
相关的增益嘎（分贝）
集电极耗散功率PC （MW ）
120
100
80
60
40
20
0
0
PC -Ta
Ga
NF
10
集电极电流I C （毫安）
0
100
25
50
75 100 125 150
环境温度Ta（ ℃ ）
175
3
2002-08-19
MT3S35T
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。无许可下的任何牌照以暗示或其他方式
知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
4
2002-08-19
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