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SMD型反射式光电开关
微型光斩波器
描述
在MIR - 3306 - TC11由砷化镓
红外发光二极管和一个NPN型硅phototran-
体管建在一个黑色的塑料外壳。它是一个refl-
ective超小型光电断路器。
MIR-3306-TC11
单位:mm
包装尺寸
特点
小型,薄型
MIR - 3306 - TC11 :紧凑型DIP , SMD型
最佳检测diatance : 0.8 - 1.0毫米
波长: 940nm的
可见光截止型
注意:
(1) .Tolerance : ±0.2毫米
(2) 。 ( )参考尺寸
铅材料
模具材料
内容
铜系统
内蒙古:环氧树脂
外: PPA
绝对最大额定值
@ T
A
=25
o
C
参数
连续正向电流
输入
反向电压
功耗
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
F
V
R
P
ad
V
( BR ) CEO
V
( BR ) ECO
P
C
P
合计
T
OPR
T
英镑
最低评级最高评级
-
-
-
30
5
-
-
50
5
80
-
-
75
100
-40
o
C
至+ 85
o
C
-40
o
C
至+ 85
o
C
单位
mA
V
mW
V
V
mW
mW
产量
发射极 - 集电极击穿电压
集电极耗散功率
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度(从身体最小1.6毫米) 300
o
在2秒
东贝光电科技有限公司
11/06/2003
MIR-3306-TC11
光电特性
参数
正向电压
输入
反向电流
电容
产量
集电极暗电流
电容
*1
@ T
A
=25
o
C
符号
V
F
I
R
Co
ICEO
C
CE
Ic
t
r
t
f
I
泄漏
V
CE (套)
分钟。
-
-
-
-
-
45
-
-
-
-
典型值。
1.2
-
25
-
10
110
20
20
-
-
马克斯。
1.4
10
-
100
-
360
100
100
0.1
0.4
单元。
V
A
pF
nA
pF
A
S
S
A
V
测试条件
I
F
=20mA
V
R
=3V
V
R
= 0V , F = 1MHz的
VCE = 20V
V
CE
= 5V , F = 1MHz的
I
F
= 4mA时的Vce = 3V
IC = 100μA ,的Vce = 2V
R
L
= 1kΩ的, D = 1毫米
I
F
= 4mA时的Vce = 3V
I
F
= 20mA时, IC = 0.1毫安
集电极电流
转让CHA-
响应时间(秋季)
racteristics
*2
漏电流
饱和电压
*2
无反光物体。
响应时间(上升)
*1
条件和安排,反射物体的表现如下图所示。
测试条件和安排集电极电流
阿尔refletive面
1mm厚的玻璃
设备
典型的光 - 电特性曲线
正向电流I
F
(MA )
功耗(MW )
60
50
40
30
20
10
0
-25
0
25
50
75
o
120
100
80
60
40
20
0
-25
P
合计
P
ad
, P
C
100
0
25
50
75
o
100
环境温度T
A
( C)
图1正向电流
VS
.
环境温度
正向电流I
F
(MA )
集电极电流Ic (
A)
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
600
500
400
300
200
100
0
0
环境温度T
A
( C )
图2功耗对比
环境温度
Vce=5V
Ta=25
o
C
5
10
15
20
正向电压V
F
(V)
图3正向电流
VS
正向电压
正向电流I
F
(MA )
图4集电极电流 -
正向电流
东贝光电科技有限公司
11/06/2003
MIR-3306-TC11
典型的光 - 电特性曲线
集电极电流Ic (
A)
350
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
12
1mA
相对集电极电流( % )
TA = 25℃
I
F
=10mA
4mA
o
120
100
80
60
40
20
0
-25
0
25
50
75
o
100
集电极 - 发射极电压Vce ( V)
图5集电极电流主场迎战的Vce
集电极暗电流I
首席执行官
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
环境温度T
A
( C)
图6相对集电极电流
VS
.
