SRAM
奥斯汀半导体公司
8K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-38294
MIL -STD- 883
MT5C6408
引脚分配
（ TOP VIEW ）
A6
A7
A12
NC
VCC
WE \\
CE2\
4 3 2 1 28 27 26
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
25
24
23
22
21
20
19
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE1\
DQ7
28引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE \\
CE2
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE1\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
28引脚LCC （ EC）
特点
高速： 12 ， 15 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55 ，和为70ns
备用电池： 2V的数据保留
高性能，低功耗的CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
易于扩展内存与CE1 \\和CE2
所有输入和输出为TTL兼容
12 13 14 15 16 17 18
28引脚扁平封装（F ）
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
选项
时机
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
陶瓷扁平
记号
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
VCC
WE \\
CE2
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE1\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
概述
第108号
204号
302号
该MT5C6408 ， 8K ×8 SRAM ，采用高速，
低功耗的CMOS技术，省去了时钟
或清爽。这些SRAM的有平等机会和循环
次。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供双芯片使（ CE1 \\ ， CE2 ）和
输出使能（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将
在高阻抗输出，为系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE1 \\输入都是低电平和CE2为高电平。
当我们\\和CE2保持高读数完成和
CE1 \\和OE \\变为低电平。该器件提供了一个降低功耗
待机模式时禁用。这使得系统的设计，以
实现低待机功耗要求。
这些器件采用+ 5V单电源工作支持
帘布层和所有输入和输出完全TTL兼容。
C
EC
F
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的电气特性
为45nS接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
VSS
MT5C6408
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
行解码器
DQ8
I / O控制
65,536-BIT
存储阵列
DQ1
CE1\
CE2
列解码器
OE \\
WE \\
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
动力
下
真值表
模式
待机
待机
读
读
写
CE1\
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE \\
X
X
H
H
L
OE \\
X
X
L
H
X
DQ
动力
HIGH -Z STANDBY
HIGH -Z STANDBY
Q
活跃
高阻ACTIVE
D
活跃
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在任何输入或DQ相对于Vss ........- 0.5V至+ 7.0V的电压
电压Vcc电源相对于Vss .................- 0.5V至+ 7.0V
储存温度... .........................................- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ ...................... 1W
最高结温............................................... ... + 175℃
引线温度（焊接10秒） ........................ + 260
o
C
短路输出电流.............................................. ..50mA
MT5C6408
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
最大
Vcc+0.5
0.8
10
10
0.4
单位
V
V
A
A
V
V
1
1
笔记
1
1, 2
0V
≤
V
IN
≤
VCC
输出（S ）禁用
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
参数
电源
当前位置：工作
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出开路
CE \\ > V
IH
;所有其它输入
＆ LT ; V
IL
或> V
IH
, V
CC
=最大
F = 0赫兹
CE \\ > （V
CC
-0.2); V
CC
=最大
所有其它输入< 0.2V
或> （V
CC
- 0.2V ） ， F = 0赫兹
符号
I
cc
I
SBTSP
I
SBTLP
I
SBCSP
I
SBCLP
-12
180
-15
170
最大
-20
-25
160
155
-35
155
-45
145
单位备注
mA
3
电源
电流：待机
40
30
20
10
40
30
20
10
40
30
20
10
40
30
20
10
40
30
20
10
40
30
20
10
mA
mA
mA
mA
电容
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25
o
C，F = 1MHz的
VCC = 5V
符号
C
I
C
O
最大
6
7
单位
pF
pF
笔记
4
4
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
MT5C6408
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-12
-15
-20
-25
-35
-45
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
12
12
12
2
2
7
8
0
7
12
10
10
0
0
10
7
0
2
0
15
13
13
0
0
13
10
0
0
0
0
10
20
15
15
0
0
15
12
0
0
0
0
0
10
12
0
15
25
20
20
0
0
20
15
0
0
0
15
15
15
0
0
15
15
0
15
35
30
30
0
0
30
15
5
0
0
20
20
20
0
0
15
15
0
30
45
40
40
0
0
40
20
5
0
0
25
25
25
3
0
15
15
0
40
35
35
35
3
0
25
20
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
6
7
10
10
15
15
25
7
6, 7
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平...................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .........................................
