【初步规格。有些内容如有变更，恕不另行通知。三菱的LSIMH32S64APFB -7 ， -82147】,IC型号MH32S64APFB-8,MH32S64APFB-8 PDF资料,MH32S64APFB-8经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步规格。

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三菱的LSI

MH32S64APFB -7 ， -8

2147483648位（ 33554432 - WORD 64位） SynchronousDRAM

描述

该MH32S64APFB是33554432 - 字由64位

同步DRAM模块。这包括

16行业标准16Mx8同步

DRAM的小TSOP和一个industory

标准EEPROM中的TSSOP封装。

小TSOP的卡上的边缘安装

双列直插式封装提供了任何应用程序

其中，高密度和大量的

存储器是必需的。

这是一个套接字类型 - 内存模块，适用

为便于交换或增加模块。

采用业界标准的16M ×8 SY nchronous的DRAM

小TSOP和行业标准的EEPROM采用TSSOP

144脚（ 72脚双列直插式封装）

单3.3V ± 0.3V电源

时钟频率为100MHz （最大值）

充分参考时钟同步运行上升

EDGE

通过BA0,1控制的4个银行工作（银行地址）

/ CAS延时： 2/3 （可编程）

突发长度 - 1/2/ 4/8 /全页（可编程）

特点

频率

-7,-7L

-8,-8L

100MHz

CLK访问时间

（组件SDRAM ）

突发类型 - 顺序/交错（可编程）

列存取 - 随机

自动预充电/所有银行预充电用A10的控制

自动刷新和自刷新

4096刷新周期/ 64ms的

6.0ns(CL=3)