100
响应时间(
s)
V
CE
=10V
t
r
t
r
t
d
10
1
0.1
0.01
t
s
V
CE
=2V
I
C
=100A
T
a
=25
o
C
10
-10
0
25
50
75
o
100
0.1
1
10
环境温度T
A
( C)
图7集电极暗电流与
环境温度
相对集电极电流( % )
相对灵敏度( % )
100
80
60
40
20
0
700
800
900
1000
1100
1200
Ta=25
o
C
120
100
80
60
40
20
0
0
1
负载阻抗R
t
(K)
图8响应时间与
负载电阻
I
F
=4mA
V
CE
=5V
T
A
=25
o
C
2
3
4
5
6
7
8
9 10
波长(nm )
图9光谱灵敏度(检测端)
距离(mm )
图10相对集电极电流与距离
MIR - 3306与卡之间
测试电路的响应时间
VCC
输入R
D
R
L
输入
输出输出
10%
t
d
t
r
90%
t
f
t
s
东贝光电科技有限公司
11/06/2003
MIR-3306-TC11
可靠性试验项目
测试项目
说明和测试条件
计算设备时的阻力
在电应力的Ta =操作室下
温度测试时间= 1000小时
(-24hrs,+72hrs)
评价该装置的耐湿性
当存储一个长期在高
温度和高humidityTa = 85 ±5
o
C
相对湿度= 85 ±5% RhTest时间= 1000小时
(-24hrs,+72hrs)
评估长期设备的耐用性
存储在高温度Ta = 105
o
C
测试时间= 1000小时( -24hrs , + 72小时)
评估长期设备的耐用性
存储在低温度Ta = -55
o
C
测试时间= 1000小时( -24hrs , + 72小时)
参考标准
MIL- STD- 750 : 1026
MIL -STD- 883 : 1005
JIS C 7021 : B- 1
判断
工作寿命
接受:
功率衰减<30 %
高温
高湿度
MIL- STD- 202 : 103B
JIS C 7021 : B- 11
接受:
无是
开路/短路
接受:
无是
开路/短路
接受:
无是
开路/短路
接受:
无是
开路/短路
高温
存储
低温
存储
MIL -STD- 883 : 1008
JIS C 7021 : B- 10
JIS C 7021 : B- 12
MIL- STD- 202 : 107D
MIL- STD- 750 : 1051
MIL -STD- 883 : 1010
JIS C 7021 : A- 4
在计算热设备的阻力
应力或膨胀和收缩
温度循环
105
o
C ~ 25
o
C ~ -55
o
C ~ 25
o
C
5分钟30分钟30分钟5分钟20次
热冲击
计算设备的结构和机械
阻力时,突然暴露在严重的MIL- STD- 202 : 107D
变化
MIL- STD- 750 : 1051
o
o
MIL -STD- 883 : 1011
105 C ~ -55 C 
10分钟10分钟10次
MIL- STD- 202 : 210A
MIL- STD- 750 : 2031
JIS C 7021 : A- 1
接受:
无是
开路/短路
回流焊接回流过程:条件是如下
耐热测试页。比2的时间少。
接受:
无是
开路/短路
可焊性
评估可焊器件的引线
T.Sol=230
o
C
停留时间= 5秒
阶段1 : 110
o
C, 85 %RH , 1.242kgf /厘米
2
阶段2 : 130
o
C, 85 %RH , 2.714kgf /厘米
2
滴的距离:1米
删除设备上的枫木板
3次
MIL- STD- 202 : 208D
接受:
MIL- STD- 750 : 2026
95 %的焊接areaon
MIL -STD- 883 : 2003
引线框架
JIS C 7021 : A-2
-
接受:
无是
开路/短路
接受:
无是
开路/短路
PresureCooker测试
跌落测试
-
东贝光电科技有限公司
11/06/2003
MIR-3306-TC11
推荐焊接条件
1.回流焊接。
持续5秒。 MAX焊接时间
240
o
C(最大值)
+ 5
o
C /秒。 MAX
- 5
o
C /秒。 MAX
160+10
o
C
90 - 120秒
预热
1.a
1.b
上面的温度。轮廓应为LED树脂的表面上。
回流工艺的数目应小于2 times.If第二回流工序是
执行的,所述第一和第二过程之间的时间间隔应尽可能短
为了防止从LED树脂的吸湿性。冷却过程中正常的温度。是必须的
之间的第一和第二回流工序。
温度。波动的LED在预热过程中应该尽量减少。 (小于6
o
C )
1.c
2.浸焊。
2.A.预热温度。焊接: 120 - 150℃ , 60 - 120秒。
2.B.焊接温度:温度。焊锡锅300
o
C(最大值)和焊接时间不超过2秒。
2.C.浸焊工艺的数目必须小于2倍,并在执行过程
sequrence 。冷却过程中正常的温度。将需要在第一和第二之间
焊接工艺。
o
东贝光电科技有限公司
11/06/2003
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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