输入时序参考电平1.5V ................................
输出参考电平1.5V .......................................
输出负载.................................见图1和图2
MT5C6408
167
Q
30pF
V
TH
= 1.73V Q
167
5pF
V
TH
= 1.73V
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
4.此参数是保证，但未经测试。
5.试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
6. t
LZCE
, t
LZWE
, t
LZOE
, t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
测量± 200mV的自稳态电压典型，
1.
2.
3.
允许实际测试器的RC时间常数。
7.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
和
t
HZOE
小于吨
LZOE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12. CE2的定时是一样的CE1 \\定时。该波形是
反转。
13.芯片使能（ CE1 \\ ， CE2 ）和写使能（WE \\）可
启动和终止一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
V
CC
= 2V
I
CCDR
300
A
条件
符号
V
DR
民
2
最大
---
单位
V
笔记
t
CDR
t
R
0
t
RC
---
ns
ns
4
4, 11
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
4321
4321
4321
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
432
3216
87
432154321
321154321
87
876
422154321
321154321
4326
3316
87
987654321
4321
321
321
321
987654321
4321
4321
321
987654321
4321
987654321
不在乎
未定义
SRAM
奥斯汀半导体公司
8K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-38294
MIL -STD- 883
MT5C6408
引脚分配
（ TOP VIEW ）
A6
A7
A12
NC
VCC
WE \\
CE2\
4 3 2 1 28 27 26
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
25
24
23
22
21
20
19
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE1\
DQ7
28引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE \\
CE2
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE1\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
28引脚LCC （ EC）
特点
高速： 12 ， 15 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55 ，和为70ns
备用电池： 2V的数据保留
高性能，低功耗的CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
易于扩展内存与CE1 \\和CE2
所有输入和输出为TTL兼容
12 13 14 15 16 17 18
28引脚扁平封装（F ）
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
选项
时机
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
陶瓷扁平
记号
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
VCC
WE \\
CE2
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE1\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
概述
第108号
204号
302号
该MT5C6408 ， 8K ×8 SRAM ，采用高速，
低功耗的CMOS技术，省去了时钟
或清爽。这些SRAM的有平等机会和循环
次。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供双芯片使（ CE1 \\ ， CE2 ）和
输出使能（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将
在高阻抗输出，为系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE1 \\输入都是低电平和CE2为高电平。
当我们\\和CE2保持高读数完成和
CE1 \\和OE \\变为低电平。该器件提供了一个降低功耗
待机模式时禁用。这使得系统的设计，以
实现低待机功耗要求。
这些器件采用+ 5V单电源工作支持
帘布层和所有输入和输出完全TTL兼容。
C
EC
F
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的电气特性
为45nS接入设备。
欲了解更多产品信息
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MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
VSS
MT5C6408
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
行解码器
DQ8
I / O控制
65,536-BIT
存储阵列
DQ1
CE1\
CE2
列解码器
OE \\
WE \\
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
动力
下
真值表
模式
待机
待机
读
读
写
CE1\
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE \\
