【E2B0025-27-Y2半导体半导体MSM666980点LCD段驱动器这个版本： 1997年11月】,IC型号MSM6669,MSM6669 PDF资料,MSM6669经销商,ic,电子元器件-51电子网

E2B0025-27-Y2

半导体

MSM6669

80点LCD段驱动器

这个版本： 1997年11月

MSM6669

上一版本： 1996年3月

概述

该MSM6669是采用CMOS的低功耗制造的点阵LCD段驱动器

硅栅工艺。

该LSI由80位锁存器I和II， 80位的电平移位器，和80位的4级的驱动程序。

它锁存从LCD控制器LSI或微控制器中的4位并行显示数据，然后

输出为LCD驱动信号。

特点

=逻辑电源电压

： 2.7V至5.5V

LCD驱动电压

： 14V至28V

适用LCD占空比

： 1/64到1/256

偏置电压可以从外部提供

LCD输出

: 80

4位并行数据处理提高了传输速度，以四分之一的常规的

串行传输，从而实现低功耗

适用共同驱动： MSM6778 （ 120输出）

结构：

TCP 35毫米宽的薄膜安装（产品名称： MSM6669AV -Z -05 ）

镀Sn

外引线间距

: 220mm

用户区

: 7.5mm

1/9

半导体

MSM6669

框图

O

1

O

2

O

79

O

80

V

1

V

3

V

4

V

EE

V

DD

80位的4级的驱动程序

V

EE

DF

DISP OFF

80位电平转换器

V

DD

负载

80位锁存器（ II ）

V

SS

D

0

D

1

D

2

D

3

V

DD

80位锁存器（ I）

V

DD

V

SS

CP

E

I

SHL

控制

电路

E

O

2/9

半导体

MSM6669

引脚配置（顶视图）

DUMMY

O

80

O

79

O

78

V

1

V

3

V

4

V

EE

V

SS

SHL

V

DD

E

O

DISP OFF

O

3

O

2

O

1

DUMMY

DF

负载

CP

D

3

D

2

D

1

D

0

E

I

V

DD

3/9

半导体

MSM6669

绝对最大额定值

参数

电源电压（ 1 ）

电源电压（ 2 ）

输入电压

储存温度

符号

V

DD

V

液晶显示

V

I

T

英镑

条件

Ta=25°C

TA = 25° C，V

DD

– V

EE

*

Ta=25°C

—

等级

-0.3到+6.5

0-30

-0.3到V

DD

+ 0.3

-30至+85

单位

V

°C

* V

1

＆ GT ; V

3

＆ GT ; V

4

＆ GT ; V

EE

, V

DD

≥

V

1

＆ GT ; V

3

≥

V

DD

–10V, V

EE

+10V

≥

V

4

＆ GT ; V

EE

推荐工作条件

参数

电源电压（ 1 ）

电源电压（ 2 ）

工作温度

符号

V

DD

V

液晶显示

T

op

条件

—

V

DD

–V

EE

*

—

分钟。

2.7

14

–20

典型值。

5.0

—

马克斯。

5.5

28

75

单位

V

°C

* V

1

＆ GT ; V

3

＆ GT ; V

4

＆ GT ; V

EE

, V

DD

≥

V

1

＆ GT ; V

3

≥

V

DD

–7V, V

EE

+7V

≥

V

4

＆ GT ; V

EE

4/9

半导体

MSM6669

电气特性

DC特性

(V

DD

= 2.7 5.5V ，TA = -20至+ 75 ° C）

参数

＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压

\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压

＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电流

\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电流

＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压

\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压

抗性

符号

V

IH

V

IL

I

IH

I

IL

V

OH

V

OL

R

ON

*1

*2

条件

—

V

IH

= V

DD

V

IL

= 0V

I

O

= -0.2mA

I

O

= 0.2毫安

V

DD

– V

EE

= 25V

V

DD

= 2.7V

V

N

– V

O

= 0.25V

f

CP

= 6.0MHz ，V

DD

= 3.0V

V

DD

– V

EE

= 25V

无负载，女

负载

= 21.6kHz

f

CP

= 6.0MHz ，V

DD

= 3.0V

V

DD

– V

EE

= 25V

无负载，女

负载

= 21.6kHz

f

CP

= 6.0MHz ，V

DD

= 3.0V

V

DD

– V

EE

= 25V

无负载，女

负载

= 21.6kHz

分钟。

0.8 V

DD

典型值。

—

1.5

马克斯。

V

DD

0.2 V

DD

1

–1

—

0.4

3.0

单位

V

A

V

k

—

V

SS

—

V

DD

– 0.4

—

*3

*4

待机电流

I

DDSBY

—

*5

—

0.3

mA

电源电流（ 1 ）

I

DD1

I

V

C

I

—

*6

—

5

1.5 (V

DD

)

1.0 (V

EE

)

100

—

mA

电源电流（ 2 ）

输入电容

—

*7

A

pF

F = 1MHz的

—

应用于负载， CP ，D

0

到D

3

,

E

I

， DF ，

DISP OFF

销。

适用到E

O

引脚。

V

N

= V

1

到V

EE

, V

4

= 14/16 (V

DD

– V

EE

), V

3

= 2/16 (V

DD

– V

EE

), V

DD

= V

1

.