PC100标准

LVTTL接口

应用

主存储器或图形存储器中的计算机系统

PCB大纲

（正面）

（返回）

1

2

143

144

MIT-DS-0358-0.2

三菱

电

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16.Mar.2000

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MH32S64APFB -7 ， -8

2147483648位（ 33554432 - WORD 64位） SynchronousDRAM

引脚配置

针

数

正面

引脚名称

针

数

背面

引脚名称

针

数

正面

引脚名称

针

数

背面

引脚名称

1

3

5

7

9

11

13

15

17

19

21

23

25

27

29

31

33

35

37

39

41

43

45

47

49

51

53

55

57

59

61

63

65

67

69

71

VSS

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

VCC

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

VSS

DQMB0

DQMB1

VCC

A0

A1

A2

VSS

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

VCC

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

VSS

NC

CLK0

VCC

/ RAS

/ WE

/S0

/S1

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

42

44

46

48

50

52

54

56

58

60

62

64

66

68

70

72

VSS

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

VCC

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

VSS

DQMB4

DQMB5

VCC

A3

A4

A5

VSS

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

VCC

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

VSS

NC

CKE0

VCC

/ CAS

CKE1

NC

73

75

77

79

81

83

85

87

89

91

93

95

97

99

101

103

105

107

109

111

113

115

117

119

121

123

125

127

129

131

133

135

137

139

141

143

NC

VSS

NC

VCC

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

VSS

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

VCC

A6

A8

VSS

A9

A10

VCC

DQMB2

DQMB3

VSS

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

VCC

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

VSS

SDA

VCC

74

76

78

80

82

84

86

88

90

92

94

96

98

100

102

104

106

108

110

112

114

116

118

120

122

124

126

128

130

132

134

136

138

140

142

144

CLK1

VSS

NC

VCC

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

VSS

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

VCC

A7

BA0

VSS

BA1

A11

VCC

DQMB6

DQMB7

VSS

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

VCC

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

VSS

SCL

VCC

NC =无连接

MIT-DS-0358-0.2

三菱

电

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MH32S64APFB -7 ， -8

2147483648位（ 33554432 - WORD 64位） SynchronousDRAM

框图

/S0

/S1

DQMB0

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQMB1

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

DQMB2

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

DQMB3

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

DQM / CS

DQMB4

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

DQMB5

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

DQMB6

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

DQM / CS

D0

D8

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

D4

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

D12

D1

D9

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

D5

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

D13

D2

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

D10

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

DQMB7

DQM / CS

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

D6

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

D14

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

DQM / CS

D3

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

D11

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

DQM / CS

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

D7

I / O

0

1

2

3

4

5

6

7

D15

/ RAS

/ CAS

/ WE

BA0 ， BA1 ， A<11 ： 0>

VCC

CK,DQ=10

D0

-

D15 CKE0

D15

D15 CKE1

D15

D0 - D7 CK0

CK1

D8 - D15

SCL

8SDRAMs

串行PD

A0

A1

A2

SDA

VSS

D0 - D15

MIT-DS-0358-0.2

三菱

电

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MH32S64APFB -7 ， -8

2147483648位（ 33554432 - WORD 64位） SynchronousDRAM

串行存在检测表一

字节

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

函数来描述

定义写入字节数为串行内存模块MFGR

总字节数SPD内存设备的

基本内存类型

在本届大会＃行地址

在本届大会＃列地址

在本次大会＃模块银行

本次大会的数据宽度...

...数据宽度延续

本届大会的电压接口标准

CYCLETIME SDRAM的最大支持CAS延迟（ CL ）。

SPD enrty数据

128

256字节

SDRAM

A0-A11

A0-A9

2BANK

x64

0

LVTTL

10ns

SPD数据（十六进制）

80

08

04

0C

0A

02

40

00

01

A0

周期时间CL = 3

从SDRAM的时钟访问

TAC的CL = 3

DIMM配置类型（无奇偶校验，奇偶校验， ECC ）

刷新率/类型

SDRAM的宽度，主要DRAM

错误检查SDRAM的数据宽度

最小时钟延迟，背靠背随机列地址

6ns

非奇偶校验

60

00

80

08

00

01

8F

04

06

01

00

0E

A0

D0

60

70

00

14

32

自刷新（ 15.625uS ）

x8

不适用

1

1/2/ 4/8 /全页

4bank

2/3

0

非缓冲的，非注册

全部预充电，自动预充电

-7,7L

-8,8L

-7,7L

-8,8L

突发长度支持

每个SDRAM器件＃银行

CAS ＃延迟

CS ＃延迟

写入延迟

SDRAM模块属性

SDRAM的设备属性：一般

SDRAM的周期时间（第二最高的CAS延迟）

周期时间CL = 2

10ns

13ns

6ns

7ns

不适用

20ns

50ns

24

SDRAM访问形式的时钟（第二最高的CAS延迟）

TAC的CL = 2

25

26

27

28

29

30

SDRAM的周期时间（最高3 CAS延迟）

SDRAM访问形式的时钟（最高3 CAS延迟）

预充电到Active最低

行有效至行主动敏。

RAS到CAS的延迟敏

至预充电敏

MIT-DS-0358-0.2

三菱

电

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MH32S64APFB -7 ， -8

2147483648位（ 33554432 - WORD 64位） SynchronousDRAM

串行存在检测表二

31

32

33

34

35

36-61

62

模块每家银行的密度

命令和地址信号输入建立时间

命令和地址信号输入保持时间

数据信号输入建立时间

数据信号输入保持时间

超集信息（可能在将来使用）

SPD修订

128MByte

2ns

1ns

2ns

1ns

选项

REV 1.2A

检查总和-7,7L

63

校验和字节0-62

检查总和-8,8L

64-71

72

生产每JEP - 108E JEDEC的ID代码

生产地点

三菱

三好，日本

田岛，日本

NC ， USA

德国

MH32S64APFB-7

MH32S64APFB-7L

73-90

制造商零件编号

MH32S64APFB-8

MH32S64APFB-8L

91-92

93-94

95-98

99-125

126

修改代码

生产日期

装配序列号

生产的具体数据

Intetl规格频率

-7,7L

--8,8L

4D483136533634415046422D382020202020

4D483136533634415046422D384C20202020

20

10

20

10

00

12

17

57

1CFFFFFFFFFFFFFF

01

02

03

04

4D483136533634415046422D372020202020

4D483136533634415046422D374C20202020

PCB版本

年/星期代码

编号

选项

100MHz

CL=2/3,AP,CK0,1

CL=3,AP,CK0,1

开放

rrrr

YYWW

ssssssss

00

64

CF

CD

00

127

128+

英特尔规范CAS ＃延迟支持

未使用的存储位置

MIT-DS-0358-0.2

三菱

电

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