X
X
H
H
L
OE \\
X
X
L
H
X
DQ
动力
HIGH -Z STANDBY
HIGH -Z STANDBY
Q
活跃
高阻ACTIVE
D
活跃
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在任何输入或DQ相对于Vss ........- 0.5V至+ 7.0V的电压
电压Vcc电源相对于Vss .................- 0.5V至+ 7.0V
储存温度... .........................................- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ ...................... 1W
最高结温............................................... ... + 175℃
引线温度（焊接10秒） ........................ + 260
o
C
短路输出电流.............................................. ..50mA
MT5C6408
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
最大
Vcc+0.5
0.8
10
10
0.4
单位
V
V
A
A
V
V
1
1
笔记
1
1, 2
0V
≤
V
IN
≤
VCC
输出（S ）禁用
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
参数
电源
当前位置：工作
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出开路
CE \\ > V
IH
;所有其它输入
＆ LT ; V
IL
或> V
IH
, V
CC
=最大
F = 0赫兹
CE \\ > （V
CC
-0.2); V
CC
=最大
所有其它输入< 0.2V
或> （V
CC
- 0.2V ） ， F = 0赫兹
符号
I
cc
I
SBTSP
I
SBTLP
I
SBCSP
I
SBCLP
-12
180
-15
170
最大
-20
-25
160
155
-35
155
-45
145
单位备注
mA
3
电源
电流：待机
40
30
20
10
40
30
20
10
40
30
20
10
40
30
20
10
40
30
20
10
40
30
20
10
mA
mA
mA
mA
电容
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25
o
C，F = 1MHz的
VCC = 5V
符号
C
I
C
O
最大
6
7
单位
pF
pF
笔记
4
4
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
MT5C6408
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-12
-15
-20
-25
-35
-45
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
12
12
12
2
2
7
8
0
7
12
10
10
0
0
10
7
0
2
0
15
13
13
0
0
13
10
0
0
0
0
10
20
15
15
0
0
15
12
0
0
0
0
0
10
12
0
15
25
20
20
0
0
20
15
0
0
0
15
15
15
0
0
15
15
0
15
35
30
30
0
0
30
15
5
0
0
20
20
20
0
0
15
15
0
30
45
40
40
0
0
40
20
5
0
0
25
25
25
3
0
15
15
0
40
35
35
35
3
0
25
20
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
6
7
10
10
15
15
25
7
6, 7
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平...................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .........................................
输入时序参考电平1.5V ................................
输出参考电平1.5V .......................................
输出负载.................................见图1和图2
MT5C6408
167
Q
30pF
V
TH
= 1.73V Q
167
5pF
V
TH
= 1.73V
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
4.此参数是保证，但未经测试。
5.试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
6. t
LZCE
, t
LZWE
, t
LZOE
, t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
测量± 200mV的自稳态电压典型，
1.
2.
3.
允许实际测试器的RC时间常数。
7.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
和
t
HZOE
小于吨
LZOE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12. CE2的定时是一样的CE1 \\定时。该波形是
反转。
13.芯片使能（ CE1 \\ ， CE2 ）和写使能（WE \\）可
启动和终止一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
V
CC
= 2V
I
CCDR
300
A
条件
符号
V
DR
民
2
最大
---
单位
V
笔记
t
CDR
t
R
0
t
RC
---
ns
ns
4
4, 11
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
4321
4321
4321
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
432
3216
87
432154321
321154321
87
876
422154321
321154321
4326
3316
87
987654321
4321