适用于

1

与O

80

销。

数据显示1010 ，女

DF

=频率为45Hz ，电流从V流

DD

到Vss时的显示

数据不移入。

* 6数据显示1010 ，女

DF

=频率为45Hz ，电流（V

DD

），从V流

DD

到V

SS

和V

EE

和

电流（V

EE

），从V流

DD

到V

EE

当显示数据被移入。

* 7的数据显示1010 ，女

DF

=频率为45Hz ，电流流入到每个Ⅴ的

1

, V

3

和V

4

销。

*1

*2

*3

*4

*5

5/9

E2B0025-27-Y2

半导体

MSM6669

80点LCD段驱动器

这个版本： 1997年11月

MSM6669

上一版本： 1996年3月

概述

该MSM6669是采用CMOS的低功耗制造的点阵LCD段驱动器

硅栅工艺。

该LSI由80位锁存器I和II， 80位的电平移位器，和80位的4级的驱动程序。

它锁存从LCD控制器LSI或微控制器中的4位并行显示数据，然后

输出为LCD驱动信号。

特点

=逻辑电源电压

： 2.7V至5.5V

LCD驱动电压

： 14V至28V

适用LCD占空比

： 1/64到1/256

偏置电压可以从外部提供

LCD输出

: 80

4位并行数据处理提高了传输速度，以四分之一的常规的

串行传输，从而实现低功耗

适用共同驱动： MSM6778 （ 120输出）

结构：

TCP 35毫米宽的薄膜安装（产品名称： MSM6669AV -Z -05 ）

镀Sn

外引线间距

: 220mm

用户区

: 7.5mm

1/9

半导体

MSM6669

框图

O

1

O

2

O

79

O

80

V

1

V

3

V

4

V

EE

V

DD

80位的4级的驱动程序

V

EE

DF

DISP OFF

80位电平转换器

V

DD

负载

80位锁存器（ II ）

V

SS

D

0

D

1

D

2

D

3

V

DD

80位锁存器（ I）

V

DD

V

SS

CP

E

I

SHL

控制

电路

E

O

2/9

半导体

MSM6669

引脚配置（顶视图）

DUMMY

O

80

O

79

O

78

V

1

V

3

V

4

V

EE

V

SS

SHL

V

DD

E

O

DISP OFF

O

3

O

2

O

1

DUMMY

DF

负载

CP

D

3

D

2

D

1

D

0

E

I

V

DD

3/9

半导体

MSM6669

绝对最大额定值

参数

电源电压（ 1 ）

电源电压（ 2 ）

输入电压

储存温度

符号

V

DD

V

液晶显示

V

I

T

英镑

条件

Ta=25°C

TA = 25° C，V

DD

– V

EE

*

Ta=25°C

—

等级

-0.3到+6.5

0-30

-0.3到V

DD

+ 0.3

-30至+85

单位

V

°C

* V

1

＆ GT ; V

3

＆ GT ; V

4

＆ GT ; V

EE

, V

DD

≥

V

1

＆ GT ; V

3

≥

V

DD

–10V, V

EE

+10V

≥

V

4

＆ GT ; V

EE

推荐工作条件

参数

电源电压（ 1 ）

电源电压（ 2 ）

工作温度

符号

V

DD

V

液晶显示

T

op

条件

—

V

DD

–V

EE

*

—

分钟。

2.7

14

–20

典型值。

5.0

—

马克斯。

5.5

28

75

单位

V

°C

* V

1

＆ GT ; V

3

＆ GT ; V

4

＆ GT ; V

EE

, V

DD

≥

V

1

＆ GT ; V

3

≥

V

DD

–7V, V

EE

+7V

≥

V

4

＆ GT ; V

EE

4/9

半导体

MSM6669

电气特性

DC特性

(V

DD

= 2.7 5.5V ，TA = -20至+ 75 ° C）

参数

＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压

\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压

＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电流

\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电流

＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压

\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压

抗性

符号

V

IH

V

IL

I

IH

I

IL

V

OH

V

OL

R

ON

*1

*2

条件

—

V

IH

= V

DD

V

IL

= 0V

I

O

= -0.2mA

I

O

= 0.2毫安

V

DD

– V

EE

= 25V

V

DD

= 2.7V

V

N

– V

O

= 0.25V

f

CP

= 6.0MHz ，V

DD

= 3.0V

V

DD

– V

EE

= 25V

无负载，女

负载

= 21.6kHz

f

CP

= 6.0MHz ，V

DD

= 3.0V

V

DD

– V

EE

= 25V

无负载，女

负载

= 21.6kHz

f

CP

= 6.0MHz ，V

DD

= 3.0V

V

DD

– V

EE

= 25V

无负载，女

负载

= 21.6kHz

分钟。

0.8 V

DD

典型值。

—

1.5

马克斯。

V

DD

0.2 V

DD

1

–1

—

0.4

3.0

单位

V

A

V

k

—

V

SS

—

V

DD

– 0.4

—

*3

*4

待机电流

I

DDSBY

—

*5

—

0.3

mA

电源电流（ 1 ）

I

DD1

I

V

C

I

—

*6

—

5

1.5 (V

DD

)

1.0 (V

EE

)

100

—

mA

电源电流（ 2 ）

输入电容

—

*7

A

pF

F = 1MHz的

—

应用于负载， CP ，D

0

到D

3

,

E

I

， DF ，

DISP OFF

销。

适用到E

O

引脚。

V

N

= V

1

到V

EE

, V

4

= 14/16 (V

DD

– V

EE

), V

3

= 2/16 (V

DD

– V

EE

), V

DD

= V

1

.

适用于

1

与O

80

销。

数据显示1010 ，女

DF

=频率为45Hz ，电流从V流

DD

到Vss时的显示

数据不移入。

* 6数据显示1010 ，女

DF

=频率为45Hz ，电流（V

DD

），从V流

DD

到V

SS

和V

EE

和

电流（V

EE

），从V流

DD

到V

EE

当显示数据被移入。

* 7的数据显示1010 ，女

DF

=频率为45Hz ，电流流入到每个Ⅴ的

1

, V

3

和V

4

销。

*1

*2

*3

*4

*5

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