SRAM
奥斯汀半导体公司
128K ×8 SRAM
与双芯片使能
超低功耗
作为军事
特定网络阳离子
MIL -STD- 883 ，第1.2.2兼容
MT5C1008(LL)
超低功耗
引脚分配
（ TOP VIEW ）
32引脚DIP （C ）
NC
A16
A14
A12
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
26
27
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
CE2
WE \\
A13
A8
A9
A11
OE \\
A10
CE1\
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
特点
高速： 30纳秒
低有功功率： 715 mW的最坏情况
CMOS的低待机功率： 3.3毫瓦最坏的情况
2.0V数据保留，超低0.3MW最差
情况下功耗
电池备份应用程序
取消时自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展与CE1 \\ ， CE2和OE \\选项
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
选项
时机
30ns的访问
包（ S）
陶瓷DIP （ 400密耳）
温度
军用（ -55 ° C至+ 125°C ）
记号
-30
概述
C
111号
该MT5C1008 SRAM是一种高性能的CMOS
静态RAM组织为131 ， 072字×8位，提供低
有功功率和超低待机和数据保持电流
的水平。容易记忆膨胀被LOW有效提供
芯片使能（ CE1 \\ ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和
低电平有效输出使能（ OE \\ ） ，三态驱动器。
写设备通过采取芯片使能实现
一（ CE1 \\ ）和写使能（WE \\）输入低和芯片
启用两个（ CE2 ）输入高。在8个I / O引脚的数据（ I / O0
通过I / O 7 ）然后被写入到所指定的位置的
地址引脚（ A0至A16 ） 。
从设备读取是通过服用完成
芯片使能一个（ CE
1
\\ ）和输出使能（ OE \\ ） ，而低
强迫写使能（WE \\）和芯片使能两（ CE
2
）高。
存储器位置的在这些条件下，将内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出（ I / O0通过I / O 7 ）被置于
在高阻抗状态，当设备被取消（ CE1 \\ ）
高或低CE2 ） ，输出被禁止（ OE \\高） ，或
在写操作期间（ CE1 \\低， CE2高和WE \\低） 。
米尔
选项
2V数据保持/非常低的功率
LL
欲了解更多产品信息
请访问我们的网站：
www.austinsemiconductor.com
MT5C1008(LL)
1.0版7/02
奥斯汀半导体公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
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MT5C1008(LL)
超低功耗
功能框图
真值表
模式
掉电
掉电
读
写
选择输出禁用
OE \\
X
X
L
X
H
CE1\
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE \\
X
X
H
L
H
I / O0 - I / O7
高Z
高Z
数据输出
DATA IN
高Z
动力
待机（我
SB
)
待机（我
SB
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
主动（我
CC
)
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绝对最大额定值*
电源电压范围电压（VCC） ，以相对GND
1
..- 0.5V至+ 7.0V
储存温度.............................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与功耗应用........- 55 ° C至+ 125°C
直流电压应用到输出的
在高Z状态
1
.................................................- 0.5V到Vcc + 0.5V
直流输入电压
1
.............................................- 0.5V到Vcc + 0.5V
MT5C1008(LL)
超低功耗
*强调在或高于下"Absolute马克西列出
妈妈Ratings"可能导致器件的永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件表示
本说明书中的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下工作
时间会影响其可靠性。请参见本数据手册的第17页
有关此主题的技术说明。
**结温取决于封装类型，循环
时间，装载，环境温度和空气流和湿度。
电气特性和推荐工作条件
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
-30
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
VCC工作电源
当前
自动CE电源 -
断电流 - TTL
输入
自动CE电源 -
断电流 - CMOS
输入
GND < V
I
＆ LT ; VCC
GND < V
I
< Vcc时，
输出禁用
VCC =最大，我
OUT
= 0毫安
F = F = 1 /吨
RC
MAX Vcc时， CE1 \\ > V
IH
or
CE2 < V
IL
, V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
MAX Vcc时， CE1 \\ >为VCC - 0.3V ，或
CE2 < 0.3V ，V
IN
>的Vcc - 0.3V ，或
V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
I
SB1
4
mA
条件
VCC =最小，我
OH
= -4.0毫安
VCC =最小，我
OL
= 8.0毫安
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
2.2
-0.3
-10
-10
民
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+10
+10
最大
单位
V
V
V
V
A
A
1
笔记
130
mA
I
SB2
0.6
mA
注意事项：
1. VIL （MIN） = -2.0V为小于20ns的脉冲持续时间。
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电容
1
参数
输入电容（ A0 - A16 ）
输入电容（ CE \\我们\\ OE \\ ）
输出电容
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能影响这些参数。
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超低功耗
符号
C
IN
最大
8
10
12
单位
pF
pF
pF
条件
TA = 25°C ， F = 1MHz时，
VCC = 5.0V
C
CLK
C
OUT
交流测试负载和波形
数据保持特性
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
参数
VCC为数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
0.2V ， VCC = V
DR
= 2.0V,
CE1 \\ >为VCC - 0.3V或CE2 < 0.3V ，
V
IN
>的Vcc - 0.3V或V
IN
＆ LT ; 0.3V
条件
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
0
200
民
2.0
150
最大
单位
V
A
ns
s
数据保存波形
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超低功耗
开关特性
1
(-55
o
<牛逼
C
＆ LT ; 125
o
℃; V
CC
= 5.0V +10%)
-30
参数
符号
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
3
15
0
8
3
30
12
民
30
30
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2, 3
3
2, 3
笔记
读周期
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE1 \\低到数据有效， CE2 HIGH到数据有效
OE \\低到数据有效
OE \\低到低Z
OE \\高到高阻
CE1 \\低到低Z ， CE2高到低Z
CE1 \\高来高Z， CE2低到高Z
4
写周期
写周期时间
CE1 \\低到写入结束， CE2 HIGH撰写完
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE \\脉宽
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE \\高到低Z
WE \\低到高Z
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
30
22
22
0
0
22
18
0
5
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
3
2, 3
注意事项：
1.试验条件假设为3ns或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的I的输出负载
OL
/I
OH
和30pF的负载电容。
2. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
同为5pF的负载电容被指定为在交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500mV的。
3.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
＆ LT ;吨
LZCE
, t
HZOE
＆ LT ;吨
LZOE
和叔
HZWE
＆ LT ;吨
LZWE
对于任何给定的设备。
4.存储器的内部写入时间由CE1 \\低， CE2高的重叠所定义，和WE \\低电平。 CE1 \\和WE \\必须为低和CE2高到启动写，和任何的过渡
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
5.写周期第3的最低写入周期时间（WE \\控制， OE \\ LOW ）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
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5
QQ：800888908 复制