321
321
321
987654321
4321
4321
321
987654321
4321
987654321
不在乎
未定义
SRAM
奥斯汀半导体公司
8K ×8 SRAM
SRAM存储器阵列
作为军事
特定网络阳离子
SMD 5962-38294
MIL -STD- 883
MT5C6408
引脚分配
（ TOP VIEW ）
A6
A7
A12
NC
VCC
WE \\
CE2\
4 3 2 1 28 27 26
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
5
6
7
8
9
10
11
25
24
23
22
21
20
19
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE1\
DQ7
28引脚DIP （C ）
（ 300密耳）
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE \\
CE2
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE1\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
28引脚LCC （ EC）
特点
高速： 12 ， 15 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55 ，和为70ns
备用电池： 2V的数据保留
高性能，低功耗的CMOS双金属
过程
单+ 5V （ + 10 ％ ）电源
易于扩展内存与CE1 \\和CE2
所有输入和输出为TTL兼容
12 13 14 15 16 17 18
28引脚扁平封装（F ）
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ1
DQ2
DQ3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
选项
时机
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
25ns的访问
为35ns存取
为45nS接入
55ns存取
为70ns存取
包（ S）
陶瓷DIP （ 300密耳）
陶瓷LCC
陶瓷扁平
记号
-12
-15
-20
-25
-35
-45
-55*
-70*
VCC
WE \\
CE2
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE1\
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
概述
第108号
204号
302号
该MT5C6408 ， 8K ×8 SRAM ，采用高速，
低功耗的CMOS技术，省去了时钟
或清爽。这些SRAM的有平等机会和循环
次。
对于在高速存储器应用的灵活性，
奥斯汀半导体提供双芯片使（ CE1 \\ ， CE2 ）和
输出使能（OE \\ ）的能力。这些增强功能可将
在高阻抗输出，为系统设计的灵活性。
写入这些设备被实现时的写
使能（WE \\ ）和CE1 \\输入都是低电平和CE2为高电平。
当我们\\和CE2保持高读数完成和
CE1 \\和OE \\变为低电平。该器件提供了一个降低功耗
待机模式时禁用。这使得系统的设计，以
实现低待机功耗要求。
这些器件采用+ 5V单电源工作支持
帘布层和所有输入和输出完全TTL兼容。
C
EC
F
工作温度范围
工业级（-40
o
C至+ 85
o
C)
IT
o
o
军事（ -55℃至+ 125 ℃）
XT
2V数据保存/低功耗
L
*相同的那些规定的电气特性
为45nS接入设备。
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
1
SRAM
奥斯汀半导体公司
功能框图
V
CC
VSS
MT5C6408
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
行解码器
DQ8
I / O控制
65,536-BIT
存储阵列
DQ1
CE1\
CE2
列解码器
OE \\
WE \\
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
动力
下
真值表
模式
待机
待机
读
读
写
CE1\
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE \\
X
X
H
H
L
OE \\
X
X
L
H
X
DQ
动力
HIGH -Z STANDBY
HIGH -Z STANDBY
Q
活跃
高阻ACTIVE
D
活跃
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2
SRAM
奥斯汀半导体公司
绝对最大额定值*
在任何输入或DQ相对于Vss ........- 0.5V至+ 7.0V的电压
电压Vcc电源相对于Vss .................- 0.5V至+ 7.0V
储存温度... .........................................- 65
o
C至+150
o
C
功耗................................................ ...................... 1W
最高结温............................................... ... + 175℃
引线温度（焊接10秒） ........................ + 260
o
C
短路输出电流.............................................. ..50mA
MT5C6408
*应力大于下＆ QUOT上市，绝对最大
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的操作部分将得不到保证。曝光
在绝对最大额定值条件下工作
会影响其可靠性。
电气特性和建议的直流工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
条件
符号
V
IH
V
IL
IL
I
IL
O
V
OH
V
OL
民
2.2
-0.5
-10
-10
2.4
最大
Vcc+0.5
0.8
10
10
0.4
单位
V
V
A
A
V
V
1
1
笔记
1
1, 2
0V
≤
V
IN
≤
VCC
输出（S ）禁用
0V ＆ LT ; V
OUT
＆ LT ; VCC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 8.0毫安
参数
电源
当前位置：工作
条件
CE \\ < V
IL
; V
CC
=最大
F = MAX = 1 /吨
RC
（分钟）
输出开路
CE \\ > V
IH
;所有其它输入
＆ LT ; V
IL
或> V
IH
, V
CC
=最大
F = 0赫兹
CE \\ > （V
CC
-0.2); V
CC
=最大
所有其它输入< 0.2V
或> （V
CC
- 0.2V ） ， F = 0赫兹
符号
I
cc
I
SBTSP
I
SBTLP
I
SBCSP
I
SBCLP
-12
180
-15
170
最大
-20
-25
160
155
-35
155
-45
145
单位备注
mA
3
电源
电流：待机
40
30
20
10
40
30
20
10
40
30
20
10
40
30
20
10
40
30
20
10
40
30
20
10
mA
mA
mA
mA
电容
描述
输入电容
输出电容
条件
T
A
= 25
o
C，F = 1MHz的
VCC = 5V
符号
C
I
C
O
最大
6
7
单位
pF
pF
笔记
4
4
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
3
SRAM
奥斯汀半导体公司
MT5C6408
电气特性和推荐AC工作条件
（注5 ） （ -55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5V +10%)
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出启用访问时间
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
写周期
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
从写结束地址保持
把脉冲宽度
数据建立时间
数据保持时间
写禁止输出在低Z
写使能在高阻输出
-12
-15
-20
-25
-35
-45
符号最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位备注
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
LZWE
t
HZWE
12
12
12
2
2
7
8
0
7
12
10
10
0
0
10
7
0
2
0
15
13
13
0
0
13
10
0
0
0
0
10
20
15
15
0
0
15
12
0
0
0
0
0
10
12
0
15
25
20
20
0
0
20
15
0
0
0
15
15
15
0
0
15
15
0
15
35
30
30
0
0
30
15
5
0
0
20
20
20
0
0
15
15
0
30
45
40
40
0
0
40
20
5
0
0
25
25
25
3
0
15
15
0
40
35
35
35
3
0
25
20
45
45
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
6, 7
6
7
10
10
15
15
25
7
6, 7
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
4
SRAM
奥斯汀半导体公司
AC测试条件
输入脉冲电平...................................... VSS至3.0V
输入上升和下降时间为5ns .........................................
输入时序参考电平1.5V ................................
输出参考电平1.5V .......................................
输出负载.................................见图1和图2
MT5C6408
167
Q
30pF
V
TH
= 1.73V Q
167
5pF
V
TH
= 1.73V
图。 1输出负载
当量
图。 2输出负载
当量
笔记
参考V所有电压
SS
（GND）。
-3V脉冲宽度为20ns <
I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值适用于与输出
卸，并且f =
1
赫兹。
t
RC （ MIN ）
4.此参数是保证，但未经测试。
5.试验条件与输出负载指定
如示于图1 ，除非另有说明。
6. t
LZCE
, t
LZWE
, t
LZOE
, t
HZCE
, t
HZOE
和T
HZWE
用CL = 5pF的被指定为与图。 2.过渡
测量± 200mV的自稳态电压典型，
1.
2.
3.
允许实际测试器的RC时间常数。
7.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZCE
小于吨
LZCE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
和
t
HZOE
小于吨
LZOE
.
8.我们\\是高读周期。
9.设备不断选择。芯片使能和
输出使他们的活动状态被保持。
10.地址有效之前或重合，最新
发生芯片使能。
11.
t
RC =读周期时间。
12. CE2的定时是一样的CE1 \\定时。该波形是
反转。
13.芯片使能（ CE1 \\ ， CE2 ）和写使能（WE \\）可
启动和终止一个写周期。
数据保留电气特性（仅L型）
描述
V
CC
为保留数据
CE \\ > （V
CC
- 0.2V)
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
V
IN
> （V
CC
- 0.2V)
或< 0.2V
V
CC
= 2V
I
CCDR
300
A
条件
符号
V
DR
民
2
最大
---
单位
V
笔记
t
CDR
t
R
0
t
RC
---
ns
ns
4
4, 11
VCC低于数据保存波形
V
CC
t
CDR
数据保持方式
4.5V
V
DR
＆ GT ; 2V
4.5V
t
R
V
DR
MT5C6408
修订版3.0 2/01
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
5
4321
4321
4321
4321
321
21
321
321
3
CE \\
V
IH
V
IL
432
3216
87
432154321
321154321
87
876
422154321
321154321
4326
3316
87
987654321
4321
321
321
321
987654321
4321
4321
321
987654321
4321
987654321
不在乎
未定义
QQ：2881677436 复